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实现高密度电流、轴向晶体技术、提高输出性能的轴向晶体技术。关于“减轻结构发热影响的高散热技术”的三大要素技术。我们就是从这个时候开始进行基础研究的。在该计划的最后一年，结合了基本技术来演示一种设备，其目标是使产量比传统技术增加一倍。 结果，我们完成了图1所示的所有开发项目，并创建了结合了各种基本技术（例如使用金刚石基板的散热技术）的原型设备（图2）。此外，我们还演示了功率放大器在超过传统 AlGaN/GaN-HEMT 结构的电压下运行，并实现了约传统结构三倍的创新输出密度。 此外，在这项研究中，我们利用 In 基 HEMT（高电子迁移率晶体管）结构展示了毫米波和微波频段的世界最高输出密度。
FBS-GAM02-P-R50
EPC Space FBS-GAM02-P-R50 系列抗辐射多功能电源模块采用 eGaN ® 开关功率 HEMT，设计用于商业卫星空间环境。这些模块包括两个输出功率开关、两个高速栅极驱动电路（完全由 eGaN ® 开关元件组成）、两个带防直通逻辑的功率肖特基二极管钳位元件（用于半桥连接）和一个 +5 V DC 栅极驱动偏置“电源良好”监控电路，采用创新、节省空间的 18 针 SMT 模塑环氧封装。数据表参数保证“辐射后效应”，采用 EPC Space 100% 逐晶圆 eGaN ® 元件抗辐射强度保证验证材料。电路设计符合美国专利 #10,122,274 B2。商业评级 9A515.x 设备。
使用 S 参数提取封装的 GaN 功率晶体管寄生参数
摘要 — 为了更好地预测功率转换器中晶体管的高频开关操作，必须准确评估这些器件的接入元件，如电阻和电感。本文报告了使用 S 参数对氮化镓 (GaN) 封装功率晶体管进行特性分析，以提取源自欧姆接触和封装的寄生效应。在封装晶体管时，使用在 FR4 印刷电路板 (PCB) 上设计的特定测试夹具设置校准技术，以便从测量的参数中获取晶体管平面中的 S 参数。所提出的方法基于改进的“冷 FET”技术和关断状态测量。它应用于市售的增强型 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）。将提取的寄生元件与器件制造商提供的参考值进行比较。还评估了结温对漏极和源极电阻的影响。最后，提出了这些寄生效应的电热模型。
铁疗法：高流动和高速全外ALSCN/gan铁电晶体管
摘要 - 我们报告了ALSCN屏障宽带氮化物晶体管中铁电盖的首次观察。通过直接外观生长生长所实现的这些铁热型装置，其中一类新的铁电晶体管本身是极性的，其中半导体是极性的，并且结晶铁电屏障与底物搭配。迄今为止，此处报道的铁热室使用最薄的氮化物高和铁电屏障，以在4 A/mm处提供最高的电流，以及在任何铁电晶体管中观察到的最高速度ALSCN晶体管。ferrohemts hysteric i d-v gs环，阈值斜率低于玻尔兹曼的极限。对照ALN屏障Hemt既不表现出滞后，也不表现出子螺栓行为。这些结果将第一个外延高K和铁电屏障技术引入了RF和MM-Wave电子设备，但它们也引起了人们的兴趣，它是将数字电子中记忆和逻辑功能相结合的新材料平台。
用于 110 GHz 以上高功率单片集成电路的 SiC 基板集成波导
摘要 — 在 SiC 晶片上设计、制造和测量了不同几何形状的基片集成波导 (SIW)，以及基于 SIW 的谐振器、基于 SIW 的滤波器、接地共面波导 (GCPW)、GCPW-SIW 过渡和校准结构。使用两层校准从 GCPW 探测的散射参数中提取固有 SIW 特性。由此产生的 D 波段 (110-170 GHz) SIW 表现出创纪录的低插入损耗 0.22 ± 0.04 dB/mm，比 GCPW 好四倍。3 极滤波器在 135 GHz 时表现出 1.0 dB 的插入损耗和 25 dB 的回波损耗，这代表了 SiC SIW 滤波器的最新水平，并且比 Si 片上滤波器好几个数量级。这些结果显示了 SIW 有望在同一 SiC 芯片上集成 HEMT、滤波器、天线和其他电路元件。关键词 — 腔体谐振器、微波滤波器、毫米波集成电路、半导体波导
砷化镓器件的可靠性
过去几年中，砷化镓 (GaAs) 晶体管和集成电路在太空和军事领域的应用大大扩展。开发这种化合物半导体的主要原因是 GaAs 器件可以在更高频率下工作，并且比硅器件具有更高的抗辐射能力。然而，目前硅技术在可靠性方面仍然占有相当大的领先地位。硅优越可靠性的基础是与生俱来的，在于其氧化物的性质，这种氧化物可以在受控条件下生长，并具有更好的保护性能。不幸的是，GaAs 的氧化物不具备这些品质。我们对市售 GaAs 信号晶体管进行可靠性研究的目的是独立评估它们在星载射频 (RF) 系统（如 X 波段发射器和 S 波段信标接收器）中的使用成熟度。具体来说，在本文中，我们报告了对高电子迁移率晶体管 (HEMT)、信号金属半导体场效应晶体管 (MESFE T)、功率 MESFET 和数字过程控制监控设备的评估。为了帮助读者理解 GaAs 技术，
