摘要:本研究旨在增强农业副产品的增值,以通过溶液铸造技术生产复合材料。众所周知,PLA对水分敏感并在高温下变形,这限制了其在某些应用中的使用。与植物基纤维混合时,弱点是较差的填充 - 马trix界面。因此,通过乙酰化和碱处理在大麻和亚麻纤维上进行表面修饰。将纤维铣削以获得两种颗粒尺寸<75 µm和149–210 µm,并在不同的载荷(0、2.5%,5%,10%,20%和30%)下与聚(乳酸)酸混合,形成复合膜以形成薄膜这些膜的谱图,物理和机械性质。所有薄膜标本都显示出C – O/O – H组,未处理的亚麻填充剂中的π–π相互作用在膜中显示出木质素酚环。注意到,最大降解温度发生在362.5°C。未经处理,碱处理的最高WVP和乙酰化处理的复合材料为20×10 - 7 g·m/m 2 Pa·S(PLA/HEMP30分别为7 g·m/m 2 Pa·S(PLA/HEMP30)。与纯PLA相比,增加填充含量会增加复合膜的色差。碱处理的PLA/亚麻复合材料在2.5或5%的填充物载荷下,其拉伸强度,伸长率和Young的模量显示出显着改善。增加填充物的增加导致吸收的水分显着增加,而水接触角则随着填料浓度的增加而降低。亚麻和大麻诱导的基于PLA的复合膜,载荷为5 wt。载荷显示出更稳定的所有检查特性,并有望提供具有令人满意的性能的独特工业应用。
摘要:使用三价ERBIUM(ER 3+)的使用,通常嵌入固态中的原子缺陷,在电信设备中广泛采用作为掺杂剂,并显示出基于自旋的量子记忆的量子记忆,以实现量子通信。尤其是其天然电信C波段光学转变和自旋 - 光子接口使其成为集成到现有光纤网络中的理想候选者,而无需量子频率转换。然而,成功的缩放需要具有固有核自旋的宿主材料,与半导体铸造工艺的兼容性以及与硅Pho-Pho-Photonics的直接整合。在这里,我们使用铸造型原子层沉积过程呈现二氧化钛(TiO 2)在硅底物上的薄膜生长,并在ER浓度上具有广泛的掺杂控制。即使在氧气退火后生长的膜是无定形的,它们也表现出相对较大的晶粒,并且嵌入的ER离子表现出来自氧化酶TiO 2的特征性光学发射光谱。至关重要的是,这种生长和退火过程保持了纳米光整合所需的低表面粗糙度。最后,我们通过evaneScent耦合与高质量的Si纳米腔腔接头,并展示了其光学寿命的大型purcell增强(≈300)。我们的发现表明,将ER掺杂材料与硅光子学集成在一起的低温,非破坏性和底物独立的过程。关键字:原子层沉积,纳米光子学,稀土离子,Purcell增强,量子记忆F在高掺杂密度下,该平台可以实现集成的光子组件,例如片上放大器和激光器,而稀释浓度可以实现单个离子量子记忆。
摘要:由有机半导体和无机量子点 (QD) 组成的混合物适用于许多光电应用和设备。然而,有机 QD 混合物中的各个组分在薄膜加工过程中很容易聚集和相分离,从而损害其结构和电子特性。在这里,我们展示了一种 QD 表面工程方法,该方法使用与有机半导体主体材料相匹配的电子活性、高溶解度半导体配体来实现分散良好的无机 - 有机混合薄膜,其特征是通过 X 射线和中子散射以及电子显微镜来表征的。这种方法保留了有机相和 QD 相的电子特性,并在它们之间创建了优化的界面。我们在两个新兴应用中对此进行了举例说明,即基于单线态裂变的光子倍增 (SF-PM) 和基于三线态 - 三线态湮没的光子上转换 (TTA-UC)。稳态和时间分辨光谱表明,三线态激子可以以接近 1 的速度高效地跨有机 - 无机界面传输,而有机薄膜在有机相中保持高效的 SF(产率为 190%)。通过改变有机和无机成分之间的相对能量,在 790 nm NIR 激发下观察到黄色上转换发射。总体而言,我们提供了一种高度通用的方法来克服有机半导体与 QD 混合的长期挑战,这对许多光学和光电应用都具有重要意义。■ 简介
