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教育和考试条例2024-2025…
chair : Said Rodriguez 08.45 I 04 Natalia Berloff (Applied Mathematics and Theoretical Physics, University of Cambridge, United Kingdom) “Gain-based computing with coupled light-matter systems” 09.30 Short talks O 11 Stan de Lange (Advanced Research Center for Nanolithography, ARCNL) “Modeling the hundreds-of-nanoseconds-long irradiation of tin droplets with a 2 micrometer-wavelength laser for future EUV lithography” O 12 Anubhav Paul (Imaging Physics, Delft University of Technology) “Coherent Fourier scatterometry for subwavelength shape determination” O 13 Olga Duda (HFML-FELIX Laboratory, Radboud University) “Energy flow after vibrational excitation of small molecules” O 14 Kevin Peters (University of Bonn, Germany) “储层诱导的光子冷凝物阵列中的拓扑阶段”
STP484-EB/1970 年 1 月讨论 - ASTM International
并在 400 C 下进行疲劳测试，我们可以看到 a 相的证据。由于辐射导致的 (111)~, 峰的 X 射线线增宽掩盖了 (ll0)a 峰，因此证据基于 (211)a 和 (200)a 峰，这两个峰具有第二高的强度。在相同的辐射和测试温度下对冷锻回火样品进行 X 射线衍射，得到 a 相的负面迹象。值得注意的是，CST 样品在辐射和测试之前在 760 C 下进行了最终回火，以稳定结构，从而去除 a 相。我们表明，冷加工和冷锻回火处理的有益效果在 700 C 时大致相同，并且在 600 C 测试中存在。循环硬化行为
STP484-EB/1970 年 1 月讨论 - ASTM International
并在 400 C 下进行疲劳测试，我们可以看到 a 相的证据。由于辐射导致的 (111)~, 峰的 X 射线线增宽掩盖了 (ll0)a 峰，因此证据基于 (211)a 和 (200)a 峰，这两个峰具有第二高的强度。在相同的辐射和测试温度下对冷锻回火样品进行 X 射线衍射，得到 a 相的负面迹象。值得注意的是，CST 样品在辐射和测试之前在 760 C 下进行了最终回火，以稳定结构，从而去除 a 相。我们表明，冷加工和冷锻回火处理的有益效果在 700 C 时大致相同，并且在 600 C 测试中存在。循环硬化行为
A-FNS的演示毯材料测试模块的概念设计
辐射损伤来自融合演示反应堆材料的高能中子辐照，必须经过良好的测试和验证。为此，预测了国际融合材料辐射设施（IFMIF）直到几年前[1]。先进的融合中子源（A-FNS），以实现对日本融合反应堆材料的融合样中性辐照试验的早期实现。在欧洲的类似原因出于类似的原因，已经开始了面向IFMIF的中子源（Dones）项目[3]。a-fns将两个IFMIF型加速器降低到一个，因此将其配置为一个Deuteron加速器，液态锂目标和测试设施。即使总中子通量从IFMIF发生变化，中子IRRA diation数据减少了激活铁素体马氏体钢（RAFM），例如F82H（例如F82H），使用融合样中性子基于blandet结构材料测试模块（BSMTM）的前景，我们先前的研究基于A-FNS [4]。a-FNS提供了八个测试模块，以获取融合反应堆材料的Irradi数据，不仅用于毯子结构材料，而且还获得了毯子功能材料，例如中子乘数和tripium育种者。此外，在测试模块辐射之前进行了一个用于中子通量测量的模块，并提供了四个用于其他应用目的的测试模块，例如制造医疗同位素，为半导体提供了辐射测试。图1显示了带有屏蔽混凝土塞的融合反应堆材料的A-FNS测试模块。BSMTM的概念设计[4]，毯子核财产
氦离子暴露对MGB $ _ {2} $和NBN检测器的单光子灵敏度的影响
摘要 - 超导纳米电视单光子探测器（SNSPDS）的可伸缩性，可重复性和操作温度一直是自设备首次提出以来的主要研究目标。最近将氦离子辐照作为SNSPD的后处理技术的创新可以使高检测效率更容易复制，但仍然知之甚少。此外，从高-T C材料中以微米范围的尺度制造探测器可以分别提高可伸缩性和工作温度。同时，在宽电线和诸如Diboride镁之类的更高T材料中制造成功的设备已被证明已被证明。在这项工作中，我们比较了硝酸氮化物和二吡啶镁探测器中的氦离子辐照，并与不同的材料堆栈进行了比较，以便更好地了解辐照的机制以及在有效剂量上封装层的实际意义。我们检查了实验有效剂量测试的效果，并将这些结果与相应材料堆栈中模拟预测的损伤进行了比较。在两种材料中，辐照都会导致计数率的提高，尽管对于硝酸盐而言，即使在测试最高的剂量为2的最高剂量下，这种增加也没有完全饱和。6×10 17离子/cm 2，而对于抗封闭的二氨基镁，即使是测试的最低剂量为1×10 15离子/cm 2的最低剂量似乎高于最佳。我们的结果证明了氦离子辐照到截然不同的设备和材料堆栈中的一般适用性，尽管具有不同的最佳剂量，并显示了这种后加工技术在显着提高SNSPD效率方面的可重复性和有效性。
