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EASEE 传感器和发射器环境意识...
• 现已推出的版本 4 可实现具有复杂地形属性和 3D 大气场的计算。EASEE 中的许多高级信号传输模型都利用了这些功能，包括声学的抛物线方程方法和具有植被和建筑物的概率视线计算。• 核心功能（“EASEE OS”）的技术就绪水平 (TRL) 为 6。新功能正在不断涌现，尤其是 RF、成像和化学生物建模，这些功能的 TRL 较低（3-5）。• 用户友好的基于 MATLAB 的“独立”版本可用于 Windows 或 Mac 操作系统。• ArcGIS EASEE 工具栏提供了一种在 ArcMap 10.4 中无缝运行 EASEE 计算的方法。• EASEE Web 服务有助于集成到各种基于 Web 的计算环境中。• 由陆军快速创新基金 (RIF) 和物理安全企业分析小组 (PSEAG) 资助的过渡。其他过渡包括 JPEO CBRND、NGIC 和美国海岸警卫队。
自主驾驶中感知的生成语义域适应
摘要：最近已经建立了在硝酸硅中制造固有的单光子发射器的强大过程。这些发射器显示出由于室温运行和与技术成熟的氮化硅光子学平台的整体式整合而导致的量子应用的希望。在这里，通过测量光学跃迁波长，线宽和光子抗激素的基本光物理特性，探测了从4.2K到300K的温度的函数。通过测量零孔子线的不均匀和温度依赖性的均匀宽扩大，提供了对终身有限线宽潜力的重要见解。在4.2K时，发现光谱扩散是主要的宽扩向机理，而时间分辨的光谱测量结果揭示了具有仪器限制线宽的零孔子线的均匀宽宽。
薄膜碳化硅光子学中的双发射多模腔量子电动力学
色心是晶体中的点缺陷，可为分布式量子信息处理应用提供通向长寿命自旋态的光学接口。色心量子技术面临的一个突出挑战是将光学相干发射器集成到可扩展的薄膜光子学中，这是在商业代工工艺内进行色心大规模光子学集成的先决条件。本文，我们报告了将近变换限制的硅空位 (V Si ) 缺陷集成到在 CMOS 兼容的 4 H -绝缘体上碳化硅平台中制造的微盘谐振器中。我们展示了高达 0.8 的单发射器协同性以及来自耦合到同一腔模的一对色心的光学超辐射。我们研究了多模干涉对该多发射器腔量子电动力学系统的光子散射动力学的影响。这些结果对于碳化硅量子网络的发展至关重要，并通过将光学相干自旋缺陷与晶圆可扩展的、最先进的光子学相结合，弥合了经典量子光子学之间的差距。
离散的六角硼氮化液量子发射量及其化学
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离子液体电喷雾发射器的角度特性
电喷雾离子束中发射物质的角度分布尚未得到很好的表征，并且会对推进性能和发射器寿命产生负面影响。我们使用飞行时间质谱法对单个电喷雾离子束中发射物质的角度分布与发射电压的关系进行了实验表征。角电流分布表明发射中心轴与发射器尖端中心轴的最大偏差为 10 ◦。离子物质随角度的变化取决于发射电压。单粒子轨迹的模拟表明，离子团簇的碎裂会导致离子产物移近光束中心，而中性产物扩散至 47 ◦，具体取决于碎裂发生的速度。将实验结果与电喷雾发射的多尺度全光束模拟进行了比较，并讨论了未来使用这些模拟来解释角光束行为。
离子液体电喷雾发射器的角度特性
电喷雾离子束中发射物质的角度分布尚未得到很好的表征，并且会对推进性能和发射器寿命产生负面影响。我们使用飞行时间质谱法对单个电喷雾离子束中发射物质的角度分布与发射电压的关系进行了实验表征。角电流分布表明发射中心轴与发射器尖端中心轴的最大偏差为 10 ◦。离子物质随角度的变化取决于发射电压。单粒子轨迹的模拟表明，离子团簇的碎裂会导致离子产物移近光束中心，而中性产物扩散至 47 ◦，具体取决于碎裂发生的速度。将实验结果与电喷雾发射的多尺度全光束模拟进行了比较，并讨论了未来使用这些模拟来解释角光束行为。
