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SVLO-ST 激光辐照检测系统，带有...
- 确定水平平面中激光源的方向 - （30±5）°。- 带有Plo st Laser探测器输入窗口的激光脉冲的辐照范围 - 从3·10 -9 J/cm 2到3·10 -5 J/cm 2。- 打开 - 1 s后SVLO-St系统的热身时间。 - 工作温度范围 - 从减去40°到 + 60°。- 在税务模式下24 V的标称电压下的功耗不超过5 W，在手榴弹射击模式下 - 不超过120 W-尺寸：PLO ST - 最大Ø220×160 mm指示和控制面板PU - 最大160×160×130×70mm启动器 - 最大最大280 mm
Borse Scudo
该项目的目的是加深对通过实验研究中融合反应器中使用的超导材料的中子辐射影响的理解。要充分调查融合环境中影响HTS的可能问题，必须将它们暴露于主要颗粒（中子），并根据引入无序的总水平（Fulinence Affects（Fulinence Affects）和损害积累率（Flux Affects）研究预期的损害制度。此外，在测量样品的性质的同时，需要在低温条件下进行辐射，并且应进行所有表征，而无需加热100K以上的样品以避免退火。但是，从今天开始，没有理想（即存在融合环境中的频谱和通量）中子源，有必要开发新的中子照射实验方法。在此框架中，我们的小组正在与Enea Frascati的Frascati Neutron Generator（FNG）的研究人员合作，以设计，开发和测试独特的照射和表征设施。
低能电子辐照是ATMP制造中（CAR-）NK-92细胞灭活（CAR-）NK-92细胞
背景：随着NK-92细胞及其在癌症免疫疗法中的CAR模型衍生物的临床使用越来越多，对这些“现成”疗法的有效生产过程的需求不断增长。为了确保安全并防止发生继发性肿瘤，（CAR-）NK-92细胞增殖必须在输血前被灭活。这通常是通过伽马射线来实现的。最近，我们展示了低能电子照射（LEEI）是NK-92失活的一种新方法。Leei比伽马射线具有多个优点，包括更快的反应时间，更可重复的剂量率和对辐射屏蔽的需求更少。在这里，LEEI被进一步评估为具有高度维持的细胞毒性效应子功能的伽马射线的有希望的替代方法。
中国中子源大气中子辐照谱仪调试
大气中子辐照谱仪（ANIS）是中国散裂中子源（CSNS）的一条新光束线，主要用于现代微电子的加速测试。它具有类似大气的中子谱，具有准直束斑和泛光束斑。ANIS 总长 40 米，配备中子快门、飞行管、中子扩展器、通量控制器、准直器、清除磁铁、中子滤波器以及光束线屏蔽。ANIS 后端设有控制室、操作室和储藏室。设计、组装、检查测试和初始调试测试于 2022 年成功完成。ANIS 目前处于科学调试的高级阶段，用于测量不同配置下的中子谱、通量和剖面。使用裂变电离室 (FIC)、位置灵敏气体电子倍增器 (GEM)、活化箔和单晶金刚石探测器测量了中子束特性。在这项工作中，我们介绍了 ANIS 的测量光束规格和光束评估，这对于即将启动的 ANIS 用户计划很有希望。还介绍了早期操作和用户实验。
高能质子辐照对GaN混合漏极的影响...
