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囚禁离子中的 Mølmer-Sørensen 门入门
我们用电磁捕获的原子离子晶体来表示量子比特或自旋，每个离子内的两个电子能级表现为有效量子比特或自旋 1/2 粒子。电子能级的具体选择取决于原子元素以及用于操纵和测量量子比特状态的所需控制场类型。这些量子比特状态对于执行量子信息处理的最重要特征是 (a) 能级寿命长且表现出出色的相干性，(b) 能级状态具有适当的强光学跃迁到辅助激发态，允许通过光泵浦进行量子比特初始化并通过荧光进行量子比特检测，以及 (c) 量子比特通过可外部控制和门控的相干耦合进行交互。这将原子种类限制为少数元素和量子比特/自旋态，这些元素和量子比特/自旋态要么被编码为具有射频/微波频率分裂的单个外电子原子的 S 1 / 2 超精细或塞曼基态（例如，Be + 、Mg + 、Ca + 、Sr + 、Ba + 、Cd + 、Zn + 、Hg + 、Yb + ），要么被编码为具有光频率分裂的单个或双外电子原子的基态和 D 或 F 亚稳态电子激发态（例如，Ca + 、Sr + 、Ba + 、Yb + 、B + 、Al + 、Ga + 、In + 、Hg + 、Tl + 、Lu + ）。某些种类（例如，Ba + 、Lu + 、Yb + ）具有足够长的 D 或 F 亚稳态激发态寿命，以在其超精细或塞曼能级中承载量子比特，并具有射频/微波分裂。
化学计量晶体中稀土离子集合的量子处理
小型量子处理器有助于使量子网络变得实用且对错误具有鲁棒性。例如，在基于测量的量子中继器中，多量子比特处理器可以净化纠缠[1-3]，消除光子传输过程中由退相干引起的误差。小型处理器可用于生成某些容错通信方案 [5] 或盲量子计算 [6] 所需的簇状态 [4]。如果处理器之间能产生足够强的耦合，那么可扩展的分布式量子计算 [7,8] 将成为可能。适合制造小型量子处理器的物理系统与全尺寸量子计算的物理系统可能非常不同，全尺寸量子计算的主要关注点是扩展到大量量子比特。小型处理器可以优先考虑高量子比特互连性和强量子比特相互作用。这些特性表明系统内的量子比特彼此靠近，例如固体中的自旋簇。这些自旋团簇需要强光耦合，因为上述大多数小型处理器应用都是光学接口。此外，工作波长和带宽应与其他网络元件和光通道相匹配。这种光寻址自旋团簇系统的一个著名例子是金刚石中的氮空位 (NV) 中心与附近一组随机的 13 C 核自旋耦合 [9-11]。在本文中，我们提出了一种用于生成小型量子处理器的自旋团簇系统：稀土晶体中掺杂剂周围的稀土宿主离子（见图 1）。在这样的系统中可以解析数十个量子比特，而短的离子间距离意味着量子比特之间存在强相互作用。稀土离子具有光学可访问的超精细自旋态，具有较长的光学和自旋相干性
用于量子信息处理的捕获离子双层晶体
离子阱系统是量子信息处理的主要平台，但目前仅限于一维和二维阵列，这限制了它们的可扩展性和应用范围。本文，我们提出了一种克服这一限制的方法，通过证明 Penning 阱可用于实现非常干净的双层晶体，其中数百个离子自组织成两个明确定义的层。这些双层晶体是通过加入非谐波捕获势来实现的，这在现有技术下很容易实现。我们研究了该系统的正常模式，发现了与单平面晶体模式相比的显著差异。双层几何形状和正常模式的独特性质开辟了新的机会——特别是在量子传感和量子模拟方面——这在单平面晶体中并不简单。此外，我们说明了可以扩展这里提出的想法来实现具有两层以上的多层晶体。我们的工作通过有效利用所有三个空间维度来增加捕获离子系统的维数，并为利用多层三维捕获离子晶体进行新一代量子信息处理实验奠定了基础。
对DNA构象变化的动态见解以及镁离子对
1,2 deen dayal upadhyay gorakhpur大学物理学系，戈拉赫布尔摘要：分子动力学模拟被用来仔细检查DNA链的构象变化，并阐明镁离子对拓扑异构酶IA酶的影响。通过均方根偏差（RMSD），均方根波动（RMSF），氢键距离，二面角和溶剂可访问的表面积（SASA）的计算，我们精心仔细检查了结构动力学。结果揭示了DNA链改变的复杂模式，展示了镁离子在调节拓扑异构酶IA酶行为中的深刻作用。这项研究为控制DNA构象变化的分子机制提供了基本见解，为进一步理解拓扑异构酶IA酶功能的生化复杂性奠定了基础。关键字：拓扑异构酶IA，MD模拟，DNA裂解，基因组稳定性。
