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5 帕多瓦大学化学科学系,Via Marzolo 1, 35131 帕多瓦,意大利 * 通讯作者:plinio@uniss.it 关键词:六方氮化硼,二维材料,光致发光 摘要 基于六方氮化硼纳米片(h-BNN)的功能光电应用的开发依赖于控制结构缺陷。特别是,已经观察到荧光发射取决于空位和取代缺陷。在目前的研究中,通过超声辅助液相剥离块体对应物获得了少层 h-BNN。制备的样品在可见光范围内表现出微弱的荧光发射,中心在 400nm 左右。通过在不同温度下在空气中氧化引入了定制缺陷。已经观察到氧化 h-BNN 的荧光发射显著增加,在 300°C 下处理的样品的发射强度最大。温度进一步升高(>300°C)会导致荧光猝灭。

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