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TUe 硅激光器
过去 50 年来，世界各地的研究人员一直在寻找制造硅基或锗基激光器的方法。埃因霍温工业大学 (TU/e) 和慕尼黑工业大学 (TUM) 的研究团队与耶拿大学和林茨大学的同事合作，现已开发出一种可以发光的硅锗合金（EMT Fadaly 等人，《六方 Ge 和 SiGe 合金的直接带隙发射》，Nature vol580，p205（2020 年 4 月 8 日）；DOI：10.1038/s41586-020-2150-y）。因此，人们认为，开发能够集成到现有芯片中的硅激光器首次指日可待。硅通常以立方晶格结晶，由于具有间接带隙，这种形式不适合将电子转换为光。研究团队迈出的关键一步是能够利用具有六方晶格的锗和硅生产锗和合金。“这种材料具有直接带隙，因此可以自行发光，”慕尼黑工业大学半导体量子纳米系统教授乔纳森·芬利 (Jonathan Finley) 说道。
探索交替磁性 MnTe 的电子能带结构
在本研究中，我们利用偏振相关角分辨光电子能谱 (ARPES) 研究了六方 MnTe (0001) 块体单晶的电子能带结构。样品通过混合化学计量量的细粉 Mn 和 Te 来制备，并在 10 -5 pa 的真空石英安瓿中密封。我们通过固相反应法生长 MnTe 单晶并将其切割成 (0001) 面。为了获得干净的表面，我们对样品进行了溅射和退火。我们使用 2kV 的束流能量进行溅射，退火温度为 330 摄氏度。通过反复的溅射和退火循环，我们最终得到了干净的表面。通过俄歇电子能谱检查表面的杂质，并通过尖锐的六方低能电子衍射 (LEED) 斑点确认了长程有序。偏振相关 ARPES 实验是在配备 ASTRAIOS 电子分析仪的 HiSOR BL-9A 上进行的。我们将光子能量设置为 40 eV，温度设置为 200K。入射光的偏振方向由波荡器磁铁配置控制。
Hopg耐力电离辐射
仅由碳原子组成，这些碳原子以六角形形状排列，高度定向的热解石墨（HOPG）属于层状材料。与原子平行和堆叠层排列的原子具有结晶结构，其特征在于其高度的三维顺序（类似于此，但以二维形式组织，称为石墨烯），换句话说，
先进高性能计算的最新进展与展望
enough 及其同事 [2] 发现 LiCoO 2 正极可以在 3–4.3 V 相对于 Li + /Li 0 的范围内提取大量的 Li +。1982 年，Yazami 和 Touzain 报道了以石墨为固体电解质时 Li + 离子的电化学活性，这成为了商业化锂离子电池 (LIB) 的重要基础。 [3] 1985 年，Yoshino 发明了一种由 LiCoO 2 正极和碳质负极组成的新电池，它显示出合理的可逆容量和显著增强的循环性能。 [4] 随后，索尼于 1991 年将 LIB 商业化；与镍镉和镍氢电池相比，它们表现出更高的质量能量密度和体积能量密度。 [5] 由于其高可逆容量和可观的日历寿命，LIB 已广泛应用于消费产品（如相机和笔记本电脑）和纯/混合动力 (H) 电动汽车 (EV)。根据组成 LIB 的元素价格表，钴（15.54 美元）比镍、锰和铝贵，后三种元素的价格分别为 5.90 美元、1.06 美元和 0.77 美元 LB −1（2020 年 2 月 6 日的实时价格，http://www.infomine. com/investment/metal-prices/）。这促使人们寻找低成本、高容量的替代正极材料，以推广采用 LIB 作为电源的 EV/HEV（图 1 a）。[6] 用层状结构中的其他元素取代钴可能会获得优异的电池性能。例如，富镍的 Li[Ni1−x−yCoxMny]O2 具有高容量（200–250mAhg−1）和高电压操作（≈3.8V vs Li0/Li+）以及更好的化学稳定性，由于 Ni3+/4+（eg）氧化还原能与 Co3+/4+（t2g）和 Mn3+/4+（t2g）带上方的 O2−2p 带顶部没有明显的重叠，所以氧损失更少。 [7,8] 然而，由于 Li+ 和 Ni 2+ 的离子半径相似（0.76 Å），合成化学计量的 LiNiO 2 很困难，即在合成过程中，Ni 2+ 很容易占据锂板中的 3b 锂位并形成[Li 1-xNix]3a[Ni1-x]3b[O2]6c。锂层中的 Ni 2+ 不仅阻碍了 Li+ 的顺利扩散，而且导致不可逆容量和较差的循环寿命。[9] 通常，LiNiO 2 在深度脱锂后表现出从第一个六方到单斜（H1 到 M），单斜到第二个六方（M 到 H2），最后从第二个六方到第三个六方（H2 到 H3）相的渐进相变，[10] 这限制了 LiNiO 2 的制备。
在超高真空下，使用多环芳烃在Cu上（111）上的石墨烯生长
