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InP 纳米线中 InAsP 双量子点间隧道耦合的磁调谐
嵌入纳米线波导的外延量子点 (QDs) 是单个光子和纠缠光子的理想来源，因为这些设备可以实现高收集效率和发射线纯度 1 – 4 。此外，这种架构有可能通过在纳米线内串联耦合量子点来形成量子信息处理器的构建块。具有清晰分子键合和反键合状态特征的量子点分子已被证明，其中可利用量子限制斯塔克效应 5、6 调整载流子群。这些光学活性量子点也是量子网络单元非常有希望的候选者，因为它们可以将光子量子比特中编码的量子信息传输到固态量子比特并在耦合的量子点电路中处理该信息 7 – 9 。控制点之间的隧道耦合是适当调整和执行量子比特之间量子门所需的关键特性。例如，在静电定义的量子点中，可通过为此目的设计的电门实现点间隧道耦合，并且已实现多达 9 个量子比特的线性阵列 10 。在外延量子点中，隧道耦合由量子点之间的距离决定，该距离在生长过程之后无法改变 7 、 11 – 13 。由于原子级外延生长的不确定性，这会产生可重复性问题。克服这些问题的尝试包括旨在引入受控结构变化的措施，例如激光诱导混合 14 、将发射器放置在光子腔中 13 或调整点附近的应变场 15 。这些过程可提高量子点发射器的均匀性，但是它们无法实现时间相关的调整和可寻址性。为了实现这一点，通过金属栅极将外部电场施加到量子点上，从而控制电荷状态 16 、通过斯塔克位移 5 进行光谱调谐以及通过四极场 17 控制激子精细结构。此外，最近在外延量子点中进行的电子传输实验已经证明了隧道耦合的电调谐 18 – 20 。然而，这些方法需要复杂的设备设计和工程。在本信中，我们通过施加垂直于点堆叠方向的磁场来演示点间耦合的可调谐性。我们首先对 InP 纳米线中的 InAsP 双量子点 (DQD) 进行光学磁谱分析，并确定了逆幂律，该定律控制每个点的 s 壳层发射之间的能量差，该能量差是点间距离的函数。发射能量受点成分和应变差异的影响，而点之间的耦合则在生长阶段由分隔它们的屏障厚度决定。但是，我们将证明我们可以调整对于特定状态，通过施加平行于量子点平面的磁场（即 Voigt 几何），发射能量差可在约 1 meV 的范围内按需变化。正如我们将要展示的，如果没有点之间的量子力学耦合，这种能量转移就不可能实现，我们将此结果解释为点间隧道耦合的磁场调谐是由于经典洛伦兹力的量子类似物而发生的。
字母A宽带高带宽利用率ECL静态频率分隔线INP DHBT过程
高速和宽频频率分隔线被广泛用于正交信号生成[1，2]，时间间隔的THA和ADC系统[3，4，5]，以及其他高速通信[6]。到目前为止，已经报告了基于不同拓扑和过程的许多分隔线。尤其是INP DHBT具有更高的击穿电压和相同尺寸的设备的频率性能更好[7，8]，这意味着INP DHBT是高速分隔电路的更好选择。但是，电路的工作频率范围不会超过与设备过程相关的切割频率f t的一部分[9]，这是电流模式逻辑（CML）划分器的工作频率[9，10]。为了提高分隔电路的高频电量，应提高效率以增加具有相同f t的设备的工作频率的利用。已经发表了许多增强技术，以扩展频率分隔符的工作频率范围，例如电感峰[9、11、12、13]，分裂固定载荷[14、15、16]，不对称闩锁[17]，动态频率
信一种采用 InP DHBT 工艺的高带宽利用率 ECL 静态分频器
高速宽带分频器广泛应用于正交信号产生[1, 2]、时间交织THA和ADC系统[3, 4, 5]以及其他高速通信领域[6]。目前，已有多种基于不同拓扑和工艺的分频器被报道。特别地，InP DHBT在相同尺寸的器件下具有更高的击穿电压和更好的频率性能[7, 8]，这意味着InP DHBT是高速分频器电路的更好选择。但是，电路的工作频率范围不能超过与器件工艺有关的截止频率ft的几分之一[9]，这限制了电流型逻辑 (CML) 分频器的工作频率[9, 10]。为了提高分频器电路的高频性能，应努力提高相同ft 的器件的工作频率的利用率。已经发表了许多增强技术来扩展分频器的工作频率范围，例如电感峰值[9, 11, 12, 13]，分流电阻负载[14, 15, 16]，非对称锁存器[17]，动态分频器[18, 19, 20, 21, 22]和双射极跟随器[23, 24]。然而，在电路设计中最大限度地利用器件ft的报道很少。本信
