Loading...
机构名称:
¥ 1.0

摘要 电子束 (e-beam) 产生的等离子体在施加交叉电场和磁场 (E × B) 的情况下有望用于低损伤材料处理,并应用于微电子和量子信息系统。在圆柱形电子束 E × B 等离子体中,电子和离子的径向约束分别通过轴向磁场和径向电场实现。为了控制电子的轴向约束,这种电子束产生的等离子体源可能包含一个称为反阴极的导电边界,该边界位于等离子体与阴极轴向相对的一侧。在这项工作中,结果表明,改变反阴极电压偏置可以控制反阴极收集或排斥入射电子的程度,从而可以控制热电子(电子能量在 10-30 eV 范围内)和束电子群约束。有人提出,反阴极偏压对这些不同电子群形成的影响也与弱湍流和强朗缪尔湍流之间的转变有关。

反阴极效应对电子束产生EB等离子体中电子动力学的影响

反阴极效应对电子束产生EB等离子体中电子动力学的影响PDF文件第1页

反阴极效应对电子束产生EB等离子体中电子动力学的影响PDF文件第2页

反阴极效应对电子束产生EB等离子体中电子动力学的影响PDF文件第3页

反阴极效应对电子束产生EB等离子体中电子动力学的影响PDF文件第4页

反阴极效应对电子束产生EB等离子体中电子动力学的影响PDF文件第5页

相关文件推荐

2024 年
¥5.0