机构名称：
¥ 2.0
图 1。SiO X 作为辐射屏障。NIP 设备中的质子散乱（a）没有，（b）有 1 μm 厚的 SiO X 质子屏障。红线表示由于质子相互作用而在设备堆栈中形成的总空位与深度的关系。每个案例都给出了设备示意图，设备架构的详细信息请参阅方法部分。代表性 NIP 设备的横截面 SEM 图像，不带（c）和带（d）SiO X 层。（e）NIP 和（g）PIN 设备在用 0.05 MeV 质子辐照之前和之后的平均 PCE，质子辐照的通量分别为 10 13 cm -2 和 10 15 cm -2 ，没有（裸露的）和有（受保护的）SiO X 质子屏障。每个类别对 4-5 个设备进行平均值计算。相应的 JV 曲线显示在（f）和（h）中。
用于地面和空间钙钛矿光伏电池的金属氧化物阻挡层
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