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World File Search SystemFGA
细粒度授权（FGA）：技术底漆
REBAC和PBAC方法包含相似的组件（例如，引擎和模式/语言模型）；但是，它们在评估授权的方式方面有所不同。使用REBAC，访问基于存储在集中式引擎/数据库中的资源之间的关系（图），使公司可以基于诸如层次结构或嵌套关系的唯一关系类型实施授权。
从室温下存储的环中分离出的DNA样品的VWA，FGA和Th01基因座的扩增
简介：发生的犯罪行为行为具有多种模式和动机。此外，罪犯总是试图在犯罪现场隐藏或消除证据。在大多数情况下，警察或法医专家经常在犯罪现场发现DNA。这些物品之一是戒指，这是人类经常穿的物品。方法：本研究使用了24个已戴8小时并在室温下孵育的环样本。然后将所有这24个样品区分为4组，其中每组由6个样品组成，并在0、1、3和7天孵育。DNA鉴定。Results: The mean result of DNA quantification on day 0 (control) was 1020,833 ± 0.28903 ng/μL, day 1 was 546 ± 0.093569 ng/μL, day 3 was 1066.333 ± 0.117372 ng/μL, and day 7 was 1054.083 ± 0.070733 ng/μL.PCR工艺使用了带有基因座VWA，FGA和TH01的STR引物，并且可视化使用了硝酸银方法。结论：最终结果表明，所有样品都可以使用3个str基因座，即VWA，FGA和TH01进行扩增。马来西亚医学与健康科学杂志（2023）19（5）：97-101。 doi：10.47836/mjmhs19.5.14马来西亚医学与健康科学杂志（2023）19（5）：97-101。 doi：10.47836/mjmhs19.5.14
常规与增材制造VHCF断口特征的实验研究
通过增材制造 (AM) 生产的材料与文献极为相关。然而，对于这些材料的疲劳寿命以及 VHCF 模式中主要裂纹的相应起始机制，仍然存在尚未巩固的知识。在通过传统方法生产的材料中观察到的是，疲劳裂纹往往从位于内部或表面下区域的材料固有缺陷处成核。疲劳裂纹演变过程的变化导致在断裂表面形成一种称为“鱼眼”的特征形态。在断裂表面上观察到的另一个普遍现象是在起始点附近形成了一个细颗粒区域 (FGA)。这项工作旨在研究两种不同材料在 VHCF 中的裂纹成核机制：传统钢、DIN 34CrNiMo6 和通过 L-DED 生产的 AISI 316L 不锈钢。超声波测试以 20±0.5 kHz 的频率和 R= -1 进行。获得了 SN 曲线并分析了断裂面，验证了鱼眼和 FGA 的形成。将 FGA 尺寸与经验方程估算的值进行了比较。FGA 和鱼眼尺寸与应力幅值和最大应力强度因子 (SIF) 有关。
fluphenazine提取的影响：镜像研究
fluphenazine decanoate是属于苯噻嗪类抗精神病药类药物的第一代抗精神病药（FGA）剂（最常见的品牌名称）。Fluphenazine于1959年引入（Matar等，2013），并于2018年从爱尔兰和其他国家撤回，这是由于有效的药物成分的制造困难（Movsisyan等，2019）。fluphenazine被许可用作精神病患者，包括精神分裂症，精神分裂症，妄想障碍和双相情感障碍的患者的抗精神病药（Health Products监管机构2018； Siragusa等人，2023年）。在过去的20年中，几种FGA抗精神病药已从生产中撤回，包括最近的perphenazine在其“长效注射（LAI）配方中）（Leucht等，2021）。抗精神病药的最高戒断是硫代嗪（口服配方），因为与心律不齐相关的关注
修改模糊遗传算法：规则生成和缓存的最近邻居策略
摘要：遗传算法（GA）比其他方法（例如梯度下降或随机搜索）更有用，尤其是对于具有许多局部最小值和Maxima的非不同的函数，例如梯度下降或随机搜索。标准GA方法的缺点之一是需要设置许多超参数，并且基于复杂规则而不是更直观的模糊规则，选择压力是基于复杂的规则。通过模糊逻辑调整此类参数的遗传算法的变体，以使参数更新原理更容易解释，构成模糊遗传算法（FGAS）的类别。本文提出了对具有N个特性和自动生成规则的两个相对模糊遗传算法（FGA）的修改，以及旨在改善模拟运行时的计算优化。在基准功能（Ackley，Griewank，Rastrigin和Schwefel）上评估了修改，并且选择了每个修改方法的最佳设置（即成员资格功能，术语数，T-norm和t-conorm）。将结果与标准GA和粒子群优化（PSO）进行了比较。结果表明，FGA方法可以使用缓存和最近的邻居方法进行优化，而不会失去准确性和收敛性。证明这两种修改后的方法在统计学上的表现明显比基线方法差。结果，我们提出了对现有两种算法的两种优化：通过缓存和测试其性能，通过规则生成和最近的邻居估算进行外推。
中胚疾病链接和生物标志物