随着航空航天,通信和能源存储系统中高功率电子设备的快速发展,巨大的热量频率对电子设备安全构成了越来越多的威胁。与几个微厚度的薄膜相比,高质量的石墨烯厚纤维(GTF)超过数百微米厚度是一个有希望的候选者,可以解决由于较高的热量量,以解决热管理挑战。然而,传统的GTF通常具有较低的导热率和弱的机械性能,归因于板板比对和脆弱的界面粘附。在这里,提出了一种无缝的键合组件(SBA)策略,以使GTF超过数百微米,具有可靠的合并界面。对于厚度为≈250μm的GTF-SBA,平面内和平面导热率分别为925.75和7.03 w m-1 K-1,大约是传统粘合剂组装方法制备的GTF的GTF的两次和12次。此外,GTF-SBA即使在77 k循环到573 K的严酷温度冲击后,也表现出了显着的稳定性,从而确保了其在极端条件下长期服务的环境适应性。这些发现提供了对石墨烯大块材料界面设计的宝贵见解,并突出了高性能石墨烯材料在极端热管理需求中的潜在应用。
随着航空航天,通信和能源存储系统中高功率电子设备的快速发展,巨大的热量频率对电子设备安全构成了越来越多的威胁。与几个微厚度的薄膜相比,高质量的石墨烯厚纤维(GTF)超过数百微米厚度是一个有希望的候选者,可以解决由于较高的热量量,以解决热管理挑战。然而,传统的GTF通常具有较低的导热率和弱的机械性能,归因于板板比对和脆弱的界面粘附。在这里,提出了一种无缝的键合组件(SBA)策略,以使GTF超过数百微米,具有可靠的合并界面。对于厚度为≈250μm的GTF-SBA,平面内和平面导热率分别为925.75和7.03 w m-1 K-1,大约是传统粘合剂组装方法制备的GTF的GTF的两次和12次。此外,GTF-SBA即使在77 k循环到573 K的严酷温度冲击后,也表现出了显着的稳定性,从而确保了其在极端条件下长期服务的环境适应性。这些发现提供了对石墨烯大块材料界面设计的宝贵见解,并突出了高性能石墨烯材料在极端热管理需求中的潜在应用。
这项工作引入了简化的沉积程序,用于多维(2D/3D)钙钛矿薄膜,在形成3D perovskite时,将氯化苯乙林(PEACL)处理整合到反提供的步骤中。这种同时沉积和钝化策略减少了合成步骤的数量,同时稳定卤化物钙钛矿纤维,并将所得太阳能电池设备的光伏性能提高到20.8%。使用多模式原位和其他原位特征的组合,证明PEACL在钙钛矿纤维纤维形成过程中的引入减慢了晶体生长过程,从而导致晶粒尺寸较大,从而导致较大的晶粒尺寸和较窄的晶粒尺寸,从而减少晶粒边界处的载载流量,并提高设备的性能和设备的性能和稳定性。数据表明,在退火过程中,PEACL差用于膜的表面,形成疏水(Quasi)2D结构,可保护大部分钙钛矿纤维中的perove胶剂免受湿度诱导的降解。