用于对流层水和云冰 (TWICE) 仪器的 670 GHz 集成 InP HEMT 直接检测接收器
高层大气中的冰云是气候模型中不确定性的主要来源。对对流层上部的冰粒子进行全球观测可以提供有关气溶胶污染对冰粒子大小影响的信息，而冰粒子大小会影响云的降水过程和反照率 [1-3]。亚毫米波辐射测量仪器可以填补大约 50 µm 至 1 mm 之间的云冰粒子大小信息的空白。例如，CloudSat 的 94 GHz 雷达可以观测直径大于 ~600 µm 的粒子，而 MODIS 红外辐射计可以观测小于 ~50 µm 的粒子 [2]。对流层水和云冰 (TWICE) 仪器试图从 6U CubeSat 平台对冰粒子大小和水蒸气剖面进行全球观测，使用 16 个亚毫米波辐射测量通道，范围
设计和开发处方数字治疗性，用于家庭心率变异性生物反馈，以支持和增强患者的结果侵入性创伤性应激障碍
创伤后应激障碍（PTSD）是一种精神病病，在受影响的个体中产生相当大的困扰，功能障碍和障碍。尽管通常在PTSD治疗中使用了各种形式的心理疗法，但这些常规方法无法充分解决与PTSD相关的已知神经病理学。心率变异性生物反馈（HRV-BFB）是纠正PTSD中自主功能障碍的有前途的工具，随后临床上显着的结果指标发生了变化。本文概述了用于开发，分发和实施的系统方法，可以在家中进行HRV-BFB数字治疗。我们为证据生成策略提供建议，并在现有框架内提出适当的监管途径。广泛访问HRV-BFB可能会减轻与PTSD相关的困扰，残疾和医疗负担。促进HRV-BFB作为主要干预措施也可能有助于减少与“精神”疾病相关的污名，并提高有关社会心理因素的神经免疫性影响的健康素养。这些过程可能反过来改善寻求治疗，依从性并支持这些条件的自我管理。
Aline Roc于2018年从波尔多INP获得了应用认知科学的工程硕士学位。
Aline Roc于2018年从波尔多INP获得了应用认知科学的工程硕士。随后，她在Mobalib创业公司和IMS CNRS实验室共同担任UX研究人员，涉及数字加速性以及为轮椅使用者选择城市行人路径。自2019年7月以来，她一直在Inria Bordeaux担任博士生。作为ERC项目BrainConconquest的一部分，她的研究重点是学习如何控制基于心理任务的BCIS的培训任务。LéaPillette于2019年从波尔多大学获得了计算机科学博士学位。她目前正在波尔多大学开始第二次胜利，她将在那里使用BCIS用于帕金森氏病人的运动康复。在博士学位期间，她专注于BCI用户培训期间提供的反馈。她做出了一些贡献，以评估用户概况的特征（例如他们的注意力）如何影响反馈的类型。例如，她的早期工作表明了社会和情感维度在反馈内容中的重要性。SébastienRimbert是Inria Bordeaux Sud-ouest的Brainconconquest ERC项目的大多数。他在洛里亚（Nancy，2020年）获得了计算机科学博士学位。在他的论文中，他是第一个基于中位神经刺激设计BCI的人，并显示了其在全身麻醉期间发现意外意识的潜力。他的跨学科工作在脑部计算机界面，神经科学和心理学领域中产生了25多种文章。波尔多，2016年）。最后，他最近因在IEEE SMC 2020会议上的论文工作而获得了“最佳学生论文奖”。Hakim Si-Mohammed是里尔大学的副教授。 他拥有Insa Rennes和Inria的计算机科学博士学位（2019年），研究了脑部计算机界面并增强现实。 他的研究兴趣包括基于脑电图的脑部计算机界面，虚拟现实，增强现实和人类计算机的互动。 劳伦特·布格林（Laurent Bougrain）是洛林大学（University of Lorraine）的副教授，也是神经节律团队的负责人（洛林大学，CNRS）。 