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采用 InGaAs 四象限光电二极管实现地面和卫星系统中的自由空间光通信
自由空间光学 (FSO) 最早的应用是以火作为发射器，以眼睛作为接收器，进行早已失传的视距 (LOS) 任务。自由空间光通信 (FSOC) 的下一步发展是使用太阳作为发射器，用镜子或屏蔽来调制到达眼睛的光线作为接收器。这是一个基本的通信系统。快进几千年到 1880 年，光电话专利授予贝尔和泰恩特，用于发射器（太阳或碳丝）和接收器（硒传感器）之间的光通信。许多人认为这是光纤和自由空间光通信的先驱。在现代，无线地面和卫星通信基于射频传输，通过有限的频带和开放的传输路径限制带宽和安全性。随着光子学的发展将其足迹扩展到自由空间光学和自由空间光通信，太赫兹传输触手可及。
INGAAS量子点的量子效率和振荡器强度，用于电信中发出的单光子源O波段
我们基于时间分辨的光致发光光谱证明了实验结果，以确定INGAAS量子点（QDS）的振荡器强度和内部量子效率（IQE）。使用减少应变层，这些QD可用于制造电信O波段中发出的单光子源。通过确定在QD位置的光密度在QD的位置的变化下，在QD的位置确定辐射和非辐射衰减速率，以评估振荡器的强度和IQE。为此，我们对QD样品进行测量，以实现由受控的湿化学蚀刻过程实现的封顶层的不同厚度。从辐射和非辐射衰减速率的数字建模依赖于上限层厚度，我们确定长波长Ingaas QD的振荡器强度为24.6 6 3.2，高IQE（85 6 10）的高IQE（85 6 10）。
由纳米层INGAAS/GAAS异质结构作为量子信息技术的光学材料
摘要：基于应变的带结构工程是一种强大的工具，可以调整半导体纳米结构的光学和电子特性。我们表明，我们可以调整INGAAS半导体量子井的带结构，并通过将其整合到卷起的异质结构中并改变其几何形成，从而改变发光的光线。来自光致发光和光致发光激发光谱的实验结果表明，由于重孔在卷起的Ingaas量子井中的轻孔状态与轻孔的反转，价带状态的强型能量转移与结构相比具有强大的能量转移。带状态的反转和混合会导致滚动量子井的光学选择规则发生强烈的变化，这些量子井也显示出传导带中消失的自旋极化，即使在近乎谐振的激发条件下也是如此。的频带结构计算以了解电子过渡的变化，并预测给定几何构造的发射和吸收光谱。实验与理论之间的比较表明了一个极好的一致性。这些观察到的基本属性的深刻变化可以作为开发量子信息技术新颖的光学设备的战略途径。关键字：频带结构反演，半导体量子井，光学选择规则，滚动微管，拉伸和压缩混合状态，弯曲的半导体膜■简介
ingaas/gaas纳米ridge激光器，具有无定形硅光栅，在300毫米Si Wafer上单层生长
简介。利用互补的金属 - 氧化物 - 溶剂导体（CMOS）工业的发达过程，硅光子电路，这些电路融合了各种光学组件，包括高效的光栅耦合器，高响应速度 - 速度速度光电探测器，以及优秀的调制器[1-3]，现在已广泛使用和使用。但是，缺乏高性能激光是进一步开发硅光子平台的主要瓶颈。直接伴侣III – V半导体是实现实用和紧凑的光源但不容易集成在硅上的有前途的候选者。探索了几种使用应变 - 释放的缓冲层[4-11]的III – V材料的直接键盘，传输印刷和直接整体外观的方法[4-11]来实现这一目标，但都有其局限性。新颖的纳米ridge
InGaAs-SOI 界面缺陷的可靠性调查...
这项工作研究了铟镓砷 (InGaAs) SOI-FinFET 中界面缺陷在高性能应用中的可靠性。In 0.53 Ga 0.47 As 是一种很有前途的下一代晶体管材料，因为它具有高电子迁移率，这对于高速和高频应用至关重要。然而，界面陷阱电荷 (ITC) 的存在会严重影响器件的性能和可靠性。我们全面分析了 InGaAs SOI-FinFET 中的 ITC，研究了它们对线性性能参数（如 VIP2、VIP3、IIP3、IMD3、HD2 和 HD3）的影响。所有结果表明，优化界面质量对于提高 InGaAs SOI-FinFET 的可靠性和性能至关重要。这项工作为缺陷机制提供了宝贵的见解，并为改进制造工艺以实现更可靠的高性能 InGaAs-SOI-FinFET 提供了指导。因此，基于 InGaAs 的 FinFET 是最适合下一代使用的高性能半导体器件。 InGaAs 具有优异的电子迁移率和高饱和速度，为高频和高速应用提供了显著的优势，使其成为硅的理想替代品。
EPIC 单光子源和探测器在线技术会议
- 室温下盖革模式单光子计数雪崩光电二极管 (SPAD) - 改进的 InGaAs SPAD (GHz – 高 QE) - 单光子计数特性和鉴定 - 电信波长
系统工程师，Jena-Optronik GmbH，Lidar Group
- 模式单光子计数雪崩光电二极管（SPAD）在室温下 - 改进的Ingaas Spad（GHz - 高QE） - 单个光子计数表征和资格 - 电信波长 - 电信波长
JBX系列电子光束印刷系统
扫描电子显微镜（SEM）图像显示了INGAAS纳米线在Si上的选择性区域生长：垂直排列的纳米线在Si（111）底物上生长。纳米线之间的表面被SIO 2纤维覆盖。纳米线的直径为90 nm，高度为760 nm。
确定性制造的量子点单光子源在电信o波段中发出难以区分的光子
在这项工作中，我们基于电信O波段中发出的Ingaas量子点（QD）开发和研究单光子源。量子设备是使用原位电子束光刻制造的，结合了热压缩键合，以实现背面金镜。我们的结构基于INGAAS/GAAS异质结构，其中QD发射通过减少应变层在1.3 L m处向电信O带红移。QD通过阴极发光映射预选的QD嵌入带有背面金镜的台面结构中，以提高光子萃取效率。在脉冲非共振润湿层激发下进行的光子自动相关测量在高达40 K的温度下进行，显示纯单光子发射，这使得设备使用Stirling Croimoolers兼容独立操作。使用脉冲P-shell激发，我们实现了单光子的发射，高光子抑制G（2）（0）¼0.0276 0.005，是（12 6 4）％（12 6 4）％（12 6 4）％的AS测量的（96 6 6 10）％和（96 6 10）％和相关的连接时间（212 6 25）的可见性（12 6 4）％。此外，结构显示出5％的提取效率，这与该光子结构的数值模拟所期望的值相当。我们设备的进一步改进将通过光纤维实现量子通信。
