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全集成拓扑电子器件
拓扑绝缘体 (TI) 因其独特的物理特性和广阔的应用前景而在光子学和声学领域引起了广泛关注。由于电子学在构建复杂拓扑结构方面具有优势，它最近成为研究各种拓扑现象的一个令人兴奋的领域。在这里，我们利用标准的互补金属氧化物半导体技术在集成电路 (IC) 平台上探索 TI。基于 Su–Schrieffer–Heeger 模型，我们设计了一个完全集成的拓扑电路链，该电路链使用多个电容耦合电感电容谐振器。我们对其物理布局进行了全面的布局后模拟，以观察和评估显着的拓扑特征。我们的结果证明了拓扑边缘状态的存在以及边缘状态对各种缺陷的显着鲁棒性。我们的工作展示了使用 IC 技术研究 TI 的可行性和前景，为未来在可扩展 IC 平台上探索大规模拓扑电子学铺平了道路。
1 完全 3D 打印有机电化学晶体管 ...
Matteo Massetti 1、Silan Zhang 1,2、Harikesh Padinare 1、Bernhard Burtscher 1、Chiara Diacci 1、Daniel T. Simon 1、Xianjie Liu 1、Mats Fahlman 1,2、Deyu Tu 1、Magnus Berggren 1,2、Simone Fabiano 1,2 * 1 林雪平大学科学技术系有机电子实验室，瑞典诺尔雪平 SE-601 74。电子邮件：simone.fabiano@liu.se 2 林雪平大学瓦伦堡木材科学中心，瑞典诺尔雪平 SE-601 74。关键词：3D 打印、油墨配方、OECT、有机混合离子电子导体摘要
生物学与化学学院的土壤分子微生物科学与工程学院的全额资助
科学，瑞安学院的申请邀请了合格的合格候选人，从2024年9月开始，从2024年9月开始，隶属于科学与工程学院，生物学与化学科学学院，瑞安大学瑞安学院。与盖尔韦大学的Alexandre de Menezes博士（分子微生物生态学和土壤微生物学）组合获得了一项完整的4年博士学位奖学金。作为该项目的一部分，将分析影响土壤一氧化二氮排放的微生物过程。该项目将包括分子生态技术，DNA和RNA测序，分析化学（气相色谱和质谱法）和机器学习方法。项目描述。农业土壤是温室气体（GHG）排放的重要来源。要控制农业温室气体排放，必须了解产生它们的生物学过程。该项目将研究一个被忽视的过程，该过程会影响土壤微生物氮循环，这是有效的温室气体氧化二氮的主要来源之一。我们的长期视野是利用土壤的自然硝化抑制过程，以减轻土壤一氧化二氮，并支持低排放，可持续农业。博士生将与博士后研究员和研究助理紧密合作。生活津贴（津贴）：€22,000欧元每年的大学费：学费将支付4年。成功的候选人将进行土壤缩影实验，并使用分子生物学，微生物组测序，射击枪宏基因组学和元文字组学来表征土壤气体与土壤碳和氮气循环之间的关系。开始日期：2024年9月至2024年10月（可以协商）。学术入学要求：生物学，微生物学，生物化学，环境科学，生态学或相关领域的BSC和/或MSC。候选人必须具有良好的学术英语写作和口语能力。对宏基因组学，生物信息学，机器学习和环境可持续性的强烈兴趣将是一个优势。申请奖学金：请发送您的简历，一份利益声明，包括先前的研究经验的摘要（最多1页），成绩单的副本和至少两名裁判的联系方式到Alexandre.demenezes@universityofgalway.ie。联系人名称：Alexandre de Menezes博士。联系电子邮件：Alexandre.demenezes@universityofgalway.ie。应用程序截止日期：12/07/2024 at 23:59
EPX-4400- 全数字 - 非洲医疗
Super CCD 490 系列内窥镜提供最新的数字成像和先进的操作功能，可提供市场上最精确的手术结果。这种完全数字化的内窥镜平台在高分辨率和放大成像方面树立了新的行业标准，直径非常小。所有内窥镜均采用人体工程学设计，可减轻医生的压力，并增强功能以提高手术效率。这种独特的内窥镜系统为患者诊断和治疗创造了全新的机会。
完全人类的单克隆抗体靶向大肠癌细胞上激活的ADAM10
*相应的作者。sahan@mskcc.org（N。Saha），nikolovd@mskcc.org（d.b.Nikolov）。信用撰稿人贡献声明Nayanendu Saha：概念化，方法论，调查，验证，写作 - 审查和编辑。du-san Baek：方法，调查，数据策划，验证。Rachelle P. Mendoza：资源，数据策划，调查。Dorothea Robev：调查，方法论。Yan Xu：调查，方法论。 Yehuda Goldgur：方法，软件，验证。 M. Jason de la Cruz：资源，数据策划。 Elisa de Stanchina：监督，方法论，调查。 Peter W. Janes：正式分析。 Kai Xu：方法，软件，验证。 Dimiter S. Dimitrov：监督，正式分析，资金获取。 Dimitar B. Nikolov：正式分析，资金获取，写作 - 原始草案，监督，项目管理，验证。Yan Xu：调查，方法论。Yehuda Goldgur：方法，软件，验证。M. Jason de la Cruz：资源，数据策划。Elisa de Stanchina：监督，方法论，调查。Peter W. Janes：正式分析。Kai Xu：方法，软件，验证。 Dimiter S. Dimitrov：监督，正式分析，资金获取。 Dimitar B. Nikolov：正式分析，资金获取，写作 - 原始草案，监督，项目管理，验证。Kai Xu：方法，软件，验证。Dimiter S. Dimitrov：监督，正式分析，资金获取。Dimitar B. Nikolov：正式分析，资金获取，写作 - 原始草案，监督，项目管理，验证。