结果：这项研究中发现了几种生物标志物，以增强我们对CTA的理解。此外，我们的发现揭示了CTA和Ecto-secodermal疾病之间的显着关联，这之前尚未进行广泛探讨。值得注意的是，在发育前和发育后阶段都表达了24个双表达基因，这表明在牙齿完整性，修复和稳态中具有调节作用。代谢组学分析显示，与CTA独特相关的28个上调和17个下调的代谢产物。关键的代谢改变涉及核苷酸代谢，嘌呤代谢，氧化应激和WNT信号传导。高性能代谢物（AUC≥0.90），包括PEG N5（0.99），PEG N6（0.98）（0.98）（0.98），PEG-4（0.97），PEG N7（0.96），PEG N8（0.95），0.94（0.94），咖啡因（0.94），咖啡因（0.94），Hydroxycaproic（0.91）和Alpha-Alpha-Apperyl（0.91）和Alphaa-appArty基因（0.91）（0.91）（0.91）（0.91）（0.91）强大的诊断潜力。CTA患者在对照组中显示292例独特的代谢产物与238例，表明代谢途径改变。蛋白质组学分析鉴定出76个上调和33个下调的基因，并具有关键的生物标志物[SERPINA1（0.92），PZP（0.90），FGA（0.91），TLN1（0.94），FGB（0.95）]，显示AUC-ROC≥0.90。pan-omics融合，然后进行弦分析确定了20个与先天性牙齿发育量信号密切相关的中央集线器基因。
以金属有机骨架为填充物的逆向混合键合
图 29 (a) 每个 I/O 电阻测量的开尔文结构；(b) 键合铜柱的 SEM 横截面 ......................................................................................................... 44 图 30 带 Ru 封盖的 Cu-Cu 键合测试台 ............................................................................. 45 图 31 铜上钌的沉积过程 ............................................................................................. 45 图 32 30 分钟 FGA（合成气体退火）退火后表面 Cu 和 Ru 的百分比 [98] ............................................................................................................. 46 图 33 450°C FGA 退火后，带有针孔的 Ru 表面上的扩散 Cu ............................................................................. 47 图 34 用于研究填充的测试台制造流程 ......................................................................................... 49 (b) 使用 Keyence 7000 显微镜对集成结构进行的顶视图，描绘了顶部芯片上的通孔密度 ............................................................................................................................. 50 图 36 (a) 200 次循环氧化铝 ALD 后扫描 EDX 映射区域的 SEM 图像；(b) 集成结构的顶视图，突出显示了填充覆盖研究区域；(c) EDX 映射结果描绘了铝和氧 pe 的区域 ............................................................................................................................. 51 图 37 200 次循环氧化铝 ALD 后脱粘底部芯片的 FIB 横截面描绘 ............................................................................................................................. 52 图 38 (a) 200 次循环真空清除 ALD 后 EDX 研究的不同区域 - 底部芯片正下方通孔区域（区域 A）、距最近通孔 300 µm 的区域（区域 B）、靠近边缘的区域（区域 C）； (b) 三个 r 中的 Al/Si 比率 ...................................................................................................................................... 52 图 39 (a) 集成结构的对角线切割；(b) 描绘平滑填充区域和无填充的受损区域后集成结构横截面的近视图；(c) 描绘填充高达 300 µm 的横截面的未放大图像 ............................................................................................. 54 图 40 (a) ZIF-8 MOF 化学和结构；(b) 示意图表示 ALD ZnO 和转化为气相沉积 MOF，体积膨胀和间隙填充约为 10-15 倍。 ........................................................................................................................................... 