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氧化葡萄氧化葡萄晶与大肠杆菌和金黄色葡萄球菌
这项研究着重于通过合成氧化铜（CEO2）来对抗细菌感染，并使用协同降水方法将其用3％和5％锌掺杂以及7％的钴掺杂来对其进行对抗。系统地研究了结构，形态，光学和抗菌特性。X射线衍射（XRD）表明，退火后，氧化纯含氧岩纯含量从氧化物的12nm增加到13.42nm。扫描电子显微镜（SEM）确认所有样品的聚集球结构。弥漫性反射光谱（DRS）显示出扩大的能带隙，从2.76EV的氧化物原始葡萄含量为3.09EV，即退火的7％钴掺杂含氧铜，表明电子特性的潜在变化。抗菌活性表明，7％的钴掺杂含氧岩氧化物表现出对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌的抑制作用最大，表明与其他合成材料相比，抗菌活性上等。因此，这项研究展示了一种针对氧化葡萄纳米颗粒的定制方法，突出了修饰对增强抗菌应用的重要性。这项研究的发现有助于发展晚期抗菌剂的发展，利用了修改的氧化葡萄纳米颗粒的独特特性。
铝掺杂对ZnO薄膜光学，电气和气体传感特性的影响
这项研究探索了铝掺杂对ZnO薄膜光学和电气性能的影响，以及它们的气感应能力，特别是对血清的响应。薄膜，然后在500°C下退火，其掺杂浓度变化（0％，0.5％，1％，1％，1.5％，2％和2.5％）。结果表明，较高的Al掺杂提高了透射率，这可能是由于结晶度增强和爆发蛋白 - 莫斯效应所致，而2.5％的Al掺杂ZnO表现出最高的透射率约为85％。折射率和灭绝系数分析表明，在较高的掺杂水平下，光吸收和散射降低，反映了膜质量的提高。介电常数的实际和虚部也随掺杂而变化，掺杂的ZnO为0.5％，显示了最高的实际部分，表明更好的介电性能。Al掺杂的ZnO膜的光条间隙随着AL浓度的增加而降低，与先前的研究一致，表明电导率的潜在改善。电性能，尤其是I-V特性，表明较高的Al掺杂降低了电导率，这可能是由于电荷载体散射增加所致。气体传感实验表明，2％掺杂的ZnO对血清表现出更高的敏感性，而耐药性随时间和血清体积而变化，突出了ZnO膜及其环境之间的动态相互作用。该研究的发现表明，Al掺杂增强了ZnO薄膜的光学和传感特性，最佳的掺杂浓度约为2％，以最大程度的灵敏度。
主题：具有单光子发射计算机断层扫描
通过DAT光谱的纹状体多巴胺转运蛋白结合的可视化允许评估突触前多巴胺能赤字。提议异常的DAT-SPECS扫描支持PD，DLB或其他神经退行性帕金森综合症的诊断，而有症状的患者中的正常DAT-SPECT扫描支持诊断疾病，不影响肿瘤性多巴胺疗法途径。但是，有很大一部分临床诊断的PD患者没有表现出降低的DAT-SPECT结合。临床诊断为PD的患者（出现正常的Dat-specs扫描）在文献中被称为“没有多巴胺能赤字证据的扫描”（Swedd）。尽管其中许多患者最终被诊断出患有非PD综合征，但一部分患有正常DAT-SPEC成像的患者被证实具有参考标准的PD。其他研究可能会阐明这些情况。
多巴胺大脑，澳大利亚的阿纳斯塔西娅·哈里斯（Anastasia Hronis），企鹅...
摘要：第一章：什么是多巴胺，如何起作用/第二章：揭穿多巴胺神话/第三章：什么会破坏我们的多巴胺/第四章/第四章：追求愉悦，逃避痛苦/第五章：其他神经递质的痛苦：其他重要的神经递质是什么重要/章节：第七章：确定您的临时和章节/章节/章节：我的价值从何处来自/第11章：评估我们的对齐/第十二章：在道路/第13章中浏览叉子：设定目标与价值观/第四章一致/第四章一致：塑料的力量/第十五章：休息/第六章/第六章：与沮丧的/第十七章坐着：骑行/章节，骑行/章节，骑行/章节，开头/季节： 平衡。
perovs-opant：掺杂散装结构的机器学习潜力
探索新的掺杂材料对于提高半导体的性能，效率和多功能性至关重要。perovskites具有多种结构和可调性，已成为下一代半导体的有前途的候选人。机器学习潜力（MLP）在有效预测散装材料的材料特性方面表现出了巨大的希望。然而，缺乏用于钙壶的全面掺杂数据集阻碍了数据驱动技术在该域中进行高通量筛选和材料发现的应用。在这项工作中，我们提出了一个掺杂数据集“ perovs-opant”，其中包含来自438个不同掺杂的钙钛矿材料宽松轨迹的20,000多个密度功能理论（DFT）数据点。使用perovs-opants，我们评估了在散装材料轨迹上预先介绍的基础模型MACE-MP，以标记最先进的MLP的性能。我们的结果表明，尽管MACE-MP在散装晶体上表现出色，但Perovs-opants代表了分布的挑战，并具有重大的预测错误。我们通过对MACE-MP进行填充以实现佩洛斯型和原始散装晶体的比较建模来赎回这些效果。
具有高稳定性、CMOS 兼容掺杂剂的低接触电阻 WSe2 p 型晶体管
摘要：高接触电阻一直是开发高性能过渡金属二硫属化物 (TMD) 基 p 型晶体管的瓶颈。我们报道了简并掺杂的少层 WSe 2 晶体管，其接触电阻低至 0.23 ± 0.07 k Ω·μ m/接触，其使用氯化铂 (IV) (PtCl 4 ) 作为 p 型掺杂剂，该掺杂剂由与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 制造工艺兼容的离子组成。栅极长度为 200 nm 的顶栅器件表现出良好的开关行为，这意味着掺杂剂扩散到栅极堆栈中并不显著。这些器件在空气中放置 86 天后未进行任何封装，同时在 78 K 温度下保持简并掺杂状态，且压力低于 10 − 5 Torr，突显了掺杂剂的稳定性。所提出的方法阐明了对具有减薄肖特基势垒宽度的晶体管进行图案掺杂以获得低接触电阻器件的高稳定性方法的可用性。关键词：二硒化钨、电荷转移掺杂、场效应晶体管、二维材料、高稳定性
学习表达奖励预测错误的多巴胺能活性需要时间的塑性表示
在大脑中说明强化学习的主要理论框架是时间差异学习（TD）学习，某些单元信号奖励预测错误（RPE）。TD算法传统上已被映射到多巴胺能系统上，因为多巴胺神经元的firtert offers td算法类似于RPE。然而，TD学习的某些预测与实验结果不一致，并且先前的算法实现对刺激特异性的固定时间基础提出了不可计算的假设。我们提出了一个替代框架，以描述大脑中的多巴形信号传导（F flex（在E x奖励奖励中均获得了E rors）。在Flex中，多巴胺释放相似，但与RPE不同，导致预测与TD形成鲜明对比。虽然Flex本身是一个一般的理论框架，但我们描述了一种特定的，生物物理上合理的影响，其结果与现有和重新分析的实验数据一致。