平面纳米真空发射器的电子发射模式
纳米制造技术的最新进展使得人们能够制造出具有纳米级自由空间间隙的真空电子器件。这些纳米电子器件具有冷场发射和通过自由空间传输的优势，例如高非线性和对温度和电离辐射的相对不敏感性，同时大大减少了占用空间，增加了工作带宽并降低了每个器件的功耗。此外，平面真空纳米电子器件可以很容易地以类似于典型的微纳米级半导体电子器件的规模进行集成。然而，这些器件中不同电子发射机制之间的相互作用尚不清楚，其他人已经注意到它们与纯 Fowler-Nordheim 发射不一致。在这项工作中，我们系统地研究了平面真空纳米二极管的电流-电压特性，这些二极管的曲率半径为几纳米，发射极和集电极之间有自由空间间隙。通过研究由两种不同材料制成的几乎相同的二极管在不同环境条件（如温度和大气压）下的电流-电压特性，我们能够清楚地分离出单个器件中的三种不同发射模式：肖特基、福勒-诺德海姆和饱和。我们的工作将实现对真空纳米电子器件的稳健而准确的建模，这对于需要能够在极端条件下运行的高速、低功耗电子器件的未来应用至关重要。
与一组耗散量子发射器的完美光子不可区分性
摘要：由于存在强烈的失相过程，基于半导体量子点 (QD) 平台的单光子源 (SPS) 仅限于低温 (T) 操作。尽管 QD 在光腔中的集成可以增强其发射特性，但在高 T 下保持高不可区分性 (I) 的技术要求仍然超出了当前技术水平。最近，新的理论方法通过实现双偶极耦合发射系统已经显示出有希望的结果。在这里，我们提出了一个基于优化的五偶极耦合发射系统平台，该系统耦合到腔体，可在高 T 下实现完美的 I。在我们的方案中，使用完善的光子平台可以实现具有耗散 QD 的完美 I 单光子发射。对于优化过程，我们开发了一种新颖的机器学习方法，该方法可以显着减少高要求优化算法的计算时间。我们的策略为优化不同光子结构用于量子信息应用开辟了有趣的可能性，例如减少耦合的两级量子系统簇中的量子退相干。
腔增强二维材料量子发射器与氮化硅微谐振器确定性集成 K. Parto, 1, a) SI Azzam, 1, 2, a)
二维材料中的光学活性缺陷，例如六方氮化硼 (hBN) 和过渡金属二硫属化物 (TMD)，是一类极具吸引力的单光子发射体，具有高亮度、室温操作、发射体阵列的位点特定工程以及可通过外部应变和电场进行调谐的特性。在这项工作中，我们展示了一种新方法，可在无背景的氮化硅微环谐振器中精确对准和嵌入 hBN 和 TMD。通过 Purcell 效应，高纯度 hBN 发射体在室温下表现出高达 46% 的腔增强光谱耦合效率，这几乎超出了无腔波导发射体耦合的理论极限和之前的演示。该设备采用与 CMOS 兼容的工艺制造，不会降低二维材料的光学性能，且对热退火具有稳定性，并且在单模波导内量子发射器的定位精度达到 100 纳米，为具有按需单光子源的可扩展量子光子芯片开辟了道路。
在金属膜上的单个量子发射极和等离子纳米反胶之间的强耦合
摘要：单量子发射器与共振光学/纳米腔之间的强耦合对理解光和物质相互作用是有益的。在这里，我们提出了放置在金属膜上的等离子体纳米annana，以实现纳米类动物中的超高电场增强功能和超小的光学模式。通过数值模拟和理论计算详细研究了单个量子点（QD）和设计结构之间的强耦合。当将单个QD插入银纳米annna的纳米含量中时，散射光谱显示出真空狂犬分裂的分裂和抗骨骼的表现非常大，可以在散射光谱中通过优化纳米坦纳的厚度来实现。我们的工作显示了在单个量子发射极限制下增强光/物质相互作用的另一种方法，这对于许多纳米量和量子应用可能很有用。