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能量下转换 Cs3Cu2Cl5 纳米晶体可提高紫外光电探测器的效率
零维 (0-D) 卤化铅钙钛矿纳米晶体 (NC) 因其优异的性能，例如高光致发光量子产率 (PLQY) 以及尺寸和成分控制的可调发射波长，在光电器件领域引起了人们的广泛兴趣。然而，铅钙钛矿 NC 中铅 (Pb) 元素的毒性是钙钛矿 NC 商业化应用的瓶颈。在此，我们报道了一种简便的配体辅助合成方法，实现了无铅 Cs 3 Cu 2 Cl 5 NC，其 PLQY 高达 ∼ 70% 并且对环境氧气/水分具有良好的稳定性，是一种很有前途的下转换材料。它具有高 PLQY 和大斯托克斯位移（∼ 300 nm）的优点，这源于 Jahn-Teller 畸变和自陷激子 (STE) 的影响。此外，Cs 3 Cu 2 Cl 5 NCs 嵌入复合膜 (NCCF) 被用于增强硅 (Si) 光电探测器的紫外线 (UV) 响应。外部量子效率 (EQE) 测量表明，基于 NCCF 与 Si 光电二极管的结合，紫外线响应可从 3.3% 大幅提高至 19.9% @ 295 nm。我们的工作提供了一种有效的方法来开发高效、稳定的无铅 Cs 3 Cu 2 Cl 5 NCs，用于太阳盲紫外线光电探测器。
用于红色胶体量子点发光二极管的双功能电子传输剂
摘要：磷化铟 (InP) 量子点使不含重金属、发射线宽窄且物理上可弯曲的发光二极管 (LED) 成为可能。然而，高性能红色 InP/ZnSe/ZnS LED 中的电子传输层 (ETL) ZnO/ZnMgO 存在高缺陷密度，沉积在 InP 上时会猝灭发光，并且由于陷阱从 ETL 迁移到 InP 发光层而导致性能下降。我们推测，ZnS 外壳上 Zn 2+ 陷阱的形成，加上 ZnO/ZnMgO 和 InP 之间的硫和氧空位迁移，可能是造成这一问题的原因。因此，我们合成了一种双功能 ETL（CNT2T，3 ′，3 ′″，3 ′″″-(1,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(([1,1 ′-联苯]-3-腈))，旨在局部和原位钝化 Zn 2+ 陷阱并防止层间空位迁移：小分子 ETL 的主链包含三嗪吸电子单元以确保足够的电子迁移率（6 × 10 − 4 cm 2 V − 1 s − 1），具有多个氰基的星形结构可有效钝化 ZnS 表面。我们报告的红色 InP LED 具有 15% 的 EQE 和超过 12,000 cd m − 2 的亮度；这代表了基于有机 ETL 的红色 InP LED 中的记录。■ 简介
阻止来自 ETL 的离子迁移可提高基于 III-V 胶体量子点的红外光探测器的稳定性
III-V 胶体量子点 (CQD) 在红外光电探测中备受关注，CQD 合成和表面工程的最新发展提高了性能。本文研究了光电探测器的稳定性，发现锌离子从电荷传输层 (CTL) 扩散到 CQD 活性层会增加其中的陷阱密度，导致操作过程中性能快速且不可逆地下降。为了防止这种情况发生，本文在 CQD 和 ZnO 层之间引入了有机阻挡层；但这会对设备性能产生负面影响。然后，该设备允许使用 C60:BCP 作为顶部电子传输层 (ETL) 以获得良好的形态和工艺兼容性，并选择 NiO X 作为底部空穴传输层 (HTL)。第一轮基于 NiO X 的设备表现出高效的光响应，但由于针孔而存在高漏电流和低开路电压 (Voc)。本研究将聚[双（4-苯基）（2,4,6-三甲基苯基）胺] (PTAA) 与 NiO X NC 结合形成混合 HTL，这种添加可减少针孔形成、界面陷阱密度和双分子复合，从而增强载流子收集。光电探测器在施加 1 V 偏压时在 970 nm 处实现 53% 的外部量子效率 (EQE)，并且在连续照明操作 19 小时后仍保持 95% 的初始性能。光电探测器在货架储存 80 天后仍保持 80% 以上的性能。
从ETL中逮捕离子迁移可提高基于III -V胶体量子点的红外光检测器的稳定性
