s ummary瞬态电磁(TEM)方法主要用于探索小于几百米的深度的金属沉积物。为了将TEM应用于诸如地热或油储层等更深的目标,我们已经开发了一个具有3轴高温超导超导量子干扰装置(HTS-SQUID)磁性传感器的TEM系统,具有针对外部磁场的高耐用性以及高灵敏度。已经证明,该系统与接地线激发源和3D反转分析相结合,在地热区域中从几十米到3000-4000m的深度提供了高分辨率的电阻率映射,并在Water/CO 2中注入了CO 2存储或矿化。关键字:tem,squid,3D反转,地热,CO 2存储
我们考虑了基于培养基刺激后响应波的测量值的粘性声材料的定量重建(例如,大量模量,密度)的逆问题。数值重建是通过迭代最小化算法进行的。首先,我们研究了算法在衰减模型不确定性方面的鲁棒性,也就是说,当使用不同的衰减模型分别用于模拟合成观察数据和反转时。其次,要处理由域周围墙边界产生的多个反射的数据集,我们使用复杂的频率进行反转,并表明它提供了一个强大的框架,可以减轻多种反射的界限。为了说明算法的效率,我们对超声成像实验的数值模拟进行了数值模拟,以重建包含高对比度特性的合成乳房样品。我们在两个和三个维度上进行实验,后者也可以证明大规模构造中的数值可行性。
磁性系统中的手性相互作用可产生丰富的物理现象,例如,表现为非平凡的自旋纹理。造成手性磁性的最重要的相互作用是 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用 (DMI),它是由强自旋轨道耦合下反演对称性破缺引起的。然而,DMI 的原子起源及其与拓扑霍尔效应 (THE) 等新兴电动力学现象的关系仍不清楚。在这里,我们研究了界面 DMI 在 3 d –5 d 过渡金属氧化物基 LaMnO 3 /SrIrO 3 超晶格中从手性自旋纹理上对 THE 的作用。通过以原子级精度对界面反演对称性进行加法设计,我们将界面共线铁磁相互作用和 DMI 之间的竞争直接与增强的 THE 联系起来。控制 DMI 和由此产生的 THE 的能力指向了一条利用界面结构来最大化手性自旋纹理密度的途径,这对于开发高密度信息存储和用于量子信息科学的量子磁体很有用。
非挥发相变的内存设备利用局部加热来在具有不同电性能的晶体和无定形状态之间切换。扩展这种切换到两个拓扑上不同的阶段需要受控的非易失性切换在两个具有不同对称性的晶体相之间。在这里,我们报告了在两个稳定且密切相关的晶体结构之间的可逆和非挥发性切换的观察,并具有非常不同的电子结构,在近室温的范德华(Van der waals)中,van der waals feromagnet fe 5-Δgete 2。我们表明,通过Fe位置空缺的顺序和无序,可以通过两阶段的晶体对称性来实现开关,这可以通过热退火和淬火方法来控制。这两个阶段是由于在位置排序相中保留的全局反转对称性而存在拓扑结节线的区别,这是由量子破坏性干扰在双位晶格上引起的,而在站点排序相位的反转对称性。
和Pyrochlore超导体CD 2 RE 2 O 7,4 M OS 2 O 6 M = K,RB。5,6也很感兴趣的是基于光元素(例如MGB 2,7 mgcni 3,7 mgcni 3,8 c 6 yb和c 6 Ca,9,9)和第四纪金属间lnni 2 b 2 b 2 C. 10在常规电子 - 磷中的适应性元素中,基于光的元素是相应的元素,该元素是相应的元素。他们显示的频率,建议在寻找新的超导材料时有可行的途径。几乎所有已知的超级导管的一个重要特征是晶体结构中存在反演对称性,这是形成常规库珀对的关键概念。MNSI中缺乏超导性,这归因于其缺乏反转对称性。11,因此,在非中心对称CEPT 3 Si,12 li 2 Pd 3 B,13和Li 2 Pt 3 B Ref的最新报道中,关于超对称Cept 3 Si,12 li 2 pd 3 b。14刺激了在这些化合物中不常见和预测非常规行为的重大努力。15 - 18
