我们研究了一种在原子薄的半导体中诱导超导性的机制,激子介导电子之间的有效吸引力。我们的模型包括超出声子介导的超导性范式的相互作用效应,并连接到玻色和费米极性的良好限制。通过考虑TRIONS的强耦合物理,我们发现有效的电子相互作用会形成强频率和动量依赖性,并伴随着经历了新兴的BCS-BEC交叉的系统,从弱绑定的S-波库珀对Bipolarons的超浮雕。即使在强耦合时,双丙酸也相对较轻,从而导致临界温度占费米温度的10%。这使二维材料的异质结构有望在通过电子掺杂和Trion结合能设置的高临界温度下实现超导性。
有机半导体是无序的分子固体,因此,它们的内部电荷产生动力学,电荷传输动力学,最终由它们所构成的光电设备的性能由能量疾病控制。这对于新兴的光伏技术尤其相关,其中可提取功率直接取决于这些动力学。为了确定能量障碍如何影响电荷发生,激子传输,电荷传输以及有机半导体设备的性能,首先需要一种准确的方法来衡量此关键参数。在这项工作中,可以证明有机半导体的静态疾病可以从其光伏外部量子效率谱从吸收开始附近的波长处获得。与计算框架一起介绍了一种详细的方法,用于量化与单重激子相关的静态能量障碍。此外,作者还表明,将光学干扰的限制效应最小化对于实现高临界量化至关重要。最后,采用透明设备来估计几种具有技术相关的有机半导体供体 - 受体混合物的激发静态疾病,包括高效率有机光伏系统PM6:Y6。
摘要:单壁碳纳米管 (SWCNT) 的光物理因其在光收集和光电子学中的潜在应用而受到深入研究。SWCNT 的激发态形成强结合的电子-空穴对,激子,其中只有单重态激子参与应用相关的光学跃迁。长寿命的自旋三重态阻碍了应用,但它们成为量子信息存储的候选者。因此,非常需要了解三重态激子的能量结构,特别是 SWCNT 手性依赖的方式。我们使用专用光谱仪报告了对几种 SWCNT 手性的三重态复合发光(即磷光)的观察结果。这得出了单重态-三重态间隙与 SWCNT 直径的关系,并遵循基于量子约束效应的预测。在高微波功率(高达 10 W)辐射下的饱和度可以确定三重态的自旋弛豫时间。我们的研究敏感地区分了最低光学活性状态是从同一纳米管上的激发态填充的,还是通过来自相邻纳米管的福斯特激子能量转移填充的。关键词:碳纳米管、光学检测磁共振、弛豫时间、量子约束、分子标尺、福斯特激子转移 U
1华沙大学物理学院实验物理研究所,华沙02-093波兰2物理系,罗马萨皮恩扎大学,罗马00185,意大利罗马3劳动力国家国家 /地区champs crampscrampsmagnétiqus登山 Nanotechnologies, National Research Council (CNR-IFN), 00133 Rome, Italy 5 Central European Institute of Technology, Brno University of Technology, Brno 61200, Czech Republic 6 Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044, Japan 7 International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044,日本8 Centera实验室,高压物理研究所,波兰科学院,波兰华沙01-142 ∗作者,应与之解决任何信件。
在狭窄的间隙半导体或半学中,当带隙能量小于电子孔结合能时,电子和孔之间的有吸引力的库仑力可以诱导激发剂绝缘体(EI)基态。图1A中说明了规范相图。EI相在半导体相(E G> 0)和半阶段(E G <0)之间出现。相对向EI状态的相变是电子孔对的Bose-Einstein凝结。如图1b所示,电子和孔之间的有吸引力的库仑力在EI阶段在费米水平上产生带隙。1960年代的开创性理论(Mott,1961; Jerome等,1967; Zittartz,1967; Halperin and Rice,1968)之后进行了更详细的理论著作,揭示了BCS-BEC交叉从半导体侧到相图(Bronold and Fehske,2006; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronord; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; 2008; Phan等人,2010年)。尽管有理论成就,但对EIS的实验研究仅限于诸如TM(SE,TE)之类的少数材料(Neuenschwander and Wachter,1990; Bucher等,1991; Wachter等,2004)。ei的性质(se,te)并非部分原因是由于其磁性。Tise 2表现出电荷密度波(Disalvo等,1976)。通过角度分辨光发射光谱(ARPES)研究了电荷密度波的起源(Pillo等,2000; Rossnagel等,2002; Qian等,2007; Zhao等,2007)。虽然在早期