56 图 41 在完全填充芯片到基板间隙后，距离最近通孔 300 µm 的集成结构横截面的 EDX 映射.............................................................................57 图 42 横截面的 SEM 图像显示抛光模具未渗透到通孔和芯片与基板的间隙中，从而使上述结果可信 ............................................................................................. 58 图 43 (a) 测试台示意图，顶部芯片具有通孔 Cu-Cu 键合到底部基板；(b) Cu-Cu 键合测试结构的 SEM 横截面（面 A）；(c) 键合前顶部芯片表面的铜垫/柱（面 B）；(d) 键合前底部芯片表面的带有金属走线的铜柱（面 C） ............................................................................................................................. 59 图 44 20 nm ZnO ALD 后脱键合的底部芯片概览；(b) 通孔下方未沉积填充的区域 ............................................................................................................. 60 图 45 顶部芯片靠近通孔的区域，显示扩散半径为 (a) 572 µm，通孔直径为 240 µm； (b) 75 µm 直径通孔的 364 µm .............................................................. 61 图 46 20 nm ZnO ALD 后的脱粘底部芯片概览，a) 脉冲时间 250 ms 和温度 150°C；(b) 脉冲时间 1 秒和温度 150°C ................................................................................ 62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 ............................................................................................. 63 图 48 (a) 1 个 MOF 循环后脱粘底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表明已完全渗透............................................................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样，显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................................. 65 图 50 (a) 5 个 MOF 填充循环后脱粘底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)
系统评价
迟发性运动障碍（TD）的特征在于涉及面部，口腔和舌头的节奏，重复性，刻板印象运动的阴险发作，经常由于多巴胺受体阻滞剂（DRBA）（例如抗精神病药和抗精神病药物）（例如抗精神病药和抗精神病药）而延伸到躯干和四肢。尚不清楚TD的确切机制，但是次要上调和D2多巴胺受体的敏感性增加，也称为多巴胺超敏假说，可能在其病理生理学中起作用[2]。然而，这可能不是TD的专有原因，其他贡献者包括对基本神经节中γ氨基丁酸（GABA）效应神经元的损害，[3]纹状体中神经元因氧化应激而导致的氧化应激导致的氧化应激导致延长的抗精神病药物和抗抗抑制性型型型肌的氧化应激，并产生的神经元互为神经元。输出导致电机程序错误编码[4]。第二代抗精神病药（SGA）的终生暴露率为13.1％，第一代抗精神病药（FGAS）为32.4％[5]。此外，大约有20％至35％的人被处方抗精神病药，至少三个月遇到TD [6]。TD症状可以显着影响患者的生活质量，并导致严重病例的严重身体残疾[7]。随着SGA的扩展使用用于额外标签和标签外迹象，即使使用更少的FGA处方，TD的趋势也可能继续上升[5]。然而，这种方法可能会使潜在的精神症状恶化或反而恶化的运动障碍[8]。尽管药物开发方面取得了进步，但TD仍然是一个具有挑战性的临床问题，需要评估停止或减少违规药物剂量的选择。囊泡单胺转运蛋白2（VMAT2）主要位于神经元中，在储存单胺，例如多巴胺，5-羟色胺，去甲肾上腺素和组胺等单胺中，在突触前裂口中的囊泡中发挥作用。当抑制VMAT2时，可以防止单胺的释放，并导致可与突触后受体结合的多巴胺量减少[9]。多巴胺在其他神经途径中也起着至关重要的作用。阻塞运动回路中的多巴胺会导致突触后多巴胺受体的过敏性和多巴胺能信号的增加，从而导致与TD相关的异常运动[10]。VMAT2抑制剂，例如丙苯嗪（VBZ）和脱甲苯甲嗪（DTBZ），是迟发性运动障碍的最新颖的疗法[11-15]，已得到食品和药物管理的批准[16，17]。在这里，我们对使用异常非自愿性