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低能电子全息
低能电子全息您的任务您将参与开发一种新型的成像技术（低能能电子全息图），该技术将用于2D晶体的原子分辨率成像，例如石墨烯和非晶样品，例如单个Macromolecules。该项目将包括以下任务：设计和构建连贯的低能电子显微镜，三个副标理，样品制备和记录全息图，以及来自全息图的样品结构的数值重建。您的个人资料您应该拥有物理学或工程学硕士学位，并具有在国际团队中进行实验研究的积极性。至少需要上级级别（CEFR B2）口语和书面英语。需要对固态物理学，相干光学和理论物理基础物质（量子力学，QED）的良好知识。编程技能（MATLAB，Python）以及电子显微镜和光学成像方面的实验经验是一个加号。实验工作将在维里根的Paul Scherrer学院进行，博士生将在苏黎世大学物理学系录取。Paul Scherrer Institute PSI是瑞士最大的自然与工程科学研究所。我们在物质和材料，能源与环境和人类健康领域进行尖端研究。通过进行基本和应用研究，我们为社会，科学和经济面临的主要挑战提供了可持续解决方案。PSI致力于对子孙后代的培训。因此，我们大约四分之一的员工是毕业后，毕业后或学徒。完全雇用了2100名员工。有关更多信息，请联系PD tatiana latychevskaia tatiana.latychevskaia@psi.ch
激光驱动的电子加速度
Eli Beblines设施的Alfa（加速度的Allegra激光）是由KHz L1-Allegra激光器驱动的激光等离子体电子加速器。ALFA可用的光学设置使用户能够以相对论强度（〜5x10 18 w/cm 2）进行激光互动实验，此外，还以可调的频率（最高1 kHz）以及可调的能量（最大可乐（最大值）50 meV）提供超短电子束（几乎是FS）。在ALFA上已经证明了这种独特的能力，以优化KHz激光Wakefield等离子体加速度，以提供超相对性（<50 MEV），超短效率（几个FS）电子束本质上与其他激光脉冲。这些独特的特征可以应用于非常高的能量电子（VHEE）放射疗法和剂量测定法，X射线散射和BETATRON辐射，超快速放射性生物学和放射化学以及辐射对电子学研究的效果。
电子 - phonon相互作用
超导性的原因在于电子 - phonon相互作用[5]。微观理论可以用普通的BCS Hamiltonian [5]来制定，其中所有声子变量均被消除。从这个意义上讲，晶格Dynamics的细节是我们主要关注的次要（超导性）。但是，值得注意的是。所有晶格动力学计算从真实的晶格开始。例如，要处理铝，我们从具有经验已知的晶格常数的FCC晶格开始。在周期性晶格盒边界条件的假设下求解了一组离子的运动方程。因此，晶格动力学和Bloch电子动力学中使用的K向量是相同的。k-向量的域可以仅限于同一第一个布里群区域。通俗地说，声子（玻色子）和电子（费米子）生活在同一布里鲁因区域，这相当于说电子和声子共享同一房子（Crystal
0 11 2 电子简介
SN 课程名称 课程代码 学分 总学分 1 信号、系统与网络 EE200A 3-1-0- 0 11 2 电子学概论 ESC201A 3-1-3-0 14 4 电子学概论 ESC201T 3-1-0-0 11 5 电气工程概论 ESO203A 3-1-2-0 13 7 模拟电子学 EE210A 3-1-0-0 11 8 控制系统分析 EE250A 3-1-0-0 11 9 数字信号处理 EE301A 3-0-0-0 9 10 半导体器件 EE311A 3-0-0-0 9 11 通信原理 EE 320A 3-1-0- 0 11 12 通信系统 EE321A 3-0-0-0 9 13 电力系统 EE330A 3-1-0- 0 11 14 电磁理论 EE340A 3-1-0-0 11 15 电力电子学 EE360A 3-0-0-0 9 16 数字电子学 EE370 A 3-1-0- 0 11 17 电气工程实验室 I EE380A 0-2-6- 0 12 18 电气工程实验室 -II EE381A 0-3-6-0
反阴极效应对电子束产生EB等离子体中电子动力学的影响
摘要 电子束 (e-beam) 产生的等离子体在施加交叉电场和磁场 (E × B) 的情况下有望用于低损伤材料处理，并应用于微电子和量子信息系统。在圆柱形电子束 E × B 等离子体中，电子和离子的径向约束分别通过轴向磁场和径向电场实现。为了控制电子的轴向约束，这种电子束产生的等离子体源可能包含一个称为反阴极的导电边界，该边界位于等离子体与阴极轴向相对的一侧。在这项工作中，结果表明，改变反阴极电压偏置可以控制反阴极收集或排斥入射电子的程度，从而可以控制热电子（电子能量在 10-30 eV 范围内）和束电子群约束。有人提出，反阴极偏压对这些不同电子群形成的影响也与弱湍流和强朗缪尔湍流之间的转变有关。
电子器件与电路（规
了解正反馈和负反馈系统所需的功能。 UNIT I PN 结器件 9 PN 结二极管 – 结构、操作和 VI 特性、扩散和过渡电容 - 削波和钳位电路 - 整流器 – 半波和全波整流器 – 显示设备 - LED、激光二极管、齐纳二极管特性 - 齐纳反向特性 – 齐纳作为稳压器 UNIT II 晶体管和晶闸管 9 BJT、JFET、MOSFET – 结构、操作、特性和偏置 UJT、晶闸管和 IGBT - 结构和特性。 UNIT III 放大器 9 BJT 小信号模型 – CE、CB、CC 放大器分析 – 增益和频率响应 – MOSFET 小信号模型 – CS 和源极跟随器分析 – 增益和频率响应单元 IV 多级放大器和差分放大器 9 BIMOS 级联放大器、差分放大器 – 共模和差模分析 – FET 输入级 – 单调谐放大器 – 增益和频率响应 – 中和方法、功率放大器 – 类型（定性分析）。单元 V 反馈放大器和振荡器 9 负反馈的优点 – 电压/电流、串联、并联反馈 – 正反馈 – 振荡条件、相移 – 维恩电桥、哈特利、考毕兹和晶体振荡器。
扫描电子显微镜（SEM）
光学成像系统（显微镜、望远镜或照相机）的分辨率可能受到镜头缺陷或错位（смещение）等因素的限制。然而，由于衍射的物理特性，任何光学系统的分辨率都有一个主要限制。分辨率性能达到仪器理论极限的光学系统被称为衍射极限。