机器学习完全自动化的正畸照片分析
简介：颅面人体测量比在牙科，颌面外科，发育研究和整形外科等科学中非常有用。分析面部照片的手动方法需要大量时间和精度。这项研究的目的是引入一种应用工具，该工具完全自动化面部照片的分析并将其与手动方法进行比较。材料和方法：在这项横断面研究中，数据库由395张个人资料照片，271张微笑的额叶照片和346张额叶照片组成。使用具有里程碑意义的两阶段完全卷积网络体系结构。在测量8个变量的测量中比较了两种手动和自动分析方法，包括颊走廊空间，中间的高度与面部下部的高度的比率，总面部凸角，面部凸角，鼻腔侧面角度，刺激性角度，刺激性角度和鼻孔角度。使用配对t检验和类内相关系数（ICC）评估两种方法之间的一致性。p <0.05的值被认为是显着的。结果：对于总面部凸度（p = 0.005），鼻叶（p = 0.001）和鼻labial（p = 0.02）角，两种方法之间的差异很大。然而，两种面部凸，刺，鼻孔，鼻孔，颊走廊空间的两种方法之间没有发现显着差异，并且中间的高度与面部下部的高度之比没有两种方法之间的显着差异。除了鼻角角外，所有变量的ICC大于0.69。对于大多数测量变量，自动方法的准确性与手动方法相似。结论：机器学习有可能用于临床软组织分析。它提供了在大图像数据集上执行可靠且可重复分析的能力。关键字：正畸，面部，摄影，机器学习引用了本文：Soleiman Mezerji M，Sheikhzadeh S，Mirzaie M，Gholinia H.通过机器学习完全自动化的正畸照片分析。caspian j dent res 2023; 12：70-81。©作者。出版商：Babol医学科学大学
硅上的完全垂直gan p-i-n二极管
esearchers from France's Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) and Siltronic AG in Germany claim the first demonstration of high-current operation (above 10A) for vertical gallium nitride (GaN)-based devices on silicon substrates [Youssef Hamdaoui et al, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.72（2025），否。1（1月），P338]。 团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。 这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构 “伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。 虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。 结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。 完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。 在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。 通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。 一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。 另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。1（1月），P338]。团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构“伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。根据电化学电容 - 电压（ECV）测量值，漂移层中的硅掺杂浓度为3x10 16 /cm 3，净离子化电子密度为9x10 15 /cm。较厚的漂移层应承受更高的电压，但要以更高的抗性为代价。在弱梁暗场模式下使用透射电子显微镜（TEM）的检查确定螺纹位错密度〜5x10 8 /cm 2。霍尔效应测量值的漂移层迁移率为756cm 2 /v-s。P-I-N二极管是制造的，从用作边缘终止的深斜角台面开始。通过血浆反应离子蚀刻（RIE）和电感耦合等离子体（ICP）蚀刻进行深度蚀刻。边缘终止的目的是将电场散布在交界处，并减少泄漏。
CPCPLAB011自身免疫性疾病生物标志物测试有效01/01/2025
Percutaneous transcatheter therapeutic drug delivery by intracoronary drug-delivery balloon (eg, drug- coated, drug-eluting) performed on a separate target lesion from the target lesion treated with balloon angioplasty, coronary stent placement or coronary atherectomy, including mechanical dilation by nondrug-delivery balloon angioplasty, endoluminal imaging using进行血管内超声（IVUS）或光学相干断层扫描（OCT）（OCT）进行时，成像监督，解释和报告，单个主要冠状动脉或分支（除了经皮冠状动脉支架或动脉粥样硬化术干预外，单独的列表）
