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单元4超电导率 - wavoo wajeeha妇女学院
a.c josephson效应让整个连接处都应用静态势差，库珀对在整个连接处的隧道过程中引入了另一个阶段。可以使用量子力学计算这种附加相变（∆φ）。
直接测量石墨烯超导量子干扰装置中的罪（2φ）电流相关
在约瑟夫森交界处，当前的相位关系将通过弱环连接的两个超导导向引线之间的超导顺序参数φ的相变与耗散电流。这种关系是连接点的指纹。它通常由sinðφharmonic主导，但是，它的精确知识对于设计具有量身定制性能的量子电路是必要的。在这里，我们直接测量了用栅极可调的石墨烯约瑟夫森连接制成的超导量子干扰装置的当前相位关系，我们表明它可以用作sinð2φose的约瑟夫森元素，而没有传统上主导的sinðφsarmone。此类元素将有助于开发免受反应性的超导量子位的发展。
轴子暗物质搜索中的量子传感
即使实验被冷却至宇宙中最低的温度（约10 mk），并且使用Josephson参数放大器（JPA）来最大程度地减少噪声，但它们引入了基本噪声（SQL，标准量子量极限噪声）
量子电标准及其工业应用
➢通过Josephson和Quantum Hall效应定义H，kibble（瓦特）平衡：Nist（US），NRC（CA），Metas（SW），LNE（FR），Kriss（Kriss（Kr），MSL（NZ），MSL（NZ），BIPM等。➢joule余额：nim（CN）
量子电压标准综述：研究现状、应用及发展趋势
摘要：与传统的伪影电压标准不同，量子电压标准与基本物理常数有关，因此具有高准确性和稳定性等电压计量学的优势。本文回顾了约瑟夫森效应的发现以及建立直流量子电压标准的过程，重点是结合AC量子电压标准的基本原理，问题以及应用的应用，包括可编程的约瑟夫森电压标准和脉搏驱动的Josephson的标准，并比较了两种AC量子的应用。特别是，鉴于准确的电能测量的重要性，引入了两个基于量子电压的交流功率标准。最后，未来的发展趋势和量子电压标准的应用前景得到了验证。
量子计算和模拟用被困离子的振动模式
电容，其中C G是栅极电容，C J是连接电容，如图1。对于电荷零件，约瑟夫森能量与充电能量E J / E C的典型比率约为1，因此充电能量主导。特征力E M对过渡能E 01的响应比（E 1-e 0在n g = 0。5）在图中绘制了量子的2（a）。对于不同的E J / E C（5、10和50）的其他比率E M / E 01也在图1和图2中绘制。2（b） - 2（d）。由于ˆφ和ˆ n满足换向关系ˆφ，ˆ n = i，电荷数是一个良好的量子数，并且相相对较大。Josephson连接通常用DC平方（Su-percoductucting量子干扰装置）代替，该连接可以用作可调的Josephson交界处，从而增加了操纵电荷Qubit的功能。在所谓的电荷基础上，[4] ˆ n =σn n | n⟩⟨n |和cosφ= 1 /2·σN（|n⟩⟨n + 1 | + | n + 1⟩⟨n |），可以将汉密尔顿人写成< / div>
扭曲的范德华异质结构中的超导量子干扰
摘要：我们证明了约瑟夫森连接和超导量子干扰装置（Squid）的形成，使用干燥转移技术堆叠并确定性地错误地对机械地位，机械地对2的NBSE 2的植物进行了非对齐。发现所得扭曲的NBSE 2-NBSE 2连接的当前 - 电压特性对晶体学轴的未对准角度敏感，打开了一个新的控制参数，以优化设备性能，这在薄纤维 - 模拟式固定的连接处不可用。随后已经实施了单个光刻过程，以将约瑟夫森连接塑造成典型的环形区域约25μm2的鱿鱼几何形状，并且较弱的环节宽约600 nm。在t = 3.75 k时，在应用的磁场中，这些设备分别显示出较大的稳定电流和电压调制深度，分别为δi c〜75％和δv〜1.4 mV。关键字：范德华异质结构，约瑟夫森交界处，超导量子干扰装置，二维材料，NBSE 2 S
量子 - Indico Global
典型的约瑟夫森结 ∼ ( 4 − 6 ) GHz，谐振器 ∼ ( 5 − 9 ) GHz。各向异性 = α 1 = ( E 2 - E 1 ) - ( E 1 - E 0 ) < 400 MHz。
绝缘子：一个新的低温混合超导电子
基于Hybrid Inas Josephson连接（JJS）的超导电路在快速和超低功率消耗固态量子电子设备和探索新型物理现象的设计中起着主角的作用。常规上，使用INA制成的3D基材，2D量子井（QW）和1D纳米线（NWS）用于与混合JJS创建超导电路。每个平台都有其优点和缺点。在这里，提议将Inas-ins-on-insun-unsulator（Inasoi）作为开发超导电子产品的开创性平台。具有不同电子密度的半导体INA的表层呈现到Inalas变质的bu效中，有效地用作低温绝缘子，以将相邻的设备电气解除。JJ是使用Al作为超导体和具有不同电子密度的INA的。的开关电流密度为7.3μm-m-1，临界电压为50至80μV，临界温度与所使用的超导体的临界温度相当。对于所有JJS，开关电流都遵循带有平面外磁场的Fraunhofer样图案。这些成就使使用Inasoi可以使用高临界电流密度和出色的门控性能设计和制造表面暴露的Josephson场效果。