第二次谐波生成(SHG)是一个非线性光学过程,其中两个光子连贯地组合成两个光子的能量的两倍。的效果SHG。在这里,我们显示了反转对称晶体中非线性光学过程的调整。这种可调节性基于双层MOS 2的独特性能,该特性显示出强烈的光学振荡器强度,但也显示了层间激子的共振。当我们通过改变激光能将SHG信号调谐到这些共振上时,SHG振幅通过几个数量级增强。在谐振情况下,双层SHG信号达到的幅度与单层的两个共振信号相当。在施加的电场中,可以通过鲜明的效应来调节层间激子能量。因此,取消了层间激子退化性,并通过我们的模型计算得出的良好再现了两个数量级,进一步增强了双层SHG响应。
摘要 本文提出了一种基于反转电荷的 MOS 晶体管 7 参数分析模型,旨在开发考虑 MOS 晶体管物理特性的简化分析电路设计方法。所提出的面向设计的模型首次能够描述先进纳米技术的主要短沟道效应以及晶体管漏极电流对漏极电压的依赖性,同时该模型对所有偏置状态(从弱到强反转)和所有工作区域(线性和饱和)均有效。提出了一种基于器件物理的简单程序来估算给定技术的晶体管模型参数。此外,针对不同的设计场景开发了电流导数的解析表达式。通过直接与 28 nm FD-SOI 技术中 N-MOS 晶体管的硅测量值(沟道宽度为 1 µ m,沟道长度为 30 nm、60 nm 和 150 nm)以及使用行业标准紧凑模型执行的模拟进行比较,验证了所提模型的准确性。
三角形PTBI 2是一个没有反转对称性的分层半学,在费米能的附近具有12个Weyl点。最近显示其拓扑费米弧在不存在大量超导性的低温下显示出超导。在这里,我们执行第一个原理计算,以详细研究PTBI 2的整体和表面电子结构,并获得自旋纹理以及弧的动量依赖性定位。是由在压力下或掺杂下实验观察到的反转对称性的恢复的动机,我们在两个结构之间插入,并确定Weyl节点的能量和动量依赖性。为了深入了解PTBI 2的表面超导性,我们构建了对称性适应的有效四波段模型,该模型可以准确地重现PTBI 2的Weyl点。我们通过对费米弧线之间的对称允许配对进行分析,该模型自然混合了旋转单链和旋转三键通道。此外,仅表面超导的存在促进了固有的超导体 - 隔离 - 占主导地位约瑟夫森连接,而半金属相夹在两个超导体表面之间。对于π的相位差,零能量的Andreev结合状态在两个终止之间形成。
联合学习(FL)促进了客户在培训共享的机器学习模型的情况下合作,而无需公开各个私人数据。尽管如此,FL仍然容易受到效用和隐私攻击的影响,特别是逃避数据中毒和建模反演攻击,从而损害了系统的效率和数据隐私。现有的范围通常专门针对特定的单一攻击,缺乏普遍性和全面的防守者的观点。为了应对这些挑战,我们介绍了f ederpography d efense(FCD),这是一个统一的单框架,与辩护人的观点保持一致。FCD采用基于行的转座密码加密,并使用秘密钥匙来对抗逃避黑框数据中毒和模型反转攻击。FCD的症结在于将整个学习过程转移到加密的数据空间中,并使用由Kullback-Leibler(KL)差异引导的新型蒸馏损失。此措施比较了本地预审最终的教师模型对正常数据的预测以及本地学生模型对FCD加密形式相同数据的预测的概率分布。通过在此加密空间中工作,FCD消除了服务器上的解密需求,从而导致了计算复杂性。我们证明了FCD的实践可行性,并将其应用于对基准数据集(GTSRB,KBTS,CIFAR10和EMNIST)上的Evasion实用程序攻击。我们进一步扩展了FCD,以抵御CI-FAR100数据集中的Split FL中的模型反转攻击。与第二最佳方法相比,我们在各种攻击和FL设置中进行的实验表明了对效用逃避(影响> 30)和隐私攻击(MSE> 73)的实际可行性和巨大性。
4 重要的是,模型反演本质上不是一个近似过程。因此,通过说生成模型是反演的,我们还没有展示如何解决难解性问题。由于技术细节相当复杂(参见 Bogacz 2017),并且对我的论点无关紧要,因此我不会在这里概述它们。感谢一位匿名审稿人注意到了这个问题。