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一个空间矩阵精确的大规模光遗传学刺激对非人类灵长类动物的深层皮质层
。cc-by-nc-nd 4.0国际许可证（未经同行评审证明）获得的是作者/资助者，他授予Biorxiv授予Biorxiv的许可，以永久显示预印本。它是此预印本版本的版权持有人，该版本发布于2023年2月16日。 https://doi.org/10.1101/2022.02.09.479779 doi：Biorxiv Preprint
通过独立二维反应层中的双极电化学微调还原氧化石墨烯的功能
Seyyed Mohsen Beladi-Mousavi、Gerardo Salinas、Nikolas Antonatos、Vlastimil Mazanek、Patrick Garrigue 等人。通过独立 2D 反应层中的双极电化学微调还原氧化石墨烯的功能。Carbon，2022 年，191，第 439-447 页。�10.1016/j.carbon.2022.02.010�。�hal-03635847�
通过在脉冲激光沉积在Si基板上的脉冲激光层中的稀土掺杂微发射器
稀土发射器已在集成的光学源中研究了一段时间，作为激光源[1]和带有眼镜[2，3]或聚合物[4]的波导放大器。最近，它们被整合到互补的金属氧化物半导体（CMOS）驱动或兼容的SI光子芯片中，作为激光源[5]，放大器[6，7]以及调节剂[8，9]。稀土发射器为开发新的主动光学功能的可能性提供了许多可能性，该功能最初集中于第四组[10]或III-V材料[11，12]。然而，需要在硅平台上的有效掺入（例如粘结[13]，掩盖沉积[5，14]，额外的层[15]或蚀刻[16，17]，需要复杂的处理，这对实际应用可能是昂贵且有害的。尤其是Y 2 O 3和Al 2 O 3矩阵的情况，它需要电感耦合等离子体优化的蚀刻[18-20]。在这项工作中，我们提出了稀土掺杂层微发射体的创新设计，而无需使用升降加工与脉冲激光沉积（PLD）结合使用。在通过掩模（例如g。photoresist）的升降过程中，通过蚀刻的经典结构进行了蚀刻的经典结构，但在升降过程中，将材料与沉积的材料一起清除。这种方法比蚀刻更容易，避免沿蚀刻的侧壁潜在损害。尽管非常有吸引力，但提升过程的主要缺点之一是沉积过程中的底物温度。pld允许克服这种限制。升降处理是薄层图案（例如金属）或较厚层的微电子中常规的，具有低温沉积（如溅射）[21]，原子层[22]或玻璃沉积[23]。的确，如果底物温度高于200°C（即光固定剂的硬烘烤温度），则提升处理不能成功。PLD是一种通常用于
低温电解技术的电阻，孔隙率和水接触角度
多孔传输层是低温电解装置的重要组成部分，例如质子交换膜水电油夹或阴离子交换膜水电油层。PTL对细胞性能具有显着影响，因为它们的大量电阻会影响欧姆电阻，它们的接触电阻会影响电极性能，并且它们的结构会影响到细胞的液体流动，这可能会导致大规模传播损失。为了提高细胞性能，PTL的优化至关重要。应使用标准化协议来充分比较来自不同机构的PTL。此方法将详细介绍使用四线设置来测量PTL电阻的标准化协议，并将详细介绍使用毛细管流孔径测量PTL的孔隙率和水接触角的过程。
深入核磁共振研究分子层界面引起的钴薄膜磁硬化
铁磁薄膜和化学吸附分子层之间的界面表现出各种有趣的现象。[1] 对这些所谓自旋界面的积极研究 [2,3] 始于分子或有机自旋电子器件的发展，最初主要集中在铁磁材料附近引起的分子层的变化。局域 HOMO-LUMO 电子能级的自旋相关展宽 [2,4,5] 和相关的自旋过滤效应 [6–8] 在理解有机自旋阀和其他有机自旋电子器件中起着关键作用。此外，在邻位分子中建立可检测的自旋极化开辟了一个与分子材料中磁序传播相关的新研究领域。这导致分子组成元素上存在磁二向色信号 [9] 或形成自旋序作为分子电子态能量的函数的非平凡振荡。 [10,11]
03,09，光激发电子从Alas/GAAS异质结构的光电导率中的光激发电子扩散的作用
半导体P - i -n异质结构被广泛用作辐射探测器，并在光电子中具有多种应用[1-4]。在这种半导体结构中的能量吸收高于禁止带宽度的光导致电子孔对产生。对，在耗尽的I -Area中产生或从I -Area到掺杂n-和P-层的深度的扩散长度的距离与电场分开，因此电流出现在外部电路中[4]。光电流值将用载体的漂移电流定义，该载体在I -Area中产生，以及在I -Area外产生的载体的扩散电流。在某些条件下，半导体结构的光响应可以检测到多个各种量子振荡事件。例如，由于光电声发射的光激发电子和孔的放松导致光电流振荡，具体取决于刺激光子的能量[5]。在GAAS/ALAS或INGAN/GAN P -I -N超晶格中观察到来自偏置电压的光电流振荡[6,7]。在工作[8]中，研究了P - I -N-二极管在光谱光谱上的I -i -i -n-二极管中的INAS层的影响，并显示了此类异质系统对创建敏感光探测器的效率。后来，在这样的单屏障GAAS/ALAS异质结构中（见图1）在辐照时观察到巨大的光电流振荡[9,10]，光子能量高于GAA中的光子能量高于禁止带宽度，而GAA中的光子宽度高，这似乎是多种共振 - 类似于Volt-Ampere特性（VAC）的特殊性。振幅为光电流时的平均光值的20％，其光线为λ= 650 nm，而在具有单个隧道屏障的p - i -i -n -diodes中，这是不可能的，这是不可能的。观察到了那个时期
