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Hubbard在BA2GDEREO6属性上的参数infflience，...
在本文中，对复合双钙钛矿BA 2 GDREO 6进行了详尽的研究，包括其结构，电子，磁性和热电特性。这项研究基于密度功能理论，并更明确地基于在不同近似值和相关电位等不同近似值的背景下的全部潜在线性化的增强平面波（FP-LAPW），例如：广义梯度近似（GGA）及其becke-becke-becke-Johnson方法通过Trans-blahaa（TB-MBJ）（tb-mbj）进行了更好的方法，以 + ablaha（tb-mbj）（tb-mbj）（tb-mbj）的距（其中u是哈伯德校正项）。在分析获得的结果后，事实证明，双钙钛矿材料BA 2 GDREO 6是一种铁磁材料，具有半金属特征，此外，该化合物的积分磁矩为9 µ b，符合Slater-papauling的规则。来自对绘制不同参数的曲线的研究，例如：seebeck系数，每次放松时间σ/τ，每个放松时间的电导率，每次放松时间ke/τ的电子导热率，以及根据GGA+U近似的效果，该效果是e+u a的功能。鉴于Seebeck系数的高值以及电导率的高值以及接近unity的值，GDREO 6在中等温度范围内呈现热电性能，因此，该化合物可用于温度范围（中等至高）的热电应用。
Refi Rizqi RAMADIAN、Sheilla Ayu RAMADHANI、I Gde Witha...
底图覆盖范围有限一直是印尼加快土地登记进程的障碍之一。这一限制是由现有制度造成的，既有限制提供空间数据自由的监管制度，也有加速条件，即下游土地数据生产水平已经很高，而作为初始支持数据的底图数据生产尚无法大量提供。在发展过程中，土地底图在方法论和数据来源方面经历了调整（见图 1）。这种方法论的变化也影响了数据管理文化的变化，从以前管理的模拟地图（因为地图是硬拷贝地图）发展到数字数据——尤其是在 2020 年宣布数字化转型之后。
激光3D打印熔融生长Al 2 O 3 /GdAlO 3 /ZrO 2 共晶陶瓷中氧空位的形成机理及作用
摘要：激光三维打印已成为基于熔体生长制备高性能Al 2 O 3 基共晶陶瓷的重要技术，但氧空位是该过程中不可避免的晶体缺陷，其形成机理和在沉积态陶瓷中的作用尚不清楚。本文采用激光3D打印制备Al 2 O 3 /GdAlO 3 /ZrO 2 三元共晶陶瓷，通过精心设计的退火实验揭示了氧空位的形成机理，并研究了氧空位对凝固态共晶陶瓷结构和力学性能的影响。揭示了氧空位的形成是由于氧原子通过空位迁移机制从氧化物陶瓷中转移到缺氧气氛中，此外，氧空位的存在对增材制造共晶陶瓷的晶体结构和微观结构没有明显影响。然而这些晶体缺陷的形成会在一定程度上改变陶瓷材料的化学键性质，从而影响沉积态共晶陶瓷的力学性能。研究发现，去除氧空位后，陶瓷材料的硬度降低了3.9%，断裂韧性提高了13.3%。该结果可为调控氧化物陶瓷材料的力学性能提供一种潜在的策略。关键词：氧化物共晶陶瓷；激光3D打印；氧空位；微观结构；力学性能
更新 BIPM 比较 BIPM.RI(II)-K1.Gd-153 ...
表 B1 显示了 KCDB 中将出现的所有等价度矩阵。应当注意，为了与 KCDB 保持一致，使用了简化的命名法，将 A e i 替换为 x i 。介绍性文字是为进行比较而商定的文字。表 5 中的结果图对应于相对于 KCRV（在 KCDB 中标识为 x R ）的等价度，如图 C1 所示。该图形表示部分表明了 NMI 之间的等价度，但显然没有考虑到不同 NMI 之间的相关性。应当注意，本文中的最终数据虽然在发表时是正确的，但随着 NMI 进行新的比较，它们将变得过时。CIPM MRA [ 2 ] 下的正式结果是 KCDB 中可用的结果。
Gdańsk技术大学战略框架2020 您是战略思想家吗？
各种各样的措施有助于实现我们的目标。我们改变了GdańskTech的组织结构，并增强其对社区驱动解决方案的灵活性和开放性。为在我们的优先研究领域提供了前所未有的支持。我们全心全意地努力巩固Gdańsk大学。与格达斯克医科大学和格式大学一起，我们在格达斯克（华氏大学）建立了华氏大学联盟，这是建立大学三等校长华氏大学的第一步。我们正在设计和实施旨在吸引才华横溢的学生，博士生和研究人员的运营级别计划。我们深入发展并介绍了教学的最新和创新方法，并加强了研究的国际化。
dyco5，co32fe68和gd27fe73薄膜从直流到40 thz
将电子自旋纳入电子设备是旋转的核心思想。[1]这个不断增长的研究领域最终旨在在Terahertz（THZ）速率上产生，控制和检测自旋电流。[2]要实现这种高速自旋操作，旋转轨道相互作用（SOI），尽管很弱，但它起着关键作用，因为它将电子的运动与旋转状态相结合。[3]从经典的角度来看，SOI可以理解为旋转依赖性的有效磁场，该磁场会在相反的方向上偏转转移旋转和旋转传导电子（见图1 A）。SOI的重要后果是旋转厅效应（SHA）[4]及其磁反部分，即异常效果（AHE）。[5,6]在带有SOI的金属中，她将电荷电流转换为横向纯自旋
DyCo 5 、Co 32 Fe 68 和 Gd 27 Fe 73 薄膜中频率无关的太赫兹异常霍尔效应（从 DC 到 40 THz）
将电子自旋融入电子设备是自旋电子学的核心思想。[1] 这一不断发展的研究领域的最终目标是产生、控制和检测太赫兹 (THz) 速率的自旋电流。[2] 为了实现这种高速自旋操作，自旋轨道相互作用 (SOI) 虽然很弱，但却起着关键作用，因为它将电子的运动与其自旋态耦合在一起。[3] 从经典观点来看，SOI 可以理解为自旋相关的有效磁场，它使同向传播的自旋向上和自旋向下的传导电子偏向相反的方向（见图 1a）。SOI 的重要结果是自旋霍尔效应 (SHE) [4] 及其磁性对应物反常霍尔效应 (AHE)。[5,6] 在具有 SOI 的金属中，SHE 将电荷电流转换为横向纯自旋
Gd@C82 内嵌富勒烯的胺化
近来，量子信息处理（QIP）已被证明能够在密码学10，11和数据库搜索方面提供有效的解决方案。12分子自旋作为构建块的多功能性，正成为QIP领域的竞争性材料。13基于分子磁体的“量子位”的高自旋态符合Leuenberger和Loss提出的Grover算法的要求。14该提案要求自旋系统拥有非等距能级和足够长的量子相位记忆时间。磁配位化合物的设计将使我们有机会精细控制量子相干性和构建量子门。15然而，这些条件之间存在显著的矛盾，因为各向异性高自旋系统与环境的强耦合很容易破坏其量子相干性。解决该问题的一种可能方案是使用具有高自旋基态和小各向异性的稀土离子。内嵌富勒烯的核壳结构可以满足 QIP 的要求，16,17 并且与其他基于分子的量子比特相比表现出更好的性能。各种顺磁性内嵌富勒烯表现出一些特殊现象，包括量子比特交叉现象 18 和不同的 Rabi 循环。19