为了为 CERN 加速器隧道的新灯具提供耐辐射 LED 电源，需要对商用级功率晶体管在高水平粒子辐照下进行特性分析，因为这对半导体器件来说是一个恶劣的环境。这项工作描述了 24 GeV/ c 质子辐照对商用 GaN 混合漏极嵌入式栅极注入晶体管 (HD-GIT) 的影响，当时的剂量为 5.9 × 10 14 p/cm 2。漏极漏电流、阈值电压和 I ds − V ds 曲线的测量表明，在考虑的剂量之后，GaN HD-GIT 的电性能仅发生微小变化；例如，辐照后阈值电压平均增加约 11-13 mV。我们还对质子辐照引起的性能退化提出了物理解释；尤其是高电场下 2DEG 通道中的电子漂移速度似乎由于辐射引起的声子弛豫速率增加而降低。最后，提出了一种使用 GaN HD-GIT 进行电流控制的 AC/DC LED 电源，用于 CERN 隧道的新型灯具，满足辐射硬度和光质量方面的要求。
电子辐照：从测试到材料定制
简介。数十年的研究表明，辐射能够极大地改变材料的物理化学性质。这种影响会导致材料和相关设备的退化，并限制其在特定应用中的使用 [1-7]。电子在物质中的路径上可以以多种方式相互作用 [8]。它们的大部分能量通过与电子的相互作用转移到材料中：这些碰撞是电离现象的原因。同时，电子还可以与原子核发生碰撞，导致它们从常规晶体位置移位。该过程的结果是产生空位和间隙原子。这种过程被定义为非电离能量损失，它决定了位移损伤 [6, 9]。位移损伤会导致材料性能和设备在恶劣环境中的性能下降。电子设备 [6] 和用于太空应用的太阳能电池 [5, 10] 就是这种情况。在这一领域，电子辐照是一种广泛使用的工具，用于测试太阳能电池的辐射响应，并确保在整个卫星任务期间产生足够的能量。随着时间的推移，电子辐照已转向寻找更耐辐射的材料，以及生产能够抵抗太空极端条件的太阳能电池[11]。因此，辐照越来越多地参与到研究项目中，这种趋势仍在持续和发展。在其他研究领域也可以找到类似电子辐照的例子[1]。高能电子(HEE)辐照与其他辐照技术确实不同：事实上，由于电子质量小，向较重原子核的能量转移仍然非常小。质子或其他重粒子可以诱导类似的损伤过程，但这些粒子传递的能量非常重要，因此第一次碰撞会产生一系列二次事件，导致产生复杂且广泛的缺陷[1,6,9,12]。相反，HEE 辐照主要产生孤立的点缺陷，即由空位和间隙原子组成的 Frenkel 对 [13]。然后，当
电子辐照显示出可靠的完全间隙...
使用电气传输和射频磁敏感性的测量结果，研究了Laniga 2的Single晶体的超导晶体的超导相。发现伦敦穿透深度随温度呈指数变化，表明费米表面完全间隙。推断的超流体密度接近单间隙弱耦合各向同性S-波超导体的密度。超导性对于通过电子辐照引起的非磁点样疾病非常健壮。我们的结果通过需要微调的杂质散射幅度来对先前提出的三重态配对状态施加强大的限制，并且最自然地通过具有符号的签名，弱耦合和近似动量独立的单线超导状态来解释Laniga 2中，这不会破坏时间反向对称性。我们讨论了如何将我们的发现与以前指示超导阶段的磁性特征的测量值核对。
HFIR辐照后关于Inconel 718的演变的报告
1996年1月1日以后生产的报告通常可以通过美国能源部（DOE）Scitech Connect免费获得。网站www.osti.gov 1996年1月1日之前生成的报告可由以下资料来源：国家技术信息服务：国家技术信息服务5285皇家皇家路Springfield，VA 22161电话703-605-6000（1-800-553-6847） info@ntis.gov Website http://classic.ntis.gov/ Reports are available to DOE employees, DOE contractors, Energy Technology Data Exchange representatives, and International Nuclear Information System representatives from the following source: Office of Scientific and Technical Information PO Box 62 Oak Ridge, TN 37831 Telephone 865-576-8401 Fax 865-576-5728 E-mail reports@osti.gov Website http://www.osti.gov/
热处理和快中子辐照对微观结构和
在打印和热处理条件下研究了通过激光粉末床熔合 (L-PBF) 制造的 Inconel 625 的微观结构。L-PBF 工艺固有的极高冷却速度通常会产生精细的微观结构和复杂的残余应力场，这需要退火以减少应力并调整微观结构以获得所需的机械性能。Inconel 625 合金是一种镍基高温合金，仍然是 L-PBF 工艺中常用的材料。L-PBF 工艺产生的独特微观结构和不同热处理工艺引入的不同相需要研究，以促进材料的广泛应用。本文研究了在 700°C、900°C 和 1050°C 下进行一小时热处理对 L-PBF 部件的微观结构和显微硬度的影响。这些部件在密苏里大学研究反应堆中心 (MURR) 使用“快”中子进行辐照。还比较了辐射前后的显微硬度。