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医疗设备中的人工智能
人工智能 (AI) 在医疗器械领域引起了广泛关注。然而，由于系统的复杂性、其架构的多变性以及伦理和监管问题，需要不断分析其应用和性能。本研究对人工神经网络 (ANN) 和机器学习 (ML) 算法在医疗器械中的应用，以及过去、现在和未来的应用前景进行了叙述性评论。本研究的一个研究重点是确定与在医疗器械中实施 AI 相关的问题。该评论基于 2009 年至 2020 年期间在 PubMed、Scopus 和 ScienceDirect 数据库以及国际组织的官方出版物（欧洲委员会 (EC)、食品药品监督管理局 (FDA) 和世界卫生组织 (WHO)）上发表的科学文章。人工智能正在彻底改变医疗保健，从医疗应用到临床工程。然而，在充分发挥其潜力之前，需要解决伦理、法律和社会问题，并需要在公平获取、隐私、适当使用和用户、责任和偏见以及包容性方面协调和规范其应用。
飞行模拟训练设备 - Diamond Aircraft
从驾驶舱内部，您能看出区别吗？ Diamond FSTD 精确模仿了 DA40 和 DA42 飞机。仪表板配备了原装 Garmin G1000 NXi 航空电子设备套件和备用仪表。它主要采用原装飞机部件制造，以实现最逼真的驾驶舱环境，包括飞机专用的驾驶舱开关、主飞行控制装置、油门象限和机组人员座椅。 FSTD 具有精确的空气动力学、全面的系统复制、逼真的飞机仪表模拟以及复杂的环境和视觉效果。飞行动态模型通过我们飞行测试部门的飞机参考数据进行验证。没有人比制造商更了解它！ Diamond FSTD 是市场上唯一一款基于官方批准的 Diamond 数据包的 DA40/DA42 机队训练设备。 Diamond FSTD 可确保模拟器和飞机之间训练和行为的最佳传输。
从微芯片到医疗设备
COVID-19的大流行强调了信息和通信技术（ICT）在支持危机中的基本活动以及从商业到教育再到医疗保健中不断扩大的数字化服务的作用，在建立弹性社会中的重要性。它还揭示了ICT供应链面临的独特挑战，但是，一个地区的运营限制和监管障碍在整个全球供应链中造成了干扰和短缺。随着世界各地的政府继续调整战略，以从当前的大流行中恢复并做出反应，并制定政策以应对未来的全球公共卫生危机，这是关键的政策制定者维持了包括半导体的开放式供应链（包括半导体），包括半导体 - 作为其危机 - 应答策略的一部分。通过识别和指定半导体等ICT组件为“基本基础设施”，决策者可以避免短缺和破坏ICT组件，这些ICT组件会进入医疗服务，食品分配，远程工作和基础设施所需的其他必要商品。本文概述了多种方式 - 显而易见和非明显的方式，即半导体支持政府对Covid-19的大流行的反应。从大流行对半导体供应链的影响中汲取的教训；政策制定者可以采取一些立即步骤，以维持ICT基本商品的生产和发货，以准备未来的公共卫生危机。
单元-5个能源和存储设备。 ...
