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表面附着水凝胶层在滑动接触中的润滑机理
人体中所有相互滑动接触的表面均由亲水性生物聚合物构成的柔软、透性组织构成。 [1] 此类系统的一个关键特性是低摩擦，从而减少磨损并确保相互滑动的表面具有较长的使用寿命。 [2] 人体中极其有效的润滑（例如滑膜关节和眼睑-角膜界面）启发了许多关于人造材料摩擦学的研究，尤其是模拟这种行为的水凝胶。 [3–10] 软组织或水凝胶中发生的润滑现象不同于两个由流体润滑的硬表面相互滑动时的摩擦机制 [2,10–12]，因为在这种软系统中，膨胀的固体基质与该基质内流体之间的相互作用在决定摩擦行为方面起着重要作用。 [7,9,13–16]
有机太阳能电池中的空穴传输层：综述
得益于大量的研究努力，有机太阳能电池已成为可再生能源领域的有力候选者，据报道其能量转换效率超过 19%，使用寿命超过几十年。在组成有机太阳能电池的薄膜堆栈中，界面处的传输层起着关键作用，与光活性材料本身一样重要。由于这些界面所需的非常特殊的特性，电子 (ETL) 和空穴 (HTL) 传输层确实直接与器件的效率和稳定性有关。专注于 HTL 界面，大量材料已用于有机太阳能电池，例如 2D 材料、导电聚合物或过渡金属氧化物。在这篇综述中，我们介绍了用于制造有机太阳能电池的 HTL 材料的演变和最新进展，描述了它们的特性和沉积过程，并将它们与活性层中的富勒烯或新型非富勒烯受体的用途联系起来。关键词：有机太阳能电池；界面；空穴传输层。
CS 168层，设计，Traceroute春季2025
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铁磁层之间相互作用对自旋波动力学的影响
磁性材料已知数千年。，由于它们在电动机，传感器和计算机等设备中的广泛使用以及常规的冰箱磁铁，它们在当今世界中起着重要作用。对在铁磁材料中的应用（即自旋波）中的应用非常希望。如今，大多数计算单元基于电子设备。 然而，由于使用高功率密度和高电压相关的局限性，可能很快就不可能对综合电路进行进一步的小型化。 旋转波的最大优势是它们的非常低的能量，加上微波频率中数百甚至数十纳米的波长，可以设计出比电子设备设计具有明显低于电子设备的纳米级设备的可能性。 在过去的二十年中，科学家特别强调了基本宏伟设备的设计，例如定向耦合器，二极管，晶体管或逻辑门，这些设备可以在宏伟的集成电路中找到应用。 在这些系统中，对元素之间相互作用的控制对于完全利用自旋波性能至关重要。 在本文中，我研究了可以在宏伟系统中找到应用的铁磁多层。 我通过引入磁性开始论文。 接下来是对微磁性的解释，控制磁系统的相互作用，磁化纹理和自旋波，以当前深入研究的宏伟晶体和自旋波计算的主题结论。如今，大多数计算单元基于电子设备。然而，由于使用高功率密度和高电压相关的局限性，可能很快就不可能对综合电路进行进一步的小型化。旋转波的最大优势是它们的非常低的能量，加上微波频率中数百甚至数十纳米的波长，可以设计出比电子设备设计具有明显低于电子设备的纳米级设备的可能性。在过去的二十年中，科学家特别强调了基本宏伟设备的设计，例如定向耦合器，二极管，晶体管或逻辑门，这些设备可以在宏伟的集成电路中找到应用。在这些系统中，对元素之间相互作用的控制对于完全利用自旋波性能至关重要。在本文中，我研究了可以在宏伟系统中找到应用的铁磁多层。我通过引入磁性开始论文。接下来是对微磁性的解释，控制磁系统的相互作用，磁化纹理和自旋波，以当前深入研究的宏伟晶体和自旋波计算的主题结论。然后，我解释了论文中使用的数值方法，并详细介绍了问题的实现。在研究的第一部分中，我展示了如何使用非重点相互作用来设计非相互设备。dzyaloshinskii – moriya的相互作用用于诱导分散关系的不对称性，该分散关系进一步用于设计自旋波二极管和循环器。在第二项研究中，使用偶极相互作用引起的达蒙 - 什场模式的表面特征用于设计一个四端口的设备，该设备可以具有不同的功能（循环器，方向耦合器或反射器），用于不同的激发频率。下一项研究显示了与垂直磁各向异性的dzyaloshinskii – moriya相互作用如何导致忽略1 nm的层之间的相互作用，这可以进一步用于设计密集包装的非交织的不相互作用的波导的系统。在第三部分中，我将专注于使用层之间的相互作用，将材料与磁化纹理和具有良好自旋波传播特性的材料搭配起来，以形成宏伟的晶体。第一个系统是具有弱垂直磁各向异性的层，其中诱导条纹结构域，并与薄或绒布层相互作用。由于
MEMS应用的低应力硝酸盐层
本文提出了两种沉积方法，用于生成具有PECVD反应器中“零”残留应力的SIN X层：高频模式下的混合频率和高功率（13.56 MHz）。传统上，混合频率模式通常用于产生低应力SIN X层，替代使用HF和LF模式。但是，由于LF模式的沉积速率较低，因此混合频率的组合沉积速率非常小，以产生同质的SIN X层。在第二种方法中，使用了高达600 W的高功率，也可能产生较低的残余应力（0-20 MPa），其沉积速率较高（250至350 nm/min）。较高的功率不仅会导致更高的气体解离速率，从而导致较高的沉积速率，而且在SIN X膜中带来了较高的n键，以及来自SIN X膜的较高体积膨胀的较高压缩应力，从而补偿了拉伸应力并产生低残余应力。此外，本文还研究了其他重要参数的影响，这些参数对残余应力和沉积速率有很大影响，例如反应剂气体流速和压力。通过使用最终优化的配方，基于低应激SIN X层成功制造了KOH和氮化硅悬臂的各向异性湿蚀刻层的掩蔽层。此外，还制造并测试了具有400nm孔的纳米孔膜。通过在纳米多孔膜顶部培养小鼠D1间充质干细胞，结果表明小鼠D1间充质干细胞能够生长良好。这表明纳米方膜可用作与活细胞接口的平台，成为生物分子分离的生物胶囊
高密度重分布层 (< 2 µm L/S) 用于 ...