具有3D转换金属离子掺杂的Y3AL5O12的光致发光和辐射发光特性
传感技术，例如辐射检测，（1）生物成像，（2）和（3）是发光材料的某些应用。尤其是，在辐射激发下散发光线的发光材料，称为闪烁体，具有许多应用，包括医学，工业和科学的应用。尽管在过去的几十年中已经研究了许多闪烁体，但（4-7）关于新型闪烁体的基本研究仍然比以往任何时候都取得更好的性能。已经有关于各种类型的闪烁体的报道，例如单晶，（8-21）纳米晶体，（22）晶体膜，（23）陶瓷，（24-27）眼镜，（28-37）塑料，（28-37）塑料，（38）和有机 - 无机混合材料，（39-42），甚至是最后几年。就发光中心而言，特定的掺杂剂（例如CE，欧盟和TL）主要用于商业闪烁体；但是，其他掺杂剂也是我们的利益。在这项研究中，我们研究了Y 3 Al 5 O 12（YAG）的光致发光（PL）和辐射发光（RL）特性，该特性用3D转换金属离子掺杂。我们选择Ti，V，Mn和Cu作为3D-Transiton金属，因为它们被称为或研究为用于激光照明和显示的发光材料的掺杂剂，例如Ti掺杂的Al 2 O 3，（43）V型voped Yag，（44）Mn-Mn-Doped Zns，（45），（45）（45）和cu-dopeded glasses and cu-doppoped glasses and cu-doppoped glasses and cu-doppopep glasses and cu-doppoppopep。（46,47），因为石榴石型单晶
用于囚禁离子光寻址的光栅耦合器的设计与制作
量子计算利用量子比特的量子现象（叠加和纠缠）执行复杂的计算任务 [4]。在过去的几十年中，各种各样的量子比特已经被实现，包括超导量子比特 [2]，[5]，半导体量子点 [6]，[7] 和捕获离子量子比特 [8]。在上述量子比特中，捕获离子量子比特因其在量子纠缠中的高保真度而备受关注，因为捕获离子本质上是相同的 [9]。为了将捕获离子量子比特应用于量子计算设备，霍尼韦尔将 QCCD（量子电荷耦合器件）架构实现到可编程捕获离子量子计算机中。在 QCCD 中，捕获离子量子计算机可以通过将离子阱与用于量子比特光学寻址的光电元件集成到一个紧凑的独立设备中来实现。据报道，QCCD 实现了 2 4 的量子体积测量，并且几乎不存在串扰 [10]。
铬离子对辐射保护的SB2O3-PBO-GEO2玻璃特性
摘要：在这项工作中，我们研究了Li 2 O -SB 2 O 3 -PBO -GEO 2 -CR 2 -CR 2 O 3玻璃系统的辐射屏蔽特征，不同能量的玻璃系统范围为0.284至1.33 MeV。发芽玻璃的最大线性衰减系数（LAC）为0.680-0.707 cm-1，报告为0.284 MeV，而最小lac在1.33 MEV处观察到，并且在0.159-0.159-0.159-0.166 cm--1-1.66 cm-1中变化。由于添加了Cr 2 O 3，因此发现了这些眼镜的lac增加，并且编码为C5（Cr 2 O 3的0.5 mol％）的眼镜具有最高的lac。研究了带有不同含量的Cr 2 O 3的选定玻璃的一半值层（HVL），结果表明，HVL在低能量时很小，在0.284 MEV时为0.98-1.02 cm，从1.328-1.383 cm处于0.347 MEV。在1.33 MeV处观察到最大HVL，C5的最大HVL等于4.175 cm，C1观察到4.175 cm。报告了目前眼镜的第十个值层（TVL）值，结果表明，随着密度从3.07增加到3.2 g/cm 3，TVL从3.388降低到3.256 cm，在0.284 MEV时从13.413 cm下降到13.413 cm，在1.173 mev处降低至12.868 cm。
北美捕获离子会议洛杉矶，加利福尼亚州......
