过渡金属二甲藻(TMD)涂层由于出色的摩擦学行为而吸引了巨大的科学和工业兴趣。范式示例是MOS 2,即使硒化合物和牙柳氏菌表现出了卓越的摩擦学特性。在这里,描述了通过将它们洒到涂有Mo和W薄片的滑动金属表面上的Operando转换为润滑2D Selenides中的创新性。先进的材料表征证实了含有硒化物的薄摩擦膜的贸易化学形成,将摩擦的系数降低至周围空气中的0.1以下,通常使用完全配方的油达到水平。从头算分子动力学模拟揭示了原子机制,从而导致剪切诱导的纳米植物的硒化单层合成。使用SE Nanopowder提供热稳定性,并防止在真空环境中产生膨胀。此外,在接触界面中普遍存在的条件下,SE纳米圆的高反应性产生了高度可重现的结果,这使其特别适合补充带有固体润滑剂的滑动组件,避免了由环境分子引起的TMD-润滑性脱落的持久问题。建议的直接方法展示了一种非常规且聪明的方法,可以合成Operando中的TMD并利用其摩擦和减轻磨损的影响。
1,奥塔哥大学心理学系,新西兰但尼丁; 2香港中文大学医学院眼科和视觉科学系; 3新西兰惠灵顿的奥塔哥大学外科与麻醉系; 4新西兰基督城基督城基督城放射学系; 5新西兰基督城太平洋放射学小组; 6新西兰基督城新西兰大脑研究所; 7美国北卡罗来纳州达勒姆大学心理学和神经科学系; 8新西兰基督城奥塔哥大学医学系; 9新西兰基督城坎特伯雷大学心理学,言语和听力学院; 10社会,遗传和发展精神病学中心,精神病学研究所,心理学与神经科学研究所,英国伦敦伦敦国王学院;新加坡新加坡国家眼中中心新加坡新加坡医学中心的新加坡眼睛研究所11; 12新加坡国立大学Yong Loo Lin医学院眼科系12; 13新西兰但尼丁大学医学系; 14中华人民共和国北京的Tsinghua医学1,奥塔哥大学心理学系,新西兰但尼丁; 2香港中文大学医学院眼科和视觉科学系; 3新西兰惠灵顿的奥塔哥大学外科与麻醉系; 4新西兰基督城基督城基督城放射学系; 5新西兰基督城太平洋放射学小组; 6新西兰基督城新西兰大脑研究所; 7美国北卡罗来纳州达勒姆大学心理学和神经科学系; 8新西兰基督城奥塔哥大学医学系; 9新西兰基督城坎特伯雷大学心理学,言语和听力学院; 10社会,遗传和发展精神病学中心,精神病学研究所,心理学与神经科学研究所,英国伦敦伦敦国王学院;新加坡新加坡国家眼中中心新加坡新加坡医学中心的新加坡眼睛研究所11; 12新加坡国立大学Yong Loo Lin医学院眼科系12; 13新西兰但尼丁大学医学系; 14中华人民共和国北京的Tsinghua医学
图 1。SiO X 作为辐射屏障。NIP 设备中的质子散乱(a)没有,(b)有 1 μm 厚的 SiO X 质子屏障。红线表示由于质子相互作用而在设备堆栈中形成的总空位与深度的关系。每个案例都给出了设备示意图,设备架构的详细信息请参阅方法部分。代表性 NIP 设备的横截面 SEM 图像,不带(c)和带(d)SiO X 层。(e)NIP 和(g)PIN 设备在用 0.05 MeV 质子辐照之前和之后的平均 PCE,质子辐照的通量分别为 10 13 cm -2 和 10 15 cm -2 ,没有(裸露的)和有(受保护的)SiO X 质子屏障。每个类别对 4-5 个设备进行平均值计算。相应的 JV 曲线显示在(f)和(h)中。
Andrew M. Clark 1 、Alexander Ingold 1 、Christopher F. Reiche 2 、Donald Cundy III 1 、4 Justin L. Balsor 1 、Frederick Federer 1 、Niall McAlinden 3 、Yunzhou Cheng 3 、John D. Rolston 4, 5 、Loren Rieth 5,6 、Martin D. Dawson 3 、Keith Mathieson 3 、Steve Blair 2†* 、6 和 Alessandra Angelucci 1†* 7