简便的化学方法制备水溶性外延 Sr3Al2O6 自立氧化物牺牲层
外延生长时，氧化膜必须生长在晶体衬底上。这些要求极大地限制了它们的适用性，使得我们无法制备多种人工多层结构来研究薄膜及其界面处出现的突发现象[2]，也无法制造柔性器件并单片集成到硅中。[3–5] 人们致力于开发将功能氧化膜与生长衬底分离的程序，以便能够自由操作它。这些方法包括机械剥离[6]、干法蚀刻[7,8]和湿化学蚀刻[9,10]。在化学蚀刻程序中，使用牺牲层（位于衬底和功能氧化物之间）似乎是一种快速且相对低成本的工艺。为了使这种方法成功，牺牲层应将外延从衬底转移到所需的氧化物，经受功能氧化物的沉积过程，并通过化学处理选择性地去除，从而可以恢复原始的单晶衬底。 (La,Sr)MnO 3 已被证明可以通过酸性混合物进行选择性蚀刻，从而转移单个外延 Pb(Zr,Ti)O 3 层 [11] 和更复杂的结构，例如 SrRuO 3 /Pb(Zr,Ti)O 3 /SrRuO 3 。 [12] 最近，水溶性 Sr3Al2O6（SAO）牺牲层的使用扩大了独立外延钙钛矿氧化物层（SrTiO3、BiFeO3、BaTiO3）[13–15] 和多层（SrTiO3/(La,Sr)MnO3）[16] 的家族，这些层可进行操控，从而开辟了一个全新的机遇世界。[5,10,17] 制备此类结构的沉积技术也是需要考虑的关键因素，不仅影响薄膜质量，还影响工艺可扩展性。虽然分子束外延和脉冲激光沉积等高真空沉积技术是生产高质量薄膜的成熟技术[1,18–20]，但溶液处理和原子层沉积等可实现低成本生产的替代工艺正引起人们的兴趣。[21,22]
适用于色彩转换层和 LED 应用的高质量喷墨印刷发射纳米晶钙钛矿 CsPbBr3 层
相比之下，最近人们已使用基于 MHP 且不需要光刻的技术来生产大面积、高效且低成本的光电子器件和太阳能电池。[8] MHP 尤其适合用溶液处理法，因为它们易于在低温下合成、对缺陷具有耐受性、吸收能力强、在可见光和近红外范围内可调谐带隙能量、光致发光量子产率 (PLQY) 高、发射峰窄、传输特性好、非辐射复合中心密度低。[9–13] 例如，文献中已报道了高效的钙钛矿发光二极管 (PeLED)[2,14–17]，其发射波长在可见光范围内。 2014 年报道的第一款 PeLED 的外部量子效率 (EQE) 约为 0.1%（混合甲基铵溴化铅，MAPbBr3）[18]，其发展速度极快，迄今为止报道的 EQE 已超过 21%，可与最先进的 OLED 相媲美。[2,19]
空穴传输层、电子传输层和钙钛矿层的光子固化最新进展，以提高钙钛矿太阳能电池的性能
摘要：钙钛矿太阳能电池 (PSC) 引起了越来越多的研究兴趣，但其性能取决于材料的选择和所用的工艺。这些材料通常可以在溶液中处理，这使得它们非常适合卷对卷加工方法，但它们在环境条件下的沉积需要克服一些挑战以提高稳定性和效率。在这篇评论中，我们重点介绍了钙钛矿材料以及空穴传输层 (HTL) 和电子传输层 (ETL) 材料的光子固化 (PC) 的最新进展。我们介绍了如何使用 PC 参数来控制钙钛矿 HTL 和 ETL 层的光学、电学、形态和结构特性。强调这些进步对钙钛矿太阳能电池的重要性可以进一步凸显这项研究的重要性，并强调其在创造更高效和可持续的太阳能技术方面的重要作用。
将介电/等离子体光子晶体作为光学微波滤光片：缺陷层和外部磁场的作用
摘要：我们研究了由传输矩阵形式主义中微波区域内的二循环（A）和等离子体（P）材料组成的多通道过滤器的透射率。在应用磁场的影响下研究了提出的过滤器的两种构造：（1）包含空气包围的（a / p）N单位细胞的周期性结构，以及（2）引入第二个电端材料（d），该材料（D）作为A（d）的缺陷层（ap）n / 2 /2 / d / d / d / d / d / 2 Struc-2 Struc-2 Struc-2 Struc-2 Struc-2 Struc。我们的发现表明，在周期性的情况下，透射率的谐振状态随数n的数量增加；然而，观察到的蓝色和红移取决于施加的磁场的强度和方向。我们提出了透射系数的轮廓图，这些图显示了入射角对光子带隙的偏移的影响。此外，我们发现缺陷层的引入会产生额外的共振状态，并将中心共振峰合并为共振的小键。此外，我们表明，可以通过增加单位单元格数N并增加插入的缺陷层的宽度来调节共振峰及其位置的数量。我们提出的结构可以使用在微波区域中运行的磁化等离子体材料来设计新型的光子过滤器。