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蓝宝石底物方向对III-硝化物的范德华的外观对2D六边形硝酸盐的影响：对光电设备的影响
Phuong Vuong，Suresh Sundaram，Vishnu Ottapilakkal，Gilles Patriarche，Ludovic Largeau等。蓝宝石底物方向对III-硝酸盐的范德华外观对2D六边形硝酸硼的影响：对光电设备的影响。ACS应用的纳米材料，2022，5（1），pp.791-800。10.1021/acsanm.1c03481。hal-04460183
利用分子束外延自生长的六方锗...
图 1：(a) GaAs 核（蓝色）- Ge 壳（红色）NW 示意图，具有受控晶相：纤锌矿 (WZ)、闪锌矿 (ZB)，具有堆垛层错 (SF) 区域。通过 RHEED 原位监测样品，以获得有关 GaAs/Ge NW 晶体结构的实时信息。在 WZ GaAs 生长期间（b）29 分钟（c）35 分钟和六方 Ge 生长期间（d）3 分钟（e）10 分钟，沿 [1-10] 方位角记录的 RHEED 图案。WZ 点以白色箭头突出显示。(f) 45° 倾斜 SEM 图像（二次电子对比度）显示 GaAs/Ge NW。比例尺为 1 m。
六方氮化硼中量子发射器的双光子干涉
最近在二维材料中发现的量子发射器为量子信息集成光子器件开辟了新的前景。这些应用中的大多数都要求发射的光子是不可区分的，而这在二维材料中仍然难以实现。在这里，我们研究了利用电子束在六方氮化硼中产生的量子发射器的双光子干涉。我们在非共振激发下测量了 Hong-Ou-Mandel 干涉仪中零声子线光子的相关性。我们发现发射的光子在 3 纳秒的时间窗口内表现出 0.44 ± 0.11 的部分不可区分性，这对应于考虑不完美发射器纯度后的校正值 0.56 ± 0.11。 Hong-Ou-Mandel 可见度与后选择时间窗口宽度的相关性使我们能够估计发射器的失相时间约为 1.5 纳秒，约为自发辐射设定的极限的一半。使用 Purcell 效应和当前的 2D 材料光子学，可见度可达到 90% 以上。
石墨烯/六角形的粘附和重建...
Table 1: 1L-G/1L-hBN stacking configurations and corresponding equilibrium separations, BEs, and breathing-mode (out-of-plane zone-center optical phonon) frequencies, obtained by fitting Equation 1 to DMC energy data obtained with both layers forced to adopt the lattice constant of G. C, B, and N atoms are shown as black, orange, and green balls, respectively.六边形sublattices A和B在配置中标记。I.偏移ℓ是从相应的B-N键中心的每个C-C键中心的平面位移。a 1和2是晶格向量，如图1b所示。由于在每种情况下使用相同的DMC 1L能量，因此不同配置的DMC平衡是相关的；因此，差异比绝对BES上的误差线所建议的更精确。相对BES的错误显示在表2中。
基于硝酸氢硼的光子量子技术
摘要：由于其二维性质及其在其较大的带隙内的托管缺陷的能力，六角硼硝酸盐正在迅速成为光子量子技术的平台，作为光子量子技术的平台，可以充当室温单个单光子发射器。在本审查论文中，我们概述了（1）硝化氢硼的结构，性质，生长和转移； （2）通过与从头算的计算相比，在光子量子技术中的应用计算中，颜色中心的颜色中心和缺陷分配； （3）用于颜色中心的电气调整和电荷控制的异质结构设备，构成了Photonic量子技术设备的基础。这篇评论的目的是为读者提供基于六角硼的光子量子量子技术的缺陷工程和装置制造进度的摘要。
碳材料的一般掺杂化学 - UTS的作品
六角硼硝化硼（HBN）作为固态，范德华的载体寄主是芯片量子光子光子学的单个光子发射器的宿主。在436 nm处发射的B-中心缺陷特别引人注目，因为它可以通过电子束照射产生。然而，发射极生成机制尚不清楚，该方法的鲁棒性是可变的，并且仅成功地应用于HBN的厚层（≫10 nm）。在这里，它用于原位时间分辨的阴极发光（CL）光谱法来研究B-中心产生的动力学。表明，B中心的产生伴随着在≈305nm处的碳相关发射的淬灭，并且这两个过程都是由HBN晶格中缺陷的电气迁移来限制的。它确定了限制发射极生成方法的效率和可重复性的问题，并使用优化的电子束参数和HBN预处理和后处理处理的组合来解决它们。在HBN液体中达到了B-Center量化的量子，以8 nm的形式阐明了负责电子束在HBN中的电子束重组的机制，并获得了识别b-Center量子量子量子发射机原子结构的识别的洞察力。
