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临床前研究测试用于治疗IgA肾病的新型基因疗法
•在IgA肾病的动物模型中，科学家发现，病毒载体基因疗法可以有效地靶向补体激活，减少肾脏疾病的迹象并导致肾脏组织中基因表达延长。•该研究的结果将在10月23日至27日的ASN肾脏周上介绍。加利福尼亚州圣地亚哥（2024年10月26日） - Iga肾病是一种自身免疫性肾脏疾病，与先天免疫系统的组成部分补体在该病症的发病机理中起作用。 研究人员已经开发并测试了一种新的基因疗法，该基因疗法进入肾细胞并使它们能够阻止补体激活。 该研究将于10月23日至27日在ASN肾脏周2024周进行。 称为PS-002的基因疗法使用改良病毒治疗称为足细胞的肾细胞。 在IgA肾病的小鼠模型中给药PS-002减少了肾功能障碍的迹象，补体沉积降低以及改善肾脏疤痕和其他结构性特征的肾脏疾病。 在猪中，对PS-002的治疗导致肾脏组织中的基因表达升高，没有安全问题。 “我们的数据表明，靶向足细胞来调节补体激活是一种有效的治疗策略，PS-002铺平了成为IgA肾病治疗开发的第一种基因疗法的方式，” Purespring Therapeutics of Purespring Therapeutics of Perespring phd of per in ambra cappelletto of Ambra cappelletto。 世界首要的肾脏学会议，肾脏周，提供加利福尼亚州圣地亚哥（2024年10月26日） - Iga肾病是一种自身免疫性肾脏疾病，与先天免疫系统的组成部分补体在该病症的发病机理中起作用。研究人员已经开发并测试了一种新的基因疗法，该基因疗法进入肾细胞并使它们能够阻止补体激活。该研究将于10月23日至27日在ASN肾脏周2024周进行。称为PS-002的基因疗法使用改良病毒治疗称为足细胞的肾细胞。在IgA肾病的小鼠模型中给药PS-002减少了肾功能障碍的迹象，补体沉积降低以及改善肾脏疤痕和其他结构性特征的肾脏疾病。在猪中，对PS-002的治疗导致肾脏组织中的基因表达升高，没有安全问题。“我们的数据表明，靶向足细胞来调节补体激活是一种有效的治疗策略，PS-002铺平了成为IgA肾病治疗开发的第一种基因疗法的方式，” Purespring Therapeutics of Purespring Therapeutics of Perespring phd of per in ambra cappelletto of Ambra cappelletto。世界首要的肾脏学会议，肾脏周，提供“由PS-002举例说明的Purespring的基因治疗平台可以表明，可以以高效率地传递治疗性遗传物质，从而开放一种新的且高度差异化的方式，有可能治疗广泛的肾脏疾病。”研究：“足细胞基因疗法可以使IgA肾病（IGAN）治疗的肾小球补体调节”在2024年在加利福尼亚州圣地亚哥的2024年，来自全球的ASN和大约12,000名其他来自全球的肾脏专业人士。
晶圆级光学制造
市场研究公司 Omdia 在其《SiC 和 GaN 功率半导体报告——2020 年》（见第 74-75 页）中指出，受混合动力和电动汽车 (HEVs/EVs)、电源和光伏 (PV) 逆变器需求的推动，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 功率半导体市场预计将在 2021 年超过 10 亿美元，因为它正迅速从初创公司主导的行业发展为由大型知名功率半导体制造商主导的行业。例如，三菱电机现已推出其第二代全 SiC 功率模块，采用新开发的低功耗工业用 SiC 芯片（第 15 页）。此外，在美国空军研究实验室 (AFRL) 的一项第一阶段小型企业技术转移研究 (STTR) 项目的资助下，结构材料工业公司 (SMI) 开发了一种用于 4H-SiC 的低温化学气相沉积 (CVD) 工艺，可实现用于高压功率器件的厚外延层的更高速率生长（同时缩短工艺周期和设备磨损）（第 14 页）。与此同时，SMI 还与纽约州立大学 (SUNY) 奥尔巴尼理工学院合作，获得了美国能源部授予的第一阶段 STTR 合同，以开发普遍的制造基础设施 - 包括改善大晶圆金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 均匀性 - 用于在高电流和高电压 (>20A/>600V) 下运行的 GaN，用于电动汽车电力电子设备（第 16 页）。正在推进 GaN 器件功能的制造商包括 EPC，该公司已推出其最新的 100V eGaN FET 系列，面向自动驾驶汽车的 LiDAR 等应用（第 18 页）。GaN 器件在电源应用（例如消费电子产品的快速充电器）中的应用持续激增（尤其是随着性能的提高）。例如，在 Apple iPhone 12 预计于今年晚些时候发布之前，移动配件品牌 Spigen PowerArc 已在新款 20W ArcStation Pro 中使用了 Navitas 的 GaNFast 电源 IC。与此同时，中国的 OPPO 已采用 GaNFast 电源 IC，用于据称是最小、最薄、最轻的 110W 智能手机、平板电脑和笔记本电脑快速充电器（第 19 页）。除了通过向制造合作伙伴 Nexperia 授予许可来增加收入外，Transphorm 还扩展了其高压 GaN 电源转换设备产品组合，旨在推动快速充电电源适配器的普及（第 20 页）。GaN Systems 宣布推出一款新的参考设计，用于包括手机和笔记本电脑在内的消费电子产品中的高功率密度 65W 充电器（第 21 页）。Mark Telford，编辑 mark@semiconductor-today.com该公司还发布了一份白皮书，展示了其 GaN 器件的可靠性，超过了 JEDEC 和 AEC-Q101 测试规范的标准。在新加坡，IGSS GaN (IGaN) 正在建立一个 Epi 中心，作为 4-8 英寸晶圆 GaN MOCVD 的商业和全球联合实验室，将于 2021 年中期投入运营（第 22 页）。最近，就在 9 月 29 日，总部位于荷兰的 NXP Semiconductors 在其位于亚利桑那州钱德勒的工厂开设了新的 8 英寸晶圆 GaN 晶圆厂，专门用于蜂窝基础设施的 5G RF 功率放大器。新晶圆厂已经通过认证，初始产品正在市场上迅速推广，预计将在 2020 年底达到满负荷生产（下一期新闻页面将全面报道）。