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高密度重分布层 (< 2 µm L/S) 用于 ...
近年来，半导体公司对小芯片封装表现出浓厚的兴趣，以适应人工智能和高性能计算系统等高性能应用。片上系统 (SoC) 技术将各种技术和功能块集成到单片芯片上，传统上用于创建高性能应用系统。然而，随着 SoC 设计变得越来越复杂，开发时间更长，制造成本更高。小芯片可以被认为是片上系统 (SoC) 的低成本、更快上市的替代方案。公司可以利用小芯片方法来创建系统，即采用各种技术的芯片，并利用先进的封装平台（例如基于硅或 RDL 的中介层 [1-3]）将它们集成到系统中。
上皮层刺激驱动脑电图相变的进化优势
通过人类和其他哺乳动物的脑电图记录监测的时空大脑活动已识别出 beta/gamma 振荡（20-80 Hz），这些振荡自组织成以 theta/alpha 速率（4-12 Hz）重复出现的时空结构。这些结构与受试者感知到的感觉刺激和强化事件具有统计学上的显著相关性。以 theta/alpha 速率反复坍塌的自组织结构会产生横向传播的相位梯度（相位锥），这些相位梯度在皮质片的某个特定位置被点燃。根据大脑动力学的电影理论，相位锥被解释为瞬时感知体验的神经特征。本质上各向同性的相位锥的快速扩张与全局工作空间理论 (GWT) 假设的感知广播的传播一致。以反复坍塌的动力学运作的大脑的进化优势是什么？这个问题使用热力学概念来回答。根据神经渗透理论，清醒的大脑被描述为在临界边缘运行的非平衡热力学系统，经历反复的相变。这项工作分析了长距离轴突连接和代谢过程在调节关键大脑动力学中的作用。从历史上看，接近 10 Hz 的域与有意识的感觉整合、与有意识的视觉感知相关的皮质“点火”以及有意识的体验有关。因此，我们可以结合大量的实验证据和理论，包括图论、神经渗透和 GWT。这种皮质操作方式可以优化快速适应新事物与稳定和广泛的自组织之间的权衡，从而产生显著的达尔文式好处。
湍流边界层的气动光学畸变
四个直接数值模拟 (DNS) 数据集涵盖了 8 至 14 的有效自由流马赫数，用于研究高超音速边界层中湍流引起的气动光学畸变行为。数据集包括两个来自平板边界层（马赫数 8 和 14）的模拟数据集和两个来自尖锥流（马赫数 8 和 14）的模拟数据集。来自每个 DNS 的瞬时三维密度场被转换为折射率并进行积分以产生由湍流引起的光程差 (OPD) 分布。然后将这些值与文献中的实验数据和现有的 OPD 均方根模型进行比较。虽然该模型最初是为马赫数 ≤ 5 的流动开发的，但它为我们比较高超音速数据提供了基础。
Layerscape 软件开发套件 Yocto 用户指南
$ git 克隆 git://git.yoctoproject.org/meta-selinux 源/meta-selinux $ git 克隆 git://git.yoctoproject.org/meta-virtualization 源/meta-virtualization $ git 克隆 https://github.com/OSSystems/meta-browser 源/meta-browser $ git 克隆 https://github.com/kraj/meta-clang 源/meta-clang $ git 克隆 https://github.com/Freescale/meta-freescale-distro 源/meta-freescale-distro $ git 克隆 https://github.com/openembedded/meta-openembedded 源/meta-openembedded $ git 克隆 https://github.com/TimesysGit/meta-timesys 源/meta-timesys $ git 克隆 https://source.codeaurora.org/external/qoriq/qoriq-components/meta-qoriq 源/meta-qoriq
湍流边界层的气动光学畸变
研究了湍流引起的亚音速、超音速和高超音速边界层的气动光学畸变特性。使用了四个边界层的直接数值模拟 (DNS) 数据，这些边界层的标称马赫数范围从 0.5 到 8。亚音速和超音速边界层的 DNS 数据是平板流。两个高超音速边界层均来自入口条件为 8 马赫的流动，其中一个是平板流，另一个是尖锥上的边界层。这些数据集中的密度场被转换为折射率场，这些折射率场沿预期的光束路径积分，以确定光束穿过湍流场的折射时将经历的有效光程长度。然后，通过考虑与体边界层效应相关的平均路径长度和倾斜问题，确定光程差 ( ) 的分布。将 的均方根与现有模型进行比较。发现从亚音速和超音速数据确定的 值与现有模型非常匹配。可以预料的是，由于在模型推导过程中做出了强雷诺类比等假设，高超音速数据匹配得并不好。到目前为止，该模型从未与本文中包含的马赫数如此之高的流动或流过尖锥几何的流动进行比较。
