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从散装到单层guillaume cassabois laboratoire查尔斯·库仑（UMR5221）CNRS-montpellier University，F-34095 Montpellier，法国guillaume.cassabois.cassabois@umontpellier.fr Hexagonal Boron Nitride（Hexagonal Boron Nitride（Hbbn）依靠其低介电常数，高导热率和化学惰性。2004年，高质量晶体的生长表明，HBN也是深层硫酸群域中发光设备的有前途的材料，如加速电子激发[1]在215 nm处的激光证明[1]，也证明了激光的表现[1]，也证明了LASITIOL ELLICTER ELLICTIOL [1]，也证明了LASITER IN-type-type-type-type-type-typepe inter-typepe intype intype-ultraviolet [1]。具有类似于石墨烯的蜂窝结构，大量HBN作为具有原子光滑表面的石墨烯的特殊底物获得了极大的关注，更普遍地是范德华异质结构的基本构建块[3]。我将在此处讨论我们的结果，以从批量到单层的HBN的光电特性。i将首先关注散装HBN，这是一个间接的带隙半导体，具有非凡的特性[4]。i将介绍我们最近的测量结果，揭示了散装HBN中巨大的光 - 物质相互作用[5]。然后，我将向单层HBN讲话。在通过高温MBE在石墨上生长的样品中，在与原子上薄的HBN发射的共鸣中发现了最小的反射率，从而证明了单层HBN的直接带隙[6]。最近通过从散装晶体中去除的单层HBN中的深度硫酸盐中的高光谱成像进一步证实了这些结果[7]。参考
六角硼硝化硼的深紫外光谱
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