III-V胶体量子点（CQD）在红外光检测中引起了人们的关注，CQDS合成和表面工程的最新发展提高了性能。在这里，这项工作调查了光电探测器的稳定性，发现从电荷传输层（CTL）到CQDS活性层的锌离子的差异会增加其中的陷阱密度，从而导致操作过程中快速且不可逆转的性能损失。在防止这种情况下，这项工作引入了CQD和ZnO层之间的有机阻塞层。但是这些对设备性能产生了负面影响。然后，该设备可以使用C60：BCP作为顶部电子传输层（ETL），以实现良好的形态和过程兼容性，并选择NiO X作为底部孔传输层（HTL）。基于Nio X的第一轮设备显示出有效的光响应，但由于针孔引起的高泄漏电流和低敞开电路（VOC）。这项工作介绍了Poly [Bis（4-苯基）（2,4,6-三甲基苯基）胺]（PTAA）（PTAA），它使用Nio X NC形成杂种HTL，这是一种减少针孔形成，界面陷阱密度，界面陷阱密度和双肌发射重组，增强载体，增强的载体。在1 V施加偏置的970 nm处，光电探测器在970 nm处实现53％的外部量子效率（EQE），并且在连续照明操作的19小时后，它们保持了95％的初始性能的95％。光电电视机在80天的架子存储后保留了80％以上的性能。
具有增强键合强度的白色粘合剂
这项工作介绍了优化的模型和数值模拟的结果以及基于CNT的GAAS/INAS多个量子井（从5到70 QWS）GAAS太阳能电池的分析。这些QW被发现将吸收边缘延伸到GAA带隙的范围之外。此外，随着模型中引入宽带插入式凹陷后面场（BSF）层，由于从设备底部反射了未吸附的光子，因此提高了效率，从而提高了效率。所提出的模型使用异质的CNT层作为顶部半透明电极。可以观察到，这种具有较低板电阻和更好光线的CNT顶层可以显着提高整体效率。我们的优化单元格具有35 number 25nm量子井结构，具有100 nm CNT顶层，板电阻为128Ω/□可将效率提高到32.46％（没有CNT顶层）。EQE接近90％。为了显示我们发现的准确性，显示了数值建模的关键阶段，并使用标准实验数据检查了基本仿真数据。在创建商业上可行的QWSCS迈出的重要一步是建议基于CNT的QWSC模型在现代TCAD工具环境（Silvaco Atlas）中的有效应用。keyowrds：碳纳诺管（CNT），INAS/GAAS，SILVACO TCAD，量子井太阳能电池（QWSC）
化学科学
超荧光 (HF) 是一种相对较新的现象，利用两种发光体之间的激子转移，需要仔细地成对调整分子能级，被认为是开发新型高效 OLED 系统的关键一步。迄今为止，报道的具有所需窄带发射但外部量子效率中等 (EQE <20%) 的 HF 黄光发射体寥寥无几。这是因为尚未提出一种系统性策略，将 Förster 共振能量转移 (FRET) 和三线态到单线态 (TTS) 跃迁作为有效激子转移的互补机制。在此，我们提出了一种合理的方法，通过细微的结构修改，可以获得一对由相同供体和受体亚基构建的化合物，但这些双极片段之间的通讯方式不同。 TADF 活性掺杂剂基于与咔唑部分的氮相连的萘酰亚胺支架，通过引入额外的键，不仅导致 π 云扩大，而且还使供体变硬并抑制其旋转。这种结构变化可防止 TADF，并引导带隙和激发态能量同时进行 FRET 和 TTS 过程。利用所提出的发射器的新型 OLED 设备表现出出色的外部量子效率（高达 27%）和较窄的半峰全宽（40nm），这是能级排列非常好的结果。所提出的设计原理证明，只需进行少量结构修改即可获得适用于 HF OLED 设备的商业染料。
串联刚化和π扩展是开发狭窄线宽的黄色超浮动OLED系统的关键工具。
高荧光（HF）是一种利用激子在两个发光体之间转移的相对较新的现象，需要对分子能级进行仔细的成对调整，并被认为是朝着开发新的高效OLED系统发展的关键步骤。迄今为止，据报道，几乎只有几个具有所需窄带发射但中等外部量子效率的HF黄色发射器（EQE <20％）。这是因为尚未提出一种系统的系统策略，该策略尚未提出，尚未提出作为有效激子转移的补充机制，尚未提出过Förster共振能量传递（FRET）和三重态（TTS）过渡。在此，我们提出了一种理性方法，该方法允许通过微妙的结构修改，这是由同一供体和受体亚基构建的一对化合物，但可以在这些歧义性碎片之间进行多种通信。TADF活性掺杂剂基于与甲壳唑部分相关的萘酰亚胺支架，通过引入额外的键不仅导致π-云的扩大，而且还导致刚性刚化，还会导致刚性和抑制供体的旋转。这种结构变化阻止了TADF，并允许引导带盖和激发状态能量同时追求FRET和TTS过程。使用呈现的发射器的新型OLED设备显示出极好的外部量子效率（高达27％）和最大狭窄的全宽度（40nm），这是能量水平很好的结果。提出的设计原理证明，仅需要进行较小的结构修饰才能获得HF OLED设备的商业染料。
高外部量子效率光 - Demir研究小组
