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儿童权利：乌云背后的彩虹
布鲁斯·亚当森·迪奥尔奇 霍夫曼教授，感谢你们对普林霍恩博士的热烈欢迎 大家 我非常荣幸来到斯旺西，发表关于儿童权利的年度观察讲座：乌云背后的彩虹 100年前，第一部《儿童权利国际宣言》在第一次世界大战的战火中通过。国际联盟通过的国际共识是，饥饿的儿童应该得到食物，生病的儿童应该得到医疗保健，在危难时刻，儿童应该首先得到救济。那是一个全球不确定的时代，冲突、经济和政治不稳定深深影响着儿童。 一个乌云密布的时代。全球不确定性……冲突……经济和政治不稳定……深深影响着儿童……我让你们思考一会儿。作为回应，各国政府认识到制定保护儿童权利的国际标准必须成为优先事项。今天是世界儿童日，我们庆祝在儿童权利方面取得的进步 — — 但也要反思仍需做的工作。
有机光电二极管中超低暗电流的来源识别
X. Ma, H. Bin, BT van Gorkom, TPA van der Pol, MJ Dyson, CHL Weijtens, SCJ Meskers, RAJ Janssen, GH Gelinck 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 电子邮件： rajjanssen@tue.n l M. Fattori 电气工程系 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 AJJM van Breemen, D. Tordera, GH Gelinck TNO/Holst Center High Tech Campus 31 Eindhoven 5656 AE, 荷兰 瓦伦西亚 C/ Chair of J. Beltran 2, Paterna 46980, 西班牙 RAJ Janssen 荷兰基础能源研究所 De Zaale 20, Eindhoven 5612 AJ, 荷兰
在光子芯片上进行暗物质搜索-Indico Global
https://news.fnal.gov/2019/11/admx- perveriment-plass-places-worlds-best-best-best--ondaind-on-dark-matter-axions/https://news.fnal.gov/2019/11/admx- perveriment-plass-places-worlds-best-best-best--ondaind-on-dark-matter-axions/
复杂的典型理论中的互动鬼暗
摘要我们采用了一种幽灵模型，用于相互作用的暗能量，以在复杂的典型范围内获得FRW宇宙中幽灵能量密度的状态ω方程。我们重建了描述复杂精神学的标量场的潜力和研究。我们对非相互作用和相互作用的情况进行ω-ω'分析和稳定性分析，并发现与真实模型相同的基本结论，其中ω'=dΩ/ dlna。考虑到复杂部分的效果，并假设典型界面的实际部分是一个缓慢滚动的领域，我们得出的结论是，非交互模型无法描述真实的宇宙，因为这将导致分数能量d> 1，其中d可以将d定义为ρdd与ρd的比例。但是，对于相互作用的情况，如果我们采用当前d = 0。73，然后我们可以确定B 2 = 0。0849，其中b 2是物质与黑能之间的相互作用耦合。在实际的典型模型中，d和b 2是独立参数，而在复杂的典型模型中，我们得出结论，这两个参数之间存在关系。
量子引力以暗粒子形式局部大规模激发
我们渐近地构造了一个静态球形激发态，该激发态在可重正化量子引力中无奇点，具有无背景性质。其直径由量子引力的关联长度给出，比普朗克长度长 2 个数量级，外部有史瓦西尾。内部的量子引力动力学采用非微扰高阶修正表达式来描述，该表达式假设了动力学在强耦合的边缘消失的物理要求。运行耦合常数是非线性和非局域性的表现，通过将其近似为依赖于径向坐标的平均场来管理。如果质量是普朗克质量的几倍，我们可以建立一个包含运行效应的引力势线性化运动方程组，并获得激发态作为其解。它可能是暗物质的候选者，并将为黑洞物理学提供新的视角。
涉及 s 的简化暗物质模型的约束......
摘要 本文总结了在以 s 通道中的介质粒子交换为特征的理论模型背景下寻找费米子暗物质候选者的工作。所考虑的数据样本包括大型强子对撞机在其第 2 次运行期间以√ s = 13 TeV 的质心能量进行的 pp 碰撞，由 ATLAS 探测器记录，对应能量高达 140 fb − 1。结果的解释基于简化模型，其中新的介质粒子可以是自旋为 0，与费米子进行标量或伪标量耦合，也可以是自旋为 1，与费米子进行矢量或轴矢量耦合。排除限是从各种搜索中获得的，这些搜索的特点是最终状态以共振方式产生标准模型粒子，或产生与大量缺失横向动量相关的标准模型粒子。
硅基内置低暗电流光电二极管... - CDN
与传统体硅相比，绝缘体上硅（SOI）衬底具有许多优势，包括低漏电流、低电容、低功耗、更好地抵抗短沟道效应（SCE）和卓越的缩放能力[1 – 4]。这使得SOI衬底不仅适用于传统的MOSFET，而且由于天然的衬底隔离[5 – 8]和更简单的多栅极设计，它也对新型半导体器件具有吸引力，例如TFET和Z2-FET。此外，建立在SOI平台上的光电探测器（PD）也表现出优异的光电性能。高工作速度、高抗辐射和低寄生电容的优势使基于SOI的PD在电子和光子集成电路（EPIC）、光通信系统和航空航天等许多应用领域中极具竞争力[9 – 16]。为了在 SOI 薄膜中形成 pn 光电二极管，通常使用常规离子注入来掺杂 Si 沟道 [17]。然而，离子注入会损坏并降低 Si 的质量，这个问题在缺乏种子层以促进再结晶的超薄 SOI 薄膜中尤其严重。此外，用于激活掺杂剂的高温退火可能会引起应力和损坏，并进一步降低器件的性能。为了克服这些缺点，可以使用电场诱导的静电掺杂 [18,19] 来形成 pn 结并完全避免离子注入。之前，我们已经证明在