他拥有计算机科学博士学位和心理学学士学位。 他的主要主题是脑部计算机界面和机器学习。 他是一本关于BCI（英语和法语）的两卷书的共同出版商。 他是国际BCI竞赛IV的获胜者，该挑战是预测2008年ECOG的手指弯曲。 目前，他是法国ANR项目Graspit 2019 - 2023年的负责人，该计划在设计和评估中风后的上肢康复中有形且触觉的BCI。 Fabien Lotte是Inria Bordeaux Sud-ouest的研究总监（DR2）。 他拥有博士学位（Insa Rennes，2008年）和监督计算机科学研究的习惯（Univ。 Fabien Lotte是BCI研究和EEG信号处理的专家。 他特别协调了ANR Rebel项目（2016-2019），并在BCI上协调了ERC开始的Grant BrainConconconconconconconconquest项目（2017-2022）。Hakim Si-Mohammed是里尔大学的副教授。他拥有Insa Rennes和Inria的计算机科学博士学位（2019年），研究了脑部计算机界面并增强现实。他的研究兴趣包括基于脑电图的脑部计算机界面，虚拟现实，增强现实和人类计算机的互动。劳伦特·布格林（Laurent Bougrain）是洛林大学（University of Lorraine）的副教授，也是神经节律团队的负责人（洛林大学，CNRS）。他拥有计算机科学博士学位和心理学学士学位。他的主要主题是脑部计算机界面和机器学习。他是一本关于BCI（英语和法语）的两卷书的共同出版商。他是国际BCI竞赛IV的获胜者，该挑战是预测2008年ECOG的手指弯曲。目前，他是法国ANR项目Graspit 2019 - 2023年的负责人，该计划在设计和评估中风后的上肢康复中有形且触觉的BCI。Fabien Lotte是Inria Bordeaux Sud-ouest的研究总监（DR2）。他拥有博士学位（Insa Rennes，2008年）和监督计算机科学研究的习惯（Univ。Fabien Lotte是BCI研究和EEG信号处理的专家。他特别协调了ANR Rebel项目（2016-2019），并在BCI上协调了ERC开始的Grant BrainConconconconconconconconquest项目（2017-2022）。他是BCI（脑部计算机界面，神经工程杂志，IEEE生物医学工程交易）的几个领先期刊的编辑委员会成员，神经人工经济学领域的专业首席编辑：神经技术和系统神经工程学和系统神经工程学和共同编辑的两本书。
基于INP的量子点材料的高光学增益是在电信波长下发射的硅上生长的
相干技术目前正在深入讨论短距离内的光学互连。本文报告了先前工作的进度，该工作分析了从C-到O带光学方面的好处，以实现数字信号处理。在这里，我们研究了将连贯的方法适应已建立的数据中心互连技术（PSM4）的可行性。这种类似PSM4的实现带来了对激光漂移的弹性大大提高的好处，从而减少或消除了对温度稳定激光器的需求，这通常假定是相干收发器的需求。分析取决于SIGE光子BICMOS技术中相干接收器的先前实验实现的部分模拟参数。此外，我们还利用了有关在20 nm波长窗口上优化O-带2D光栅耦合器在效率和低极化依赖性方面的最新结果。我们将这些耦合器确定为启用类似于PSM4的实现的构建块。©2023作者。代表日本应用物理学会出版，由IOP Publishing Ltd
双Si平面掺杂提高InP基HEMT的辐射抗力
提出一种采用双Si掺杂平面优化的InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)抗辐照结构,在沟道层下方增加Si掺杂平面,使InP基HEMT的沟道电流、跨导、电流增益截止频率和最大振荡频率均有较大提升。此外,详细比较了单Si掺杂和双Si掺杂结构在75keV质子辐照(剂量分别为5×10 11 cm − 2、1×10 12 cm − 2和5×10 12 cm − 2)后的直流(DC)和射频(RF)特性及其降低率。两种结构的DC和RF特性均随着辐照剂量的增加而逐渐下降,尤其在5×10 12 cm − 2剂量下下降最为显著。此外，双硅掺杂结构的特性退化程度明显低于单硅掺杂结构，尤其是在较大的质子辐照剂量下。通过插入另一个硅掺杂平面来提高质子辐射耐受性可能是由于本征载流子大幅增加，这必然会大大削弱辐照诱导缺陷对载流子去除的影响。
