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在本文中，基于高浓度下硅硅的分析建模，可用于硅酸盐在高浓度上的分析建模，适用于Boron扩散和二氧化硅的薄膜上的薄膜，这是基于大量微加工（BMM）技术的生物医学应用的设计和制造的先进结果，该硅电容传感器的生物医学传感器的设计和制造。The boron diffusion in silicon for the fabrication of the silicon capacitive sensors for biomedical applications and other Microelectromechanical Systems (MEMS) is a critical process, because the boron diffusion profile depends on the diffusion oxidizing (BBr 3 , B 2 O 3 )/non-oxidizing (BN – Boron Nitride) sources, and furthermore, the subsequent etching速率（因此蚀刻时间）取决于硅体积中硼浓度C的深度分布x，因此对此曲线C（x）的精确模拟允许进行膜设计和制造的准确蚀刻过程。为此，为硼扩散和蚀刻过程提供了分析显式关系，适用于上述情况（BBR 3，B 2 O 3或使用），也适用于非线性扩散方程的一般溶液的一般形式，其溶液的一般形式具有与浓度C的扩散系数D的扩散系数D的扩散系数D的脉冲，以D〜C m（M M）的浓度（m - a - a - a sil difff contection dife contection） c = c（x），也作为反向关系x = x（c），以便于C.
JST136C-600 - JIEJIE MICROELECTRONICS CO., LTD.
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JST55系列
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JST41T系列
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JST136C-600D - 深圳市杰杰微电子有限公司
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JST134V-800D - 深圳市杰杰微电子有限公司
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JST137K-800G - JIEJIE MICROELECTRONICS CO. , Ltd
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JST12A-600B - JIEJIE MICROELECTRONICS CO. , Ltd
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JST131V-800D - 深圳市杰杰微电子有限公司
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