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Power MOSFET可靠性：基于LTSpice的交界处...
摘要：电源开关系统的重要特征之一是使用快速开关电源半导体设备。MOSFET用于快速开关应用程序，包括无线电源传输开关系统。基于热时间常数的热模型对于准确预测MOSFET设备功率耗散和特性是必要的。文献中讨论的许多热模型都是基于线性近似的，而不是旨在结合动态MOSFET特性和散热器模型。在本文中，我们介绍了现有热模型的文献调查。为MOSFET R DS（ON）开发了一个模型，以及平均功率计算，散热器温度和连接至案例温度。使用LT Spice Simulation工具将R DS（ON）的瞬态热模型（ON）合并到完整的桥梁谐振模型中。计算半导体装置内的MOSFET功率耗散和连接温度。提出的模型具有动态功能，根据模拟时间调节设备电阻。因此，该模型非常适合根据流经设备的谐振电流预测MOSFET连接温度。通过模拟结果，我们提供了连接温度升高和平均功率耗散的估计，从而验证了拟议方法的有效性。索引项 - MOSFET，可靠性，LT香料，功率，温度，高压。
引用发布版本（APA）：Kubulus，P。P.，Jørgensen，A。B.，Beczkowski，S。M.和Munk-Nielsen，S。（2022）。 LTSPICE -MATLAB接口fo
摘要 - 随着宽带半导体的最新出现，电力电子设计过程逐渐向数字空间移动。但是，作为准确的瞬态分析的主要工具的香料软件仍然缺乏所需的功能和鲁棒性，以探索数字双胞胎模型推出的大型设计空间。在这项工作中，香料电路求解器已与MATLAB编程环境连接。与文献相比，主要重点已放在减轻香料求解器固有的收敛误差而不改变求解器算法本身的情况下。收敛成为一个至关重要的问题，因此有必要确保它。这是通过基于电路元素公差，求解器参数适应和初始条件继承来实现参数变化来实现的。通过非数字（NAN）结果比例和运行时，将每种方法的效果比较了双脉冲测试电路的情况。索引术语 - 香料，收敛，接口，matlab，opimization
为电磁瞬态模拟形成 IBR
摘要 — 我们推导了用于电磁暂态 (EMT) 仿真的电网形成 (GFM) 逆变器资源 (IBR) 的控制层和物理层子系统的等效电路模型。考虑了三种不同的主控制器：下垂、虚拟同步机 (VSM) 和可调度虚拟振荡器控制 (dVOC)。此外，这些模型包括级联电压和电流控制环路以及 LCL 输出滤波器。本文介绍了单逆变器设置和改进的 IEEE 14 总线拓扑中的五个逆变器网络的仿真。使用模拟电子电路仿真软件（在我们的例子中是 LTspice）模拟的等效电路模型与商用现成的 EMT 软件（在我们的例子中是 MATLAB-Simulink）中基于框图的实现相比，具有相同的精度，但计算负担降低了 150 倍。索引词 — 电磁暂态仿真、等效电路模型、电网形成逆变器。
LTM8071 (Rev. B) - ADI 公司
TR/SS（引脚 B2）：TR/SS 引脚用于提供软启动或跟踪功能。内部 2μA 上拉电流与连接到此引脚的外部电容器相结合，产生电压斜坡。输出电压跟踪到此电压。为了进行跟踪，请将电阻分压器从跟踪的输出连接到此引脚。在关机和故障条件下，此引脚通过内部 MOSFET 接地；如果从低阻抗输出驱动，请使用串联电阻。如果不需要跟踪功能，则此引脚可以悬空。在启动期间，如果在 TR/SS 上使用相对较低的电容器，输出电压可能需要比预期更长的时间才能达到调节效果。如果需要准确的启动时间，请参考 LTspice 中的 LTM8071 仿真模型，以帮助选择合适的软启动电容器。