1 演讲摘要 10 对单个捕获 Be + 离子的精确测量 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 Brewer, Samuel M. 使用捕获离子量子计算机模拟圆锥形相交 . . . . . . . . . . . . . 11 Brown, Kenneth 彭宁阱中的量子模拟和参数放大 . . . . . . . . . . . . . . . 12 Carter, Allison L. 通过 Ca + 中同位素位移光谱对新轻标量玻色子进行系统自由限制 . . 13 Doret, Charlie 捕获离子量子计算的进展：新型冷却技术和低温室设计 . ... . ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 Jayich, Andrew 高精度 115 In + / 172 Yb + 库仑晶体光钟，6 × 10 − 16 / √
在真空电弧推进器中产生多电荷离子
微型真空电弧推力器是微型和纳米卫星上推进系统的候选系统之一。它们具有多种优势，例如比冲高、使用密度高、体积小的固体推进剂而不必使用储罐和压力系统，以及包含电子和离子的等离子体膨胀而不必使用中和阴极。多电荷离子的出现是解释离子以极高速度存在的原因之一。本文重点介绍了真空电弧推力器的简化一维模型，考虑了真空电弧推力器典型条件下阴极表面的电子和原子发射以及极间气体的分解。对于钛阴极材料，结果表明，逐步电离是理解真空电弧条件下观察到的高等离子体的关键因素。
在电子束产生的EB等离子体中生产温暖离子
使用电子束（E-BEAM）产生的等离子体具有带有交叉的电气和磁场（E B）磁场的等离子体，表明2D材料（例如石墨烯和单晶钻石）的低破坏处理。 这些敏感材料的低损伤通常归因于入射到底物表面的离子低能和E B场中的离子限制。 在这项工作中，使用激光诱导的荧光诊断的亚晶型氩压在e束E b血浆中的原子和离子速度分布功能的测量值表明，温度的温度有1 eV的温度，足以破坏E型电场，并在E离子散发范围内驱动离子散发的趋势，并在E离子散发范围内散布，而离子的差异则在e离子散射中，并且等离子体结合的墙壁或底物。 因此，正是这种几乎是双极扩散过程，导致撞击壁/底物表面上的带电颗粒的通量。表明2D材料（例如石墨烯和单晶钻石）的低破坏处理。这些敏感材料的低损伤通常归因于入射到底物表面的离子低能和E B场中的离子限制。在这项工作中，使用激光诱导的荧光诊断的亚晶型氩压在e束E b血浆中的原子和离子速度分布功能的测量值表明，温度的温度有1 eV的温度，足以破坏E型电场，并在E离子散发范围内驱动离子散发的趋势，并在E离子散发范围内散布，而离子的差异则在e离子散射中，并且等离子体结合的墙壁或底物。因此，正是这种几乎是双极扩散过程，导致撞击壁/底物表面上的带电颗粒的通量。