离子辅助沉积中使用的源可作为离子源或等离子源出售,这意味着两者之间存在差异。 网格离子源使用网格之间的静电加速或离子来加速离子。 [1] 这些源通常被称为“离子源”。 它们在几分之一毫托的背景压力下工作效果最佳,并在几百电子伏或更高的离子能量下产生有用的离子束电流。 无网格离子源利用准中性等离子体中离子的电磁加速来加速离子。 [1] 最常见的无网格离子源(端霍尔离子源)通常在低至 20-30 电子伏或更低的离子能量下工作。 [2,3] 无网格源既被称为“离子源”,也被称为“等离子源”。 [5] 离子源和等离子源有什么区别? 如上所述,有时离子源会产生更高的离子能量。 有时没有区别。
离子交换膜(IEM)通常由疏水聚合物基质和离子基组组成,可以根据移植到膜矩阵中的离子基团的类型分类为阴离子交换膜(AEM)和阳离子交换膜(CEMS)。cems用负电荷的组固定(–so 3 - ,–coo-等)进行阳离子但排斥阴离子,而AEM含有带正电荷的组(–NH 3 +,–NRH 2 +,–NR 2 H +,–NR 3 +,PR 3 +,–sr 2 +等。),允许阴离子的渗透,但延迟阳离子[1,2]。IEM的典型聚合物体系结构如图1.1a所示,而典型组如图1.1b所示[3]。根据离子基与聚合物基质的联系,IEM也可以归类为均质和异质膜。在均匀的膜中,带电的组化学键合膜基质,在异质膜中,它们与膜基质物理混合[4]。还有许多其他分类方法,总而言,我们提供了表1.1,列出了IEM的主要类别[5]。
图 2。通过离子交换剥离块状 MMT 和真空过滤 MMT 薄片分散体来制造独立式 MMT 膜的过程。(a) 块状 MMT 粉末。(b) 在红色激光束下对块状粉末进行离子交换剥离后形成的 MMT 薄片水分散体。(c) 通过真空过滤薄片分散体形成的独立式 MMT 膜。(d) MMT 的 XRD 图案,显示 (001) d 间距为 12.3 Å。(e) 剥离的 MMT 薄片的 AFM 图像和 (f) 剥离的 MMT 薄片的相应 AFM 高度分布,显示单层厚度。
经典计算机的历史是从使用真空管的初始概念验证,到最终完善的现代硅基架构而发展起来的。现在,量子计算机正从概念验证转向实用设计,并且正处于扩展到越来越多相干、连接良好的量子比特的阶段。自从 Cirac 和 Zoller 证明了一种将任意幺正运算应用于离子线性阵列的可行方法 [1] 以来,离子量子计算机一直是量子计算发展的有力竞争者。最近,霍尼韦尔 [2] 和 IonQ [3] 推出了两台使用镱的工业量子计算机。这些计算机采用镱同位素离子 171 Yb + 最外层 S 壳层的价电子来编码量子比特的状态。有两种相互竞争的架构:MUSIQC 和 QCCD [4,5]。为什么要使用稀土元素呢? [Xe] 4f 14 6s 1 电子构型之所以具有吸引力,是因为它通过使用 P 轨道实现了超精细到光学的耦合。此外,它相当容易实现。有几种元素和同位素可能适合这种构型。为什么特别选择 171 Yb +?选择这种同位素的动机是需要核自旋 1/2、观测稳定性和一阶塞曼不敏感时钟状态。可以考虑放射性同位素,但同位素必须足够稳定和普遍,以便与典型的金属源隔离。此外,我们要求电离能合理,电离原子带正电。171 Yb + 是唯一满足这些限制的同位素。
▪ Palmero, M.、Bowler, R.、Gaebler, JP、Leibfried, D. 和 Muga, JG,《保罗阱内混合物种离子链的快速传输》。Phys. Rev. A 90, 053408 (2014)。
简介锂离子电池由于其高能量密度、轻量化设计和降低的成本而被广泛应用于各种应用(例如,固定电池储能、电动汽车、消费电子产品、微型移动设备)。虽然所有这些应用都使用相同的底层电池技术,但它们所集成产品的完整系统设计和架构、制造质量、安全要求和安全特性却大不相同。因此,故障的原因、频率和严重程度因产品和应用而异。到 2030 年,全球锂离子电池容量预计将增加 10-12 倍 1,2,这得益于交通电气化和电网脱碳。然而,最近因锂离子电池故障引起的火灾引起了公众的关注,并凸显了产品工程中的缺陷。
v单元,以检测电池的主机或没有电池。BQ2054确定当V单元格在高压截止(V HCO = V reg + 0.25V)和低压截止(V LCO = 0.8V)之间时,存在电池。当V单元不在此范围之外时,BQ2054确定不存在蝙蝠并过渡到断层状态。对V LCO和V HCO之间的范围内和范围内被视为电池插入和拆卸,并具有分解。V HCO限制也隐式用作超电压终止。
“随着生物制剂在治疗领域的重要性日益凸显,现在是时候研究抗体配体作为离子通道调节剂的进展了,包括多克隆抗体和单克隆抗体、纳米抗体和抗体毒素嵌合体,以及它们在免疫学、心脏病学、神经科学和肿瘤学中的应用”
创建比常规方法效果更好的量子算法(例如大整数分解)使量子计算成为现代物理学的重点。在物理构建量子计算的各种方法中,Cirac 和 Zoller [ 1 ] 提出的离子阱方法尤为有前景。离子阱的有效性已通过大量实验得到证明,证实了其在实际量子计算中的潜力。离子阱是一种利用电场和/或磁场将带电粒子(离子)限制在特定空间区域的装置。这种限制允许对离子进行操纵和分析。事实上,精确控制单个离子的能力可以实现精确的量子操作,而捕获离子的长相干时间可确保复杂计算期间的稳定性 [ 2 ]。离子阱系统的可扩展性进一步使得构建更大的量子系统成为可能,高保真量子门可最大程度地减少操作错误。此外,离子阱有助于产生纠缠态,这对于量子通信和分布式计算至关重要。在这种情况下,离子阱中的势通常用谐振子来近似,这为分析离子的运动和相互作用提供了一个完善的框架,这对于实现量子门和其他必要的操作至关重要 [3]。阱内离子之间的相互作用(包括光学或电磁谐振器中的离子)可以建模为耦合的谐振子,这对于控制量子态和执行纠缠等量子操作至关重要。这些相互作用可以进入各种耦合状态——弱、强和超强——每一种耦合状态都在提高量子计算机的性能和可扩展性方面发挥着关键作用 [4,5]。在量子计算领域,特别是在囚禁离子系统的哈密顿动力学框架内,对各种量子度量的细致理解至关重要。例如,纠缠熵测量子系统之间的量子相关性,指示共享的信息量。这对于量子算法和协议(如纠错和加密)非常重要。另一个指标是计算复杂度,它评估量子计算所需的资源,包括量子比特的数量和量子电路的深度。这反映了量子操作的难度和算法的效率。高纠缠熵通常会导致计算复杂度增加,因为维持纠缠需要更复杂、更深的电路。另一方面,通过按顺序排列量子门,可以形成高效的量子算法,使量子计算机能够解决超出传统计算机能力的问题 1 。量子门与波函数相互作用的研究很重要;将参考状态 | ψ R ⟩ 转换为目标状态 | ψ T ⟩ 需要应用一个幺正变换 U ,这是通过一系列通用门实现的。优化这些门序列至关重要,因为通往同一目标状态的可能路径是无限的。电路深度,即连续操作的数量,与计算复杂度有关。