![arxiv：2401.08279v1 [cond-mat.supr-con] 2024年1月16日](/simg/f\f17eaad8e5ad12084321ea6b9e35eaabe5ef293a.webp)
arxiv：2401.08279v1 [cond-mat.supr-con] 2024年1月16日
我们报告了RBCA 2 Fe 4 AS 4 F 2中3.5 MeV质子辐照的影响，4 F 2是一种基于铁的超导体，在Pnictides和Pnictides和Cuprate高温超导通器之间具有不寻常的特性。我们研究了由离子轰击引入的结构障碍如何通过结合共面波导谐振技术，电动传输测量和点接触Andreev-Reflection Spectroscopicy来影响临界温度，超流体密度和间隙值。与在可比的辐射条件下其他基于铁的超导体相比，与其他基于铁的超导体相比，超导性特性异常弱依赖性。原始rbca 2 Fe 4 AS 4 F 2展示的节点多图态也对质子辐照也很强大，其中两个波段D -d模型是最适合实验数据的模型。
氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
Figure 12.1540-MeV 209Bi ion irradiation 1.7 × 10 11 ions/cm 2 TEM images of AlGaN/GaN HEMT devices: (a) Gate region cross-section; (b) The orbital image of the heterojunction region shown in Figure (a); (c) The image shown in Figure (a) has a depth of approximately 500 nm; (d) Traces formed at the drain; (e) As shown in Figure (d), the trajectory appears at a depth of ap- proximately 500 nm [48] 图 12.1540-MeV 209Bi 离子辐照 1.7 × 10 11 ions/cm 2 的 AlGaN/GaN HEMT 器件的 TEM 图像： (a) 栅极区域截面； (b) 图 (a) 所示异质结区域轨道图 像； (c) 图 (a) 所示深度约 500 nm 图像； (d) 在漏极形成的痕迹； (e) 如图 (d) 所示，轨迹出现在深度约 500 nm 处 [48]
Tohoku University金属材料研究所Oarai-Alpha联合研究小组Tohoku University金属材料研究所Oarai-Alpha联合研究小组
tohoku大学中子辐射硬化和在核反应器压力容器钢的硬化层中的层次和低激活的铁质钢，并阐明在低温中子中的辐射层中，观察到过度辐照机制的过度辐射层的层压层和反应型均质的层次不足[ ation铁素钢和在低温中子二进制合金中观察到的过度辐射硬化的机制
![arxiv：2409.10380v2 [cond-mat.mes-hall] 24年9月24日2024](/simg/6\669cc5e60579e0516e6a48d7c6b8bce3cd3d77e4.webp)
arxiv：2409.10380v2 [cond-mat.mes-hall] 24年9月24日2024
我们提出了一项有关通过任意极化光照射增强双层石墨烯（BLG）的热电（TE）性能的综合研究，重点是具有锯齿形边缘的AA和AB堆放的配置。利用紧密结合理论和密度功能理论（DFT）的结合，我们系统地分析了光照射对电子和语音传输特性的影响。光照射改变了电子跳跃参数，创造了不对称的传输函数，从而显着增加了Seebeck系数，从而增强了功绩（FOM）的整体形象。对于语音贡献，DFT计算表明，与AA相比，ABSTACKSTACKSTACKENSTACK STACKENS呈现较低的晶格导热率，这归因于增强的Anharmonic散射和声子组速度。组合分析表明，在两种堆叠类型中，FOM都超出了统一性，在辐射引起的间隙附近有了显着改善。此外，我们探讨了FOM对系统尺寸和温度的依赖性，这表明光辐射的BLG对有效的热电学转换和废热恢复具有很大的希望。我们的结果显示在广泛的辐照参数中的响应良好。这些发现提供了通过光引起的修改为高级TE应用优化BLG的关键见解。
Si衬底上沉积的HfO2栅极介电体界面陷阱密度和串联电阻的频率依赖性研究：50MeV Li3+离子辐照前后
我们首次报告了 50 MeV Li 3+ 离子辐照对串联电阻和界面态密度的频率依赖性影响的研究，这些影响是由射频溅射制备的 HfO 2 基 MOS 电容器的电容-电压 (C-V) 和电导-电压 (G-V) 特性确定的。样品在室温下用 50 MeV Li 3+ 离子辐照。测得的电容和电导已根据串联电阻进行校正。在辐照之前和之后，在 1 KHz 至 1 MHz 的不同频率下估算了串联电阻。观察到串联电阻在辐照前随频率从 6344.5 降低到 322 欧姆，在辐照后降低到 8954-134 欧姆。界面态密度D it 由辐照前的1.12×10 12 eV 1 cm 2 降至3.67×10 11 eV 1 cm 2