摘要：胶体量子井（CQWS），也称为纳米血小板（NPLS），是许多光子应用的令人兴奋的材料系统，包括激光和发光二极管（LED）。尽管已经证明了许多具有高设备性能的成功类型I NPL-LED，但即使使用具有增强的光学特性的合金II NPL，II型NPL也没有完全利用LED应用。在这里，我们介绍了CDSE/CDTE/CDSE CORE/CORCE/CROW/CROWN/CROWN/CROWN/CROWN/CROWS/CROWS/type-II NPLS的开发以及对其光学性质的系统研究，包括它们与传统的核心/皇冠对应物进行了比较。与传统的II型NPL不同，例如CDSE/CDTE，CDTE/CDSE和CDSE/CDSE X TE 1-X Core/Corn/Crown异质结构，在这里，拟议的高级异质结构获得了具有两个高量子产率（QY）的83％和长期荧光量的高量子产率（QY）的好处。这些型II转变通过光学测量进行了实验证实，并使用电子和孔波函数建模在理论上证实。计算研究表明，多冠的NPLS沿CDTE冠提供了更好的分布孔波函数，而电子波函数则在CDSE核心和CDSE冠状层中定位。作为概念验证演示，基于这些多曲的NPL的NPL LED在II型NPL LED中的创纪录的高量子效率（EQE）设计和制造为7.83％。这些发现有望引起NPL异质结构的先进设计，以达到令人着迷的性能水平，尤其是在LED和激光器中。关键字：II型纳米片，胶体量子井，高级异质结构，发光二极管，外部量子效率
电荷载体扩散动力学中的二级烷基铵限制的CSPBBR3钙钛矿纳米晶固体
摘要：CSPBBR 3量子点（QD）是光电设备的有希望的候选者。用二烷基铵（例如二二二烷基二甲基溴化物溴化物（DDAB））取代油酸（OA）和油胺（OLA）盖剂，表明外部量子效率（EQE）的含量增加了0.19％（OA/OLA）至13.4％（dd.4％）。设备的性能显着取决于QD固体中光激发载体的分解长度和迁移率。因此，我们通过构造双尺寸的QD混合物来研究DDAB限制的CSPBBR 3 QD固体中的电荷载体传输动力学。可以通过定量改变两个尺寸的QD之间的比率来监测荷兰载波的差异，从而改变了每个QD群集中载体的平均自由路径。从超快瞬态吸收光谱获得的QD固体的激发态动力学表明，由于强量量子的构造，光生的电子和孔很难在小型QD（4 nm）中使用。另一方面，大型QD（10 nm）中的光诱导的电子和孔都将与小型QD插入界面，然后进行重组过程。将载载物的不同研究与混合物中的QD组件上的蒙特卡洛模拟相结合，我们可以在10 nm cspbbr 3 qds中计算出电荷载体的差值长度为〜239±16 nm，以及电子和电子的迁移率，以及2.1（2.1（2.1（0.6））和0.6（0.6）（0.69（±0.6）（0.69）（0.69）（±0.69）（±0.69（±0.6）（±0.69）（±0.69）（±0.69）（±0.69）（±0.69）（±0.69）（±0.69）（±±0.6）（±±0.6）（±±±9）（±±0.6） 分别。这两个参数均表示DDAB限制的QDFIFM中有效的电荷载体传输，这合理化了其LED设备应用程序的完美性能。关键字：超快光谱，扩散长度，cspbbr 3，ddab，量子点光伏，载体传输，电荷转移■简介
结合机器学习和量子化学计算进行热激活延迟荧光分子材料的高通量虚拟筛选：选择策略和结构突变的影响
以重过渡贵金属有机配合物（如Ir(III)的联吡啶配合物）为代表的磷光材料，直到第三代TADF材料（如有机给体-p桥-受体分子）。在电激发下，TADF材料（以非常低的第一激发单重态-三重态能隙（DE ST）为特征的化合物）被热激活，以诱导有效的逆系间窜越（rISC），其中三重态激子转化为单重态激子，从而主要从发射的单重态激发态发光。图1示意性地示出了TADF材料的电致发光过程。与贵金属有机配合物磷光材料相比，TADF材料具有材料空间更大、价格低廉、易于制备和合成、易于制作柔性屏幕以及蓝光发射更稳定的优势。因此，近十年来，作为现代OLED最有前途的电致发光材料，它们得到了实验2,5 - 9 、理论10 - 23 和理论-实验相结合15,24,25的深入研究。基本上，有两类TADF材料得到了认真探索4。第一类是纯有机D - A或D - p - A体系，其电子给体（D）或受体（A）主要由含氮芳香杂环构成。最低激发态通常具有显著的分子内电荷转移（CT）跃迁特性。经过合理的设计和优化，基于此类TADF材料的OLED器件的外量子效率（EQE）甚至可以高达30％。从结构特征上看，由于给体和受体部分之间有足够的空间位阻，最好的发光效率通常对应于扭曲的D – A（或D – p – A）化合物。另一类是电子排布为d 10 的过渡金属（Cu（I）、Ag（I）、Zn（II）等）配合物，它们的最低激发态通常具有明显的金属 – 配体电荷转移（MLCT）跃迁特征。饱和的d 10