与其他过渡金属氧化物相比,RuO 2 具有独特且有前途的性能。RuO 2 因其卓越的异相催化 [1] 和电催化 [2] 能力而闻名。它是一种导电性极强的氧化物(≈ 35 µΩ cm),电阻率与钌金属相当。这种材料的化学和热稳定性增加了它的吸引力。此外,钌的稀缺性和高成本要求我们了解 RuO 2 的微观特性。[3] RuO 2 薄膜具有低电阻率、优异的扩散阻挡性能、高温稳定性和耐化学腐蚀性,在大规模集成电路中有着广泛的应用。[4,5] 除了 Ru 之外,RuO 2 还可用作铜沉积的种子层。 [6,7] 它具有比 Pt 更好的蚀刻能力,这意味着 RuO2 可以借助 O2/CF4 放电中的反应离子蚀刻 (RIO) 轻松图案化。[8] 最近还有研究表明,RuO2 可以作为下一代 Ru 基互连中 Ru 扩散的优异阻挡层。[9]
铁磁薄膜和化学吸附分子层之间的界面表现出各种有趣的现象。[1] 对这些所谓自旋界面的积极研究 [2,3] 始于分子或有机自旋电子器件的发展,最初主要集中在铁磁材料附近引起的分子层的变化。局域 HOMO-LUMO 电子能级的自旋相关展宽 [2,4,5] 和相关的自旋过滤效应 [6–8] 在理解有机自旋阀和其他有机自旋电子器件中起着关键作用。此外,在邻位分子中建立可检测的自旋极化开辟了一个与分子材料中磁序传播相关的新研究领域。这导致分子组成元素上存在磁二向色信号 [9] 或形成自旋序作为分子电子态能量的函数的非平凡振荡。 [10,11]
钝化接触迄今已取得一些成功,最有力的候选者是薄氧化硅层上的多晶硅(例如隧道氧化物钝化接触 (TOPCon) 或氧化物上的多晶硅 (POLO))和非晶硅 (a-Si) 异质结。[3,7,8] TOPCon 是一种高效的电子选择接触,但具有较高的热预算,需要大约 900°C 的温度才能将接触电阻率降低到可接受的水平。[9] 一种可以匹配或超过当前电子选择材料性能的高效空穴选择层将引起相当大的兴趣。迄今为止,使用 SiO 2 为基础的空穴选择接触未能达到同等水平。[10,11] 最有前途的空穴选择接触材料是 p 型 a-Si 和富硅 SiC,但传统的高温 Ag 丝网印刷方法不一定与此类接触兼容。[10]
相比之下,最近人们已使用基于 MHP 且不需要光刻的技术来生产大面积、高效且低成本的光电子器件和太阳能电池。[8] MHP 尤其适合用溶液处理法,因为它们易于在低温下合成、对缺陷具有耐受性、吸收能力强、在可见光和近红外范围内可调谐带隙能量、光致发光量子产率 (PLQY) 高、发射峰窄、传输特性好、非辐射复合中心密度低。[9–13] 例如,文献中已报道了高效的钙钛矿发光二极管 (PeLED)[2,14–17],其发射波长在可见光范围内。 2014 年报道的第一款 PeLED 的外部量子效率 (EQE) 约为 0.1%(混合甲基铵溴化铅,MAPbBr3)[18],其发展速度极快,迄今为止报道的 EQE 已超过 21%,可与最先进的 OLED 相媲美。[2,19]
多孔传输层是低温电解装置的重要组成部分,例如质子交换膜水电油夹或阴离子交换膜水电油层。PTL对细胞性能具有显着影响,因为它们的大量电阻会影响欧姆电阻,它们的接触电阻会影响电极性能,并且它们的结构会影响到细胞的液体流动,这可能会导致大规模传播损失。为了提高细胞性能,PTL的优化至关重要。应使用标准化协议来充分比较来自不同机构的PTL。此方法将详细介绍使用四线设置来测量PTL电阻的标准化协议,并将详细介绍使用毛细管流孔径测量PTL的孔隙率和水接触角的过程。
Andrew M. Clark 1 、Alexander Ingold 1 、Christopher F. Reiche 2 、Donald Cundy III 1 、4 Justin L. Balsor 1 、Frederick Federer 1 、Niall McAlinden 3 、Yunzhou Cheng 3 、John D. Rolston 4 、Loren Rieth 5,6 、Martin D. Dawson 3 、Keith Mathieson 3 、Steve Blair 2* 和 6 Alessandra Angelucci 1* 7