摘要:由有机半导体和无机量子点 (QD) 组成的混合物适用于许多光电应用和设备。然而,有机 QD 混合物中的各个组分在薄膜加工过程中很容易聚集和相分离,从而损害其结构和电子特性。在这里,我们展示了一种 QD 表面工程方法,该方法使用与有机半导体主体材料相匹配的电子活性、高溶解度半导体配体来实现分散良好的无机 - 有机混合薄膜,其特征是通过 X 射线和中子散射以及电子显微镜来表征的。这种方法保留了有机相和 QD 相的电子特性,并在它们之间创建了优化的界面。我们在两个新兴应用中对此进行了举例说明,即基于单线态裂变的光子倍增 (SF-PM) 和基于三线态 - 三线态湮没的光子上转换 (TTA-UC)。稳态和时间分辨光谱表明,三线态激子可以以接近 1 的速度高效地跨有机 - 无机界面传输,而有机薄膜在有机相中保持高效的 SF(产率为 190%)。通过改变有机和无机成分之间的相对能量,在 790 nm NIR 激发下观察到黄色上转换发射。总体而言,我们提供了一种高度通用的方法来克服有机半导体与 QD 混合的长期挑战,这对许多光学和光电应用都具有重要意义。■ 简介
摘要蚊子传播的疾病在全球范围内构成了重大的公共卫生威胁,需要有效的预防策略。用于预防蚊子咬合的传统化学药物通常会带来环境和健康风险。在这篇综述中,我们探讨了基于石墨烯的膜作为保护蚊子叮咬的一种非化学方法的潜力。这篇评论的目的是评估多层石墨烯膜在防止蚊子叮咬并探索其对公共卫生的实际影响的有效性。通过实验研究,研究人员发现,干多层石墨烯膜有效地阻断了蚊子检测皮肤或汗水化学物质的能力,从而防止了蚊子叮咬。此外,这些薄膜可以用作蚊子喂养机制的物理障碍。这些发现表明,石墨烯膜在人类皮肤和智能织物的保护性技术中的有希望的应用。石墨烯的无毒性质和易用性使其成为化学驱虫剂的有吸引力替代品。实施基于石墨烯的膜预防蚊子的薄膜可能会减少蚊子传播疾病的传播,从而解决关键的公共健康问题。总而言之,这篇评论强调了石墨烯膜作为预防蚊子咬合的非化学方法的潜力。未来的研究应着重于评估石墨烯膜的长期有效性和安全性,为开发创新技术铺平了道路,这些技术利用石墨烯可以保护蚊子叮咬并减轻传染病的传播。
摘要:Niobate锂是一种无铅材料,由于其出色的光学,压电和铁电特性,它引起了极大的关注。这项研究通过SI底物上的多晶Linbo 3膜的创新溶胶 - 凝胶/自旋涂层方法致力于合成。合成了一个新型的单源杂质杂物前体,其中包含锂和niobium,并应用于溶胶 - 凝胶合成。已经通过减弱的总反射,X射线光电光谱,热重分析和差异扫描量热法测试了前体的结构,组成和热特性。linbo 3膜从结构的角度来表征,X射线衍射和拉曼光谱法结合。现场发射扫描电子显微镜,能量色散X射线分析和X射线光电子光谱已用于研究沉积膜的形态和组成特性。
用光滑表面上的Si底物上的含铅锆酸钛酸盐(Pb(Zr X Ti 1-X)O 3)(PZT)化合物会为硅光子设备提供关键技术。为了在Si基板上集成PB(Zr X Ti 1-X)O 3的质量至关重要。在这里,我们使用改良的分子束外延工具应用了物理蒸气沉积技术,以将钙钛矿Pb(Zr X Ti 1-X)O 3放置在SI和PT底物上。我们开发了一种在SI底物上种植无裂纹PZT膜的方法。制造程序需要将TIO 2用作缓冲层,并在氧气大气下退火后退火。横截面扫描电子显微镜图像使得鉴定了两个不同的层:PZT和TIO 2,这也通过光谱椭圆法证实。X射线衍射模式表明从菱形hed中心到四方相的过渡以及Pb的钙钛矿相的形成(Zr 0.44 Ti 0.56)O 3。