1 里昂大学,克劳德·贝尔纳里昂第一大学,法国国家科研中心,Institut Lumi`ere Mati`ere,F-69622,里昂,法国 2 纳米科学与纳米技术中心,法国国家科研中心,巴黎第十一大学,巴黎萨克雷大学,91120 Palaiseau,法国 3 巴黎萨克雷大学,ENS Paris-Saclay,CentraleSup´elec,CNRS,LuMIn,UMR9024,Gif-sur-Yvette 91190,法国 4 纽约城市学院物理系,纽约,纽约州,美国 5 纽约城市大学物理系,研究生中心,纽约,纽约州,美国 6 里昂大学,里昂中央理工学院,里昂国立应用科学学院,克劳德·贝尔纳里昂第一大学,CPE Lyon, CNRS,INL,UMR5270,Ecully 69130,法国 7 圣安德鲁斯大学物理与天文学院,圣安德鲁斯,KY16 9SS,英国 8 图卢兹大学,INSA-CNRS-UPS,LPCNO,135 Av. Rangueil,31077 图卢兹,法国(日期:2025 年 1 月 13 日)
摘要:由于各个单元之间的相互作用,可以从有序的发射器集合中出现集体光学性质。卤化物钙钛矿纳米晶体的超晶格表现出集体光发射,受偶极子 - 同时激发的纳米晶体之间的偶极子相互作用。与未偶联的纳米晶体的发射相比,这种耦合改变了发射能和速率。我们证明了量子限制如何控制合奏中纳米晶体之间耦合的性质。通过控制纳米晶体的大小或对BOHR半径的组成控制来改变限制的程度。在由弱受限制的纳米晶体制成的超晶格中,集体发射以更快的发射速率进行红移,显示了超荧光的关键特征。相比之下,更强的量子限制纳米晶体的集体发射以较慢的发射速率进行蓝色。两种类型的集体发射都表现出相关的多光子发射爆发,显示出不同的光子束发射统计。量子限制改变了纳米晶体内过渡偶极子的首选比对,并切换邻居之间的相对偶极子方向,从而产生了相反的集体光学行为。我们的结果将这些集体效应扩展到相对较高的温度,并更好地了解固态处的激子相互作用和集体排放现象。关键字:纳米晶体,铅卤化物钙钛矿,超晶格,纳米晶体耦合,超荧光,量子限制T
隧道光谱已在2D材料的范围内广泛使用,以探索电子 - phonon耦合(自然物理学4,627,2008),以解决电子缺陷状态(Commun Phys 1,94,2018),并调查了共鸣式隧道(Nature Nanotech tunneling(Nature Nanotech 9,808,808,2014,2014,2014年)。此外,在半导体异质结构的传输测量中也观察到了激子(J. Appl。物理。81,6221,1997)。在所有这些研究中,相关状态都被电荷注入激发。另一方面,在我们的工作中,TMD坐在电路外,没有电荷载体注入TMD。
我们提出了一种新的形式主义和有效的计算框架,以研究第一原理的绝缘体和半导体中的自我捕获的激子(Stes)。使用多体伯特盐方程与扰动理论结合使用,我们能够在扰动方案中获得模式和动量分辨的激子耦合矩阵元素,并明确求解电子(孔)的真实空间定位,以及晶状体变形。此外,这种方法使我们能够计算Ste势能表面并评估Ste形成能量并变化。我们使用二维磁性半导体铬铬和宽间隙绝缘子Beo证明了我们的方法,后者具有深色激子,并预测其stokes spriances and Cooherent phonon的产生,我们希望我们能引发未来的实验,例如未来的光发光和瞬时吸收研究。
低维ZnO的材料在过去的几十年中引起了很多关注,因为它们在光电设备中的独特电子和光学支持以及潜在的应用。在本教程中,我们将根据激子和相关的激光过程介绍ZnO薄膜和微型/纳米结构的过去和最新发展。首先,我们简要概述了ZnO的结构和频带特性以及线性光学和激子特性。第二,我们引入了一种以各种形式的ZnO激光的反馈机制,从纳米颗粒到纳米线,纳米丝和薄膜。至于反馈机制,对随机激光,Fabry - PérotLasing和耳语画廊模式激光进行了详细的描述。第三,我们讨论了可能的增益机制,即ZnO中的含量增益和电子血浆(EHP)增益。特殊的兴趣也用于Mott载体密度,这是区分激光和EHP对激光贡献的关键参数。最后,引入了基于ZnO微腔的激子激光的最新发展。