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双参考层STT-MRAM结构提高了性能
自旋转移扭矩磁盘磁盘随机记忆（STT-MRAM）是一项新兴技术，该技术旨在取代其不易作用，并且由于其不易作用，并且越来越改善功耗，高存储密度，快速的写作速度，强大的耐力和长期数据退休，因此可能会替代其不易启动性的闪光，DRAM和慢速SRAM。如图1A，STT-MRAM设备由铁电磁（FM）参考层（RL）组成，具有固定磁化方向，绝缘体隧道屏障（TB）和铁磁自由层（FL），具有可变的磁化方向。这三层的连接形成了磁性隧道连接（MTJ），由于这是单元的中心分量，因此整个结构被称为单个MTJ（SMTJ）。信息是基于出现的不同电阻水平存储的，当将FL磁化设置为平行（P）或反平行（AP）与RL磁化方向时。这些磁化状态之间的变化是通过通过与层堆栈平行的结构进行足够大的电流来实现的[1]。目前，STT-MRAM设备面临的挑战之一是它们的小型化是为了达到增加的存储密度，这将使它们用于更广泛的应用，从而扩大了对常规波动记忆的竞争力。该目标的主要途径是减小位单元大小，该大小主要由提供开关电流所需的接触尺寸确定。因此，降低电流和同样的电压，
反应性离子和原子层蚀刻的损伤分析...
在当前的MSC论文中，使用具有Cl 2 /ar +过程的常规RIE和具有相同蚀刻化学的新开发的啤酒对Si（100）中的辐射损伤进行了比较研究。然后通过开尔文力探针显微镜（KFPM）测量接触电势差（CPD）分析的表面损伤。这些实验的结果表明，由于CPD的值和蚀刻表面的工作函数远低于ALE样品的值，因此RIE过程造成的损害很高。根据接近原始Si的CPD值，啤酒过程显示在蚀刻的Si样品上几乎最小损伤形成（100）。最后，该项目为与本研究所使用的不同条件下进一步研究啤酒损害打开了大门，因为它对纳米制作和半导体行业的重要性。
D2.3 QKDN协议技术报告：量子层
加密协议是一种抽象或具体的协议，它执行与安全相关的功能并应用加密方法 [b-Dong]，正如本报告所示，QKD 协议 [b-ITU-T X.1710] 具有加密协议的特征。QKD 协议可以被视为一种密钥建立协议，其中两个远程方按照分步程序协商秘密对称密钥，其中每一步都与安全性有关。与基于算法的传统解决方案不同，QKD 协议需要使用专用硬件通过物理通道传输量子态，并使用软件对经典信息进行后处理以输出随机位作为密钥。从这个意义上讲，QKD 协议也可以被视为一种通信协议，其中通信协议是一套规则系统，允许通信系统中的两个或多个实体通过任何类型的物理量变化来传输信息 [b-Popovic]。本技术报告旨在介绍 QKDN 背景下的 QKD 协议，并提供一些标准化观点。
氧化膜上铜的原子层沉积
通过 ALD 循环次数可以实现区域选择性沉积 (ASD)。然而，对薄膜生长的横向控制，即区域选择性沉积 (ASD)，对于 ALD 来说要困难得多。尤其微电子应用需要 ASD 来满足制造要求，因为关键特征尺寸缩小到纳米级，而且通过自上而下的光刻方法进行图案化变得越来越具有挑战性。[2,3] 光刻掩模需要以纳米级精度对准，即使是最轻微的掩模错位也必然会导致边缘位置误差 (EPE)。在 ALD 中实现 ASD 的传统方法可分为三大类：1) 非生长区域钝化；2) 生长区域的活化；3) 使用固有选择性沉积化学。在类别 (1) 中，非生长区域用钝化自组装单分子层 (SAM) 或聚合物膜进行功能化。 [4,5] 通常，当前体吸附在非理想组装或部分降解的 SAM 上时，会发生选择性损失。吸附在 SAM 上的前体分子作为后续前体剂量的反应位点，从而丧失选择性。[2] 在下一个处理步骤之前，还必须完全去除钝化层。在类别 (2) 中，生长区域表面在 ASD 之前进行功能化，以实现薄膜生长。[6–7] 然后，薄膜仅沉积在功能化表面上，而其他区域保持清洁。这种方法规定了非生长和功能化生长表面上的薄膜成核的明显对比。因此，它主要限于金属 ALD 工艺，因为金属表面比其他表面更容易成核。此外，需要仔细控制剂量以维持生长选择性。由于 ASD 的活化层被 ALD 膜掩埋，因此下一个处理步骤可以直接进行。在类别 (3) 中，即固有选择性 ALD，选择性完全由前体与基底上不同材料表面之间的反应决定。在正在制造的薄膜器件结构表面上，不同的材料暴露于 ALD 前体，但薄膜仅生长在某些优选材料上，从而定义生长区域。这是真正的自下而上的处理，将整体图案化步骤减少到最低限度。由于图案自对准，因此排除了 EPE。出于这些原因，(3) 是 ASD 的一个非常有吸引力的选择，但控制表面化学以在几个 ALD 循环中保持 ASD 极具挑战性。因此 (3) 主要限于金属的 ASD。[8–9]
在Sandia National Laboratories的Z机器上的磁惯性融合的概述D. A. Yager-Elorriaga，1 M. R. R. Gomez，1 D. E. Ruiz，1 S. A.