对高度选择性OECT基于OECT的锌检测的电聚合噻吩衍生物的光电和氧化还原特性
Tommaso Nicolini，Shekhar Shinde，Reem El-Actar，Gerardo Salinas，Damien Thuau，Mamatimin Abbas，Matthieu Raoux，Jochen Lang，Eric Clout，Eric Clout，Alexander Kuhn，Alexander Kuhn，Alexander Kuhn* T. Nicolini博士，G。Salinas博士，G。Salinas，PROFIV。Bordeaux，CNRS，Bordeaux INP，ISM，UMR 5255，33607 PESSAC，法国电子邮件：kuhn@enscbp.fr S. S. S. S. Shinde，E。Cloutet Uni博士。 Bordeaux，CNRS，Bordeaux INP，LCPO，UMR 5629，33615 Pessac，法国R. El-Actar，D。Thuau博士，M。AbbasUniv博士。 波尔多，CNRS，Bordeux INP，CBMN，UMR 5248，33600 PESSAC，法国，Bordeaux，CNRS，Bordeaux INP，ISM，UMR 5255，33607 PESSAC，法国电子邮件：kuhn@enscbp.fr S. S. S. S. Shinde，E。Cloutet Uni博士。Bordeaux，CNRS，Bordeaux INP，LCPO，UMR 5629，33615 Pessac，法国R. El-Actar，D。Thuau博士，M。AbbasUniv博士。 波尔多，CNRS，Bordeux INP，CBMN，UMR 5248，33600 PESSAC，法国，Bordeaux，CNRS，Bordeaux INP，LCPO，UMR 5629，33615 Pessac，法国R. El-Actar，D。Thuau博士，M。AbbasUniv博士。波尔多，CNRS，Bordeux INP，CBMN，UMR 5248，33600 PESSAC，法国，波尔多，CNRS，Bordeux INP，CBMN，UMR 5248，33600 PESSAC，法国，
用于红色胶体量子点发光二极管的双功能电子传输剂
摘要：磷化铟 (InP) 量子点使不含重金属、发射线宽窄且物理上可弯曲的发光二极管 (LED) 成为可能。然而，高性能红色 InP/ZnSe/ZnS LED 中的电子传输层 (ETL) ZnO/ZnMgO 存在高缺陷密度，沉积在 InP 上时会猝灭发光，并且由于陷阱从 ETL 迁移到 InP 发光层而导致性能下降。我们推测，ZnS 外壳上 Zn 2+ 陷阱的形成，加上 ZnO/ZnMgO 和 InP 之间的硫和氧空位迁移，可能是造成这一问题的原因。因此，我们合成了一种双功能 ETL（CNT2T，3 ′，3 ′″，3 ′″″-(1,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(([1,1 ′-联苯]-3-腈))，旨在局部和原位钝化 Zn 2+ 陷阱并防止层间空位迁移：小分子 ETL 的主链包含三嗪吸电子单元以确保足够的电子迁移率（6 × 10 − 4 cm 2 V − 1 s − 1），具有多个氰基的星形结构可有效钝化 ZnS 表面。我们报告的红色 InP LED 具有 15% 的 EQE 和超过 12,000 cd m − 2 的亮度；这代表了基于有机 ETL 的红色 InP LED 中的记录。■ 简介