使用原位光发射光谱法了解溅射沉积亚稳态铁电纤锌矿 Al0.6Sc0.4N 薄膜的可重复性
随着相关应用领域的扩大，人们对 AlN 基 III 族金属氮化物半导体合金（如 (Al,Ga)N 和 (Al,In,Ga)N）的关注度也与日俱增。首先，人们之所以对它们感兴趣，是因为它们具有可调特性，可用于发光二极管 (LED) 和其他光电应用 [1]，并且具有宽带隙 (WBG) 半导体特性，可用于射频 (RF) 和电力电子应用中的高电子迁移率晶体管 (HEMT)。[2] 2009 年，首次有报道称在 AlN 中添加钪可显著提高压电响应 [3]，并很快被用于压电薄膜器件，如手机中的薄膜体声波谐振器 (FBAR)。 [4] 最近有关 Al 1-x Sc x N（x ≥ 0.1）的铁电性的报道，作为第一种纤锌矿铁电材料，引起了进一步的科学兴趣[5,6]，也引起了作为混合逻辑存储器设备候选者的重大技术兴趣。
III 族氮化物InAlN 半导体异质结研究进展
由于在高频和高功率固态微波电源设备中的巨大潜在应用，基于GAN的高电子迁移式晶体管（HEMTS）在过去的二十年中引起了很多关注，并且在实现市场商业化方面取得了巨大进展。为了进一步提高设备性能，尤其是在高压，高级材料和设备制造过程中，提出了新颖的设备结构和设计的高操作频率和设备可靠性。在提出的方法中，由于其独特的优质材料特性，基于Inaln的晶格匹配的异质结构可能成为下一个下摆的首选。在本文中，结合了III III化合物半导体材料和设备领域的相对研究工作，我们简要综述了基于Inaln基于Inaln的异质结构半导体组合的艺术状态的进展。基于对基于INALN的异质结构的外延生长的分析，我们讨论了提出的脉冲（表面反应增强）金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）的优势和成就，用于INALN/GAN异质结构的外交。
GaAs MESFET 及相关工艺
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来，GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的较新的器件结构，例如 HEMT 和 HJBT。此外，GaAs 和相关化合物具有令人兴奋且经过验证的功能，可以产生、检测并将光转换为电信号。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET，它也被广泛用作分立形式的低噪声放大器、混频器、振荡器和高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。本文回顾了各种技术进步，如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化，这些技术进步有助于进一步提高工作频率、低噪声和高功率输出。最后，还介绍了 CEERI 制造的一些代表性设备结果。
GaAs MESFET 及相关工艺
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来，GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产已在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的 HEMT 和 HJBT 等较新的器件结构的出现。此外，GaAs 和相关化合物还具有产生、检测和将光转换为电信号的令人兴奋的和经过验证的能力。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET，它也被广泛用作低噪声放大器、混频器、振荡器和离散形式的高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。回顾了各种技术进步，如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化，这些技术进步有助于进一步提高工作频率、降低噪音和高功率输出。最后，还介绍了中国电气与电子研究所制造的一些代表性器件结果。