多环芳烃芳烃和pyr烯和吡啶的超高真空沉积在cu（111）表面上保持在1000 K的温度下，从而显示出导致石墨烯的形成。使用扫描隧道显微镜，X射线光电子光谱，角度分辨光发射光谱，拉曼光谱和低能电子衍射证明了石墨烯的存在。与更常用的甲烷或乙烯（例如甲烷或乙烯）相比，前体，倍吡林和吡啶是相对较大的芳香族分子。虽然当将pyrene用作前体时，可以天真地期待六边形石墨烯晶格的形成，但对于倍吡林来说，情况更为复杂。在这种情况下，只有5个和7元环的非替代叠层的非替代拓扑形成观察到的六边形石墨烯晶格。这样的重排，将非替代拓扑转化为替代拓扑，与先前描述类似拓扑改变的报道一致，包括分子倍吡林与pyrene的异构化。在此提出的热合成途径在相对较低的温度和超高真空条件下可以实现，这可以在严格控制和清洁的环境中进一步研究，而传统前体无法访问。
模拟由柔性吸引子对齐的网格单元
抽象的内嗅网格细胞以六边形周期性实现空间代码，这标志着动物在环境中的位置。网格图属于同一模块的细胞共享间距和方向，仅在相对二维空间相之间有所不同，这可能是由于路径积分引导的二维吸引子的一部分而导致的。但是，这种体系结构的构造和刚性的缺点，路径积分，允许与六角形模式（例如在各种实验操作下观察到的六边形模式）的偏差。在这里，我们表明一个较简单的一维吸引子足以使网格单元对齐。使用拓扑数据分析，我们表明所得的人口活动是圆环的样本，而地图的合奏保留了网络体系结构的特征。这种低维吸引子的灵活性使其能够用进料输入协议代表歧管的几何形状，而不是施加它。更普遍地，我们的结果代表了原理证明，即直觉，即吸引子的体系结构和表示歧管是具有相同维度的拓扑对象，这对整个大脑吸引者网络的研究含义。
超导加速器磁铁的简介...
正常状态（H> HC 2）•HC 1 含有磁通量量子φO= H/2E的圆柱磁管的正常区域；涡旋芯具有= 2 = 2•涡流相互作用：六角形涡流晶格，以最大程度地减少SC磁铁的磁铁排斥能•在SC磁铁中：运输电流 +盾牌超级币，因此由于Vorterents colex colex coex coexisisiss coexisiss is coexisiss is coexisiss！含有磁通量量子φO= H/2E的圆柱磁管的正常区域；涡旋芯具有= 2 = 2•涡流相互作用：六角形涡流晶格，以最大程度地减少SC磁铁的磁铁排斥能•在SC磁铁中：运输电流 +盾牌超级币，因此由于Vorterents colex colex coex coexisisiss coexisiss is coexisiss is coexisiss！含有磁通量量子φO= H/2E的圆柱磁管的正常区域；涡旋芯具有= 2 = 2•涡流相互作用：六角形涡流晶格，以最大程度地减少SC磁铁的磁铁排斥能•在SC磁铁中：运输电流 +盾牌超级币，因此由于Vorterents colex colex coex coexisisiss coexisiss is coexisiss is coexisiss！
低载波SiC 上的高密度外延石墨烯器件
石墨烯是第一种真正的二维材料，[1] 是形成简单六边形晶格的单层碳。剥离的石墨烯薄片表现出了高迁移率和异常量子霍尔效应 (QHE) 等显著的电学特性，引起了人们对其在许多实际应用中的极大兴趣。[2–5] 然而，由于剥离的石墨烯薄片的尺寸限制（通常高达几十微米），石墨的机械剥离无法提供适用于商业晶圆尺寸电子器件或精确电阻计量的石墨烯。当 SiC 衬底在超高真空或惰性气体氛围中以高于 1000°C 的温度退火时，Si 升华后碳会残留在 SiC 表面并重新排列形成石墨烯层。这种外延石墨烯 (EG) 已准备好用于大规模器件制造，无需转移到另一个绝缘基板上。在六边形 SiC 晶片的硅端面 (Si 面) 上生长的石墨烯由于与 SiC 晶体的方位角取向一致，可以形成大域。与在相反 (碳) 面上生长的石墨烯相比，在 Si 面上，EG 还具有更可控的生长动力学。最近，通过优化
研究杨氏石墨烯及其衍生物模量的研究...
1物理系，1 Sam Higginbottom农业，技术与科学大学，Naini，Prayagraj-211007，北方邦，印度摘要 - Young的石墨烯模量及其衍生物及其衍生物的衍生物估计在沿Armchair方向及其沿着Zigzag方向应用时施加载荷。对于杨氏模量，使用弹性常数，取决于样品长度，宽度和厚度。因此，在石墨烯及其衍生物的加载案例中绘制了Young的模量长度图。发现，Young的模量随着恒定宽度而增加，而单层的Young模量大于双层。在扭曲的双层石墨烯的情况下，Young的模量以扭曲角度降低。关键词 - 弹性常数，Young的模量，扭曲的石墨烯和SWNT。简介 - 石墨烯片是在蜂窝结构中组织的二维碳原子。它与六角蜂窝晶格紧密结合。图1个石墨烯片的示意图。通常，六边形结构具有五个独立的弹性常数。这些如下； C 11，C 12，C 13，C 33和C 44。C 11和C 12更负责弹性。so，