选择性和/或全球生长的GE层的应变调制
1微电器设备与综合技术的关键实验室，中国科学院微型电子学院，中国北京100029； duyong@ime.ac.cn（Y.D.）; xubuqing@ime.ac.cn（b.x。）; kongzhenzhen@ime.ac.cn（Z.K.）; yujiahan@ime.ac.cn（J.Y。）; zhaoxuewei@ime.ac.cn（X.Z.）; linhongxiao@ime.ac.cn（H.L.）; sujiale@ime.ac.cn（J.S.）; hanjianghao@ime.ac.cn（J.H.）; liujinbiao@ime.ac.cn（J.L.）; dongyan2019@ime.ac.cn（y.d。）; wangwenwu@ime.ac.cn（W.W.）2中国科学院微型电子学院，中国100049，中国3研究与发展中心，古旺湾地区综合电路和系统研究所，综合电路和系统研究院liben@giics.com.cn 4 CAS量子信息信息实验室，中国科学技术大学，Hefei 230026，中国5电子设计系，瑞典中部，瑞典中部，霍尔姆加坦10，85170 Sundsvall，瑞典 *通信 *通信）; miaoyuanhao@ime.ac.cn（Y.M.）; rad@ime.ac.cn（H.H.R.）;电话。： +86-010-8299-5793（G.W.）
简便的化学方法制备水溶性外延 Sr3Al2O6 自立氧化物牺牲层
外延生长时，氧化膜必须生长在晶体衬底上。这些要求极大地限制了它们的适用性，使得我们无法制备多种人工多层结构来研究薄膜及其界面处出现的突发现象[2]，也无法制造柔性器件并单片集成到硅中。[3–5] 人们致力于开发将功能氧化膜与生长衬底分离的程序，以便能够自由操作它。这些方法包括机械剥离[6]、干法蚀刻[7,8]和湿化学蚀刻[9,10]。在化学蚀刻程序中，使用牺牲层（位于衬底和功能氧化物之间）似乎是一种快速且相对低成本的工艺。为了使这种方法成功，牺牲层应将外延从衬底转移到所需的氧化物，经受功能氧化物的沉积过程，并通过化学处理选择性地去除，从而可以恢复原始的单晶衬底。 (La,Sr)MnO 3 已被证明可以通过酸性混合物进行选择性蚀刻，从而转移单个外延 Pb(Zr,Ti)O 3 层 [11] 和更复杂的结构，例如 SrRuO 3 /Pb(Zr,Ti)O 3 /SrRuO 3 。 [12] 最近，水溶性 Sr3Al2O6（SAO）牺牲层的使用扩大了独立外延钙钛矿氧化物层（SrTiO3、BiFeO3、BaTiO3）[13–15] 和多层（SrTiO3/(La,Sr)MnO3）[16] 的家族，这些层可进行操控，从而开辟了一个全新的机遇世界。[5,10,17] 制备此类结构的沉积技术也是需要考虑的关键因素，不仅影响薄膜质量，还影响工艺可扩展性。虽然分子束外延和脉冲激光沉积等高真空沉积技术是生产高质量薄膜的成熟技术[1,18–20]，但溶液处理和原子层沉积等可实现低成本生产的替代工艺正引起人们的兴趣。[21,22]
可生物降解的聚酐作为瞬态电子器件的封装层
生物可吸收电子系统代表了一类新兴技术，因为它们能够在生物环境中溶解、化学降解、分解和/或以其他方式无害地物理消失，可作为临时植入物的基础，避免二次手术取出程序。聚酐基聚合物可用作此类系统的疏水封装层，作为瞬态电子学更广泛领域的一个子集，其中生物降解最终通过断链发生。涉及在不同 pH 值和/或温度下浸入磷酸盐缓冲盐水溶液的系统实验研究表明，溶解是通过表面侵蚀机制发生的，几乎没有膨胀。这种聚合物的机械性能非常适合用于柔软、灵活的设备，其中可以通过基于模具的光聚合技术进行集成。对聚合物性能对单体组成和渗透速率对涂层厚度的依赖性的研究揭示了一些潜在的影响。简单的演示说明了在完全浸入接近生理条件的水溶液中时，底层可生物降解电子系统能够维持运行数小时至一周的时间。在动物模型中进行的系统化学、物理和体内生物学研究表明，没有毒性或其他不良生物反应的迹象。
单厚 SrRuO3 层中的拓扑霍尔效应...
因此与磁场成正比。异常霍尔效应 (AHE) 与铁磁体中的磁化有关，磁化通常源于动量空间中的 Berry 相。[3] 然而，发现一种新型霍尔效应既不依赖于磁场也不依赖于磁化。它起源于标量自旋手性 χ ijk = S i × ( S j × S k )，由非共面或非共线自旋配置（例如螺旋、畴壁或 skyrmion）产生。[3,5,6] 当传导电子穿过非共面自旋结构时，会在实空间中产生量子力学 Berry 相，并与虚拟磁场相关。该场是这种特殊霍尔效应的起源，称为拓扑霍尔效应 (THE)。 [3] 在大多数情况下，THE 的形成是由非零的 Dzyaloshinskii–Moriya 相互作用 (DMI) 驱动的，这需要强自旋轨道耦合 (SOC) 的存在和反演对称性的破坏。因此，由 skyrmions 诱导的 THE 首次在非中心对称的 B20 化合物（如 MnSi、MnGe 和 FeGe）中观察到。[7–10] 由于拓扑自旋的存在，THE