HBN缺陷数据库：六角硼硝酸盐中颜色中心的理论汇编
摘要：由于量子技术在量子技术中的潜在应用，六角形氮化硼（HBN）的颜色中心已成为经过深入研究的系统。已经制造出了各种各样的缺陷，但是对于许多缺陷而言，原子来源仍然不清楚。缺陷的直接成像在技术上非常具有挑战性，特别是因为在衍射有限的位置，有许多缺陷，然后必须识别出光学活动的缺陷。另一种方法是将光物理特性与理论模拟进行比较，并确定哪个缺陷具有匹配的签名。已经证明，单个属性不足，导致错误弥补。在这里，我们发布了一个基于功能理论的密度可搜索的在线数据库，涵盖了HBN缺陷的电子结构（257个三重态和211个单元配置），以及它们的光物理指纹（激发态态寿命，量子效率，过渡偶极时间和方向和方向，极化可见度等）。所有数据都是开源的，可以在https://h-bn.info上公开访问，并且可以下载。可以输入实验观察到的缺陷签名，数据库将输出可能的候选物，可以通过输入尽可能多的观察到的属性来缩小候选物。数据库将不断更新，并具有更多的缺陷和新的光物理属性（任何用户也可以专门要求）。因此，数据库允许一个人可靠地识别缺陷，还可以研究哪些缺陷对于磁场传感或量子存储器应用可能有希望。
热导电六边形氮化硼/聚合物复合材料有效热传输
k -1。六角硼硝化硼（H-BN）木制的含量是有望用于下一代电子热管理的热导电材料。这些电绝缘但热导导的H-BN平流可以作为热填料掺入，以将高𝜿赋予聚合物基于聚合物的复合材料。嵌入了几层H-BN（FLH-BN）植物的基于纤维素的复合材料，实现了使用成本效率和可伸缩程序制备的A liby21.7 W m-1 K-1。该值比在嵌入了大量H-BN的复合材料中观察到的值高5倍（BH-BN，𝜿≈4.5w m-1 k-1），表明在H-BN聚合物组合的H 𝜿 𝜿上，FLH-BN的上i上i上的益处。当用作热界面材料（TIM）的糊剂时，与在同一H-BN负载下的BH-BN综合材料相比，在功率密度（H）下，以2.48 W CM-2的功率密度（H）将最高温度（T MAX）降低24.5°C。结果提供了一种有效的方法，可以改善TIMS的基于纤维素的热糊剂的𝜿，并证明了它们在集成电路（ICS）和高功率电子设备中的热量耗散的生存能力。
使用机器学习
摘要：表征2D材料中的缺陷，例如沉积化学蒸气（CVD）的裂纹 - 生长的六边形氮化硼（HBN）对于评估材料质量和可靠性至关重要。传统的特征方法通常是耗时且主观的，可以受到HBN的光学对比度有限的阻碍。为了解决这个问题，我们使用Matlab的Image Labeler并进行了对细致的注释和训练，利用了转移的CVD生长的HBN膜中的Yolov8n深学习模型来进行自动裂纹检测。该模型展示了有希望的裂纹检测能力，准确地识别了不同大小和复杂性的裂纹，并且损失曲线分析揭示了渐进式学习。然而，精确和回忆之间的权衡突出了需要进一步完善的必要性，尤其是在区分多层HBN地区的精细裂缝方面。这项研究证明了基于ML的方法简化2D材料表征并加速其集成到高级设备中的潜力。
六边形硼硝酸盐调节聚（乙烷氧化乙烷） - 纳米3电解质的结晶度和电荷迁移率
摘要：用于固态钠（NA）电池的复合固体聚合物电解质（CSP），由于其高模量，良好的机械性能和相对于液体电解质的总体安全性而具有吸引力。重要的CSPE特性（例如结晶度和离子电导率）与填充材料的物理化学特征紧密相关。在这项工作中，我们研究了2D六角硼（2D H-BN）含量如何在聚（氧化乙烷）（PEO）基于Na-ion的CSPE中使用NANO 3作为模型盐进行Na-ion传导的聚（PEO）CSPES中的流动聚合物结晶度和离子电导率。使用X射线差异（XRD），差异扫描量热法（DSC）和电化学阻抗光谱镜（EIS），我们发现聚合物结晶度在H-BN浮动的存在中会增加，而总离子电导率相对降低了相对降低的样品。量子机械DFT计算揭示了H-BN与两个离子盐的两个离子结合的能力，更强烈地与Na +阳离子结合，迄今为止，在基于Na的聚合物电解质的情况下尚未报道。这项工作中的实验和计算效果的组合提供了关键的物理见解，以了解填充剂的几何特征和化学特征（即刘易斯酸度和刘易斯碱度）在CSP的设计中用于Na-ion传导。