它们是反应物，产物和电解质连续通过细胞的细胞。这里的化学能在没有燃烧的情况下转化为电能。（例如）H 2 -O 2燃料电池燃料电池串联连接到燃料电池的燃料电池。干细胞或Leclanche的细胞一个没有流体成分的细胞称为干细胞。示例：Daniel Cell，碱性电池。描述阳极 - 锌（Zn）圆柱`阴极 - 石墨杆电解质 - NH 4 Cl，Zncl 2和Mno 2的糊状物和淀粉和水。输出电压 - 1.5 V细胞反应；
功率器件 | 提高生产率和产量
在背面金属化之前，晶圆会被减薄，因为基板是设备的功能部分。300 毫米/12 英寸晶圆要么减薄到约 200 微米厚，要么遵循所谓的 Taiko 晶圆研磨原理。在后一种情况下，硅晶圆由一个外部 Taiko 环和减薄的硅膜组成。对于 300 毫米/12 英寸晶圆，该膜会根据设备电压等级减薄到 60、90 或 120 微米。薄基板的热容量低，因此需要严格控制工艺温度。沉积过程中的温度对固有薄膜应力有显著影响。为了最大限度地减少晶圆弯曲，必须最大限度地减少金属层堆栈引入的应力。CLUSTERLINE® 采用特殊的卡盘设计，可控制晶圆温度而不会损坏正面。在标准应用中，使用凹陷卡盘配置。在这种经典设计中，晶圆在沉积过程中位于外环上，从而防止与设备表面接触。然而，尽管凹陷式卡盘是一种经济高效的解决方案，但由于缺乏主动卡盘，热耦合受到限制。因此，对于需要更严格温度控制的应用，独特的 BSM-ESC（用于背面金属化的静电卡盘）是首选。
电力电子设备的未来趋势
DOI: 10.5281/zenodo.3591592 CZU 62-83:621.38 电力电子设备的未来趋势 Titu-Marius I. Băjenescu，ORCID ID：0000-0002-9371-6766 瑞士技术协会，瑞士电子集团 tmbajenesco@gmail.com 收稿日期：2019 年 10 月 16 日 接受日期：2019 年 2 月 12 日 摘要。半导体技术的最新进步以及电力电子器件在电能不同领域（特别是航空、运输和配电网络应用）日益增长的需求，对高频、高电压、高温和高电流密度等新规范提出了要求。所有这些都促进了电力设备的强劲发展。为此，应开发低电阻率薄膜的分离技术以及厚膜生长技术，包括绝缘晶片上的热丝 CVD。本文概述了半导体制造的发展、当前应用和前景。关键词：GaN、SiC、Si vs SiC、IGBT、MOSFET、HEMT、HFET、FET、金刚石功率器件。简介半导体的历史悠久而复杂。表 1 显示了功率半导体器件发展的时间表。在 1950 年代，晶闸管或可控硅整流器 (SCR) 是数百伏固态电力电子的唯一选择。随着技术的进一步发展，JFET、功率 MOSFET 和 IGBT 等新器件问世，它们的性能得到了极大提高，额定电压和电流也更高。现在，在 21 世纪，宽带隙 (WBG) 半导体是高性能电力电子趋势中的最新产品。电力电子技术是一项复杂的跨学科技术，从事该领域的研究需要具备电气工程及其他领域的综合背景。器件研究极其重要，因为该领域的发展从根本上引发了现代电力电子革命。目前硅和宽带隙 (WBG) 功率半导体（图 1、2、3、4）的研发趋势将持续下去，直到功率器件特性和额定值得到显著改善，接近理想的转换。自宽带隙电力电子技术问世以来，器件评论迎来了第二波流行，涵盖了 SiC、GaN 等材料，也许还包括钻石（但程度较小）。很明显，在不久的将来，SiC（而不是 GaN）将成为所选市场的主要 WBG 功率器件材料。宽带隙半导体是半导体材料的一个子类，其带隙大于 Si，通常在 2 到 4 电子伏 (eV) 之间。
1983 - 交通控制设备手册
8D. 其他考虑事项................... 8-69 8D-1 视距.................................................................................................................. 8-69 8D-2 几何形状....................................................... 8-75 SD-3 排水.................................................................................................................................. 8-76 SD-4 照明.................................................................................................................................. 8-76 SD-4 照明.................................................................................................................................. 8-76 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8- 77 SD-5 障碍物. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8-77 8D-6 交叉表面. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8- 78 8D- 7 驾驶员教育. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8- 79 SD-8 执行 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8- 79
麦克斯韦超级电容器：用于任务关键备用功率应用的能源存储设备
超级电容器是储能设备，可为需要高功率功能的应用提供爆发功率。与通过化学反应储存能量的电池不同，超级电容器通过静电（物理）分离正电荷来存储能量。与电池相比，超级电容器的静电储能允许该设备迅速充电并放电数十万个循环 *，通常仅执行数千或数千个电荷/放电周期。超平球是用于存储能量的可靠，节能和成本效益的解决方案。