图2。使用0.03-30-0.015-30 s在50和75°C下的0.03-30-0.015-30 s在各种温度下对ALD ZRO 2进行测量，在50和75°C下，0.03-10-0.015-10 s在100 - 275°C的范围内，范围为100 - 275°C： 2胶与温度。
SEM和能量分散X射线评估涂片层...
EDTA的涂片层去除作用是在其对根管牙本质上的螯合作用。已经表明，17％的EDTA可以矿化牙本质。单独或与NAOCL交替使用EDTA报道的大量研究可能导致根管牙本质的过度侵蚀。许多螺柱还报告说，它可能在牙科硬组织钙（CA）和磷（P）的主要无机成分上具有不利的EF效果，并且可以降低根管牙本质的CA/P比。这反过来改变了根管牙本质的固有特性，例如渗透性，微硬度和溶解度。它也可能对根管密封剂的AD适应特性产生负面影响。
使用金属沉积进行增材层制造 - SAM
在金属增材制造技术中，涉及金属沉积的技术，包括激光熔覆/直接能量沉积（DED，带粉末送料）或线材和电弧增材制造（WAAM，带线材送料），具有几个吸引人的特点。例如，可以提到高质量效率（LMD 为 50-80%，WAAM 为 100%）、大构建速率（超过 100 cm 3 / h）、具有有限孔隙度的良好微观结构以及构建梯度或多材料的能力。尽管相应的工艺已经开发了相当长一段时间，但对各种主题的研究工作仍然有很大的需求，例如新型或梯度材料的沉积、后处理和沉积材料的磨损行为。当前的特刊包括六篇文章，旨在介绍针对所有这些方面的最新原创研究，重点关注涂层而不是 3D 结构。
Proximity-1 空间链路协议—数据链路层
– 奥地利航天局 (ASA)/奥地利。 – 比利时联邦科学政策办公室 (BFSPO)/比利时。 – 中央机械制造研究院 (TsNIIMash)/俄罗斯联邦。 – 中国卫星发射和跟踪控制总院、北京跟踪和通信技术研究所 (CLTC/BITTT)/中国。 – 中国科学院 (CAS)/中国。 – 中国空间技术研究院 (CAST)/中国。 – 英联邦科学与工业研究组织 (CSIRO)/澳大利亚。 – 丹麦国家空间中心 (DNSC)/丹麦。 – 航空航天科学和技术部 (DCTA)/巴西。 – 电子和电信研究所 (ETRI)/韩国。 – 欧洲气象卫星应用组织 (EUMETSAT)/欧洲。 – 欧洲通信卫星组织 (EUTELSAT)/欧洲。 – 地理信息和空间技术发展局 (GISTDA)/泰国。 – 希腊国家空间委员会 (HNSC)/希腊。 – 希腊空间局 (HSA)/希腊。 – 印度空间研究组织 (ISRO)/印度。 – 空间研究所 (IKI)/俄罗斯联邦。 – 韩国航空宇宙研究院 (KARI)/韩国。 – 通信部 (MOC)/以色列。 – 穆罕默德·本·拉希德航天中心 (MBRSC)/阿拉伯联合酋长国。 – 国家信息和通信技术研究所 (NICT)/日本。 – 国家海洋和大气管理局 (NOAA)/美国。 – 哈萨克斯坦共和国国家空间局 (NSARK)/哈萨克斯坦。 – 国家空间组织 (NSPO)/中国台北。 – 海军空间技术中心 (NCST)/美国。 – 粒子与核物理研究所 (KFKI)/匈牙利。 – 土耳其科学技术研究理事会 (TUBITAK)/土耳其。 – 南非国家空间局 (SANSA)/南非共和国。 – 空间和高层大气研究委员会 (SUPARCO)/巴基斯坦。 – 瑞典空间公司 (SSC)/瑞典。 – 瑞士空间办公室 (SSO)/瑞士。 – 美国地质调查局 (USGS)/美国。
石墨烯量子点介导的原子 - 层层半导体...
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通过逐层局部递送 CRISPR/dCas9 ... - DR-NTU
Zhang, K., Chooi, W. H., Liu, S., Chin, J. S., Murray, A., Nizetic, D., ... Chew, S. Y. (2020)。通过纳米纤维上的逐层自组装肽涂层局部递送 CRISPR/dCas9 用于神经组织工程。生物材料，256，120225‑。doi:10.1016/j.biomaterials.2020.120225