近年来，半导体公司对小芯片封装表现出浓厚的兴趣，以适应人工智能和高性能计算系统等高性能应用。片上系统 (SoC) 技术将各种技术和功能块集成到单片芯片上，传统上用于创建高性能应用系统。然而，随着 SoC 设计变得越来越复杂，开发时间更长，制造成本更高。小芯片可以被认为是片上系统 (SoC) 的低成本、更快上市的替代方案。公司可以利用小芯片方法来创建系统，即采用各种技术的芯片，并利用先进的封装平台（例如基于硅或 RDL 的中介层 [1-3]）将它们集成到系统中。
选择性和/或全球生长的GE层的应变调制
1微电器设备与综合技术的关键实验室，中国科学院微型电子学院，中国北京100029； duyong@ime.ac.cn（Y.D.）; xubuqing@ime.ac.cn（b.x。）; kongzhenzhen@ime.ac.cn（Z.K.）; yujiahan@ime.ac.cn（J.Y。）; zhaoxuewei@ime.ac.cn（X.Z.）; linhongxiao@ime.ac.cn（H.L.）; sujiale@ime.ac.cn（J.S.）; hanjianghao@ime.ac.cn（J.H.）; liujinbiao@ime.ac.cn（J.L.）; dongyan2019@ime.ac.cn（y.d。）; wangwenwu@ime.ac.cn（W.W.）2中国科学院微型电子学院，中国100049，中国3研究与发展中心，古旺湾地区综合电路和系统研究所，综合电路和系统研究院liben@giics.com.cn 4 CAS量子信息信息实验室，中国科学技术大学，Hefei 230026，中国5电子设计系，瑞典中部，瑞典中部，霍尔姆加坦10，85170 Sundsvall，瑞典 *通信 *通信）; miaoyuanhao@ime.ac.cn（Y.M.）; rad@ime.ac.cn（H.H.R.）;电话。： +86-010-8299-5793（G.W.）
单厚 SrRuO3 层中的拓扑霍尔效应...
因此与磁场成正比。异常霍尔效应 (AHE) 与铁磁体中的磁化有关，磁化通常源于动量空间中的 Berry 相。[3] 然而，发现一种新型霍尔效应既不依赖于磁场也不依赖于磁化。它起源于标量自旋手性 χ ijk = S i × ( S j × S k )，由非共面或非共线自旋配置（例如螺旋、畴壁或 skyrmion）产生。[3,5,6] 当传导电子穿过非共面自旋结构时，会在实空间中产生量子力学 Berry 相，并与虚拟磁场相关。该场是这种特殊霍尔效应的起源，称为拓扑霍尔效应 (THE)。 [3] 在大多数情况下，THE 的形成是由非零的 Dzyaloshinskii–Moriya 相互作用 (DMI) 驱动的，这需要强自旋轨道耦合 (SOC) 的存在和反演对称性的破坏。因此，由 skyrmions 诱导的 THE 首次在非中心对称的 B20 化合物（如 MnSi、MnGe 和 FeGe）中观察到。[7–10] 由于拓扑自旋的存在，THE
仿真洞察到钙钛矿活动层，以增强太阳能
摘要：这项研究探索了钙钛矿太阳能电池的性能，包括MASNI3，CH3NH3SNI3，CSPBI3和CSSNGEI3，分析关键指标，例如效率，敞开电路电压（VOC），短路电流电流密度（JSC）和填充因子（JSC）和填充因子（ff）。使用SCAPS软件的模拟提供了基线数据，并使用高级计算技术对其进行了进一步验证和扩展。灵敏度分析揭示了诸如带隙能量和载体迁移率之类的参数的影响，而层优化和电路模型则提供了对增强设备性能的见解。比较分析和现实世界模拟弥合了实验室结果与实际应用之间的差距，并得到了机器学习模型的支持，以预测新型材料的效率。这种全面的方法有助于优化钙钛矿太阳能电池以进行未来的应用。
在2D层的过渡金属二氯酸盐中的铁磁顺序
传统上，二维中的磁性被认为是由旋转闪光介导的外来相，但远非距离基态下序。最近，在分层的范德华化合物中发现了2D磁态。通过材料组成，结合降低性的稳健和可调磁态，预见到磁性设备中的关键元素具有强大的潜力。在这里，提出了基于金属氯化物的2D磁铁。磁性顺序在金属基板的顶部，甚至直至单层极限，并且可以通过将金属离子从铁到镍替换为底面。使用功能化的STM尖端作为磁传感器，即使没有外部磁场，也可以识别局部交换场。由于这些化合物是通过分子束外延技术处理的，因此它们为当前设备技术提供了巨大的潜力。