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简历 - ALEKSANDAR MILADINOVI´C
大学研究和教学助理 - Prae.Doc. ，（固定期限合同） 心智装置模拟 (SiMA)，维也纳科技大学计算机技术研究所，奥地利维也纳，https://energyit.ict.tuwien.ac.at/team- en/alumni/ 研究：通用人工智能，使用自上而下的设计方法开发人类认知架构的功能模型（参见项目 CogMAS 和 KORE） 课程：384,139 选定主题 - 计算机系统（人工智能领域）
采访 MICHELA MILANO 教授，谈论致力于人工智能的 ALMA AI 中心
ALMA AI 的诞生使我们能够将 500 多名教授、研究人员、博士生和研究员聚集在一个中心，他们拥有人工智能方面的技能并积极开展研究，以建立联系、发挥协同作用、整合知识，让不同的灵魂进行交流通过创建内部网络。人工智能在我们日常生活的许多方面变得越来越重要：在机械、工业、工作世界、公共部门：从研究的角度来看，还有很多工作要做。在我们采用跨学科方法的大学内，众多研究人员根据两个维度研究与人工智能相关的主题。第一个涉及新技术和算法的开发：它是一门计算机科学、数学物理研究，来自我们社区最具技术和科学精神的灵魂。第二个重点是应用人工智能解决各种领域的问题：从医学到生物学，从农学到力学等等。在这些领域，会产生大量的数据，可以通过AI的方法从中提取价值。该中心将使我们能够提高大学在项目开发和抓住不同层次（地区、国家和欧洲）融资机会方面的表现，与公司合作，并最终实现第三个使命的目标朝向领土。Alma AI除了作为研究中心之外，还承担着培训和传播的目标。人工智能现在已在大多数以科学为导向的课程（工程学、计算机科学、数学、物理学等）中教授。)，但培养领域专家也很重要，从我们大学的教授和研究人员开始，他们可以在各个垂直领域使用人工智能，并从其应用意义中受益。作为一所综合性大学，我们可以通过建立内部联系来扩大范围并了解人工智能在各个领域的应用，从而提高大学的表现。
全球陆地数据同化系统
有助于预测气候变化、天气、生物和农业生产力以及洪水，并可用于开展更广泛的生物地球科学研究。特别是，陆地上的能量和水储存会调节陆地和大气之间的通量，并在昼夜、季节和年际时间尺度上表现出持久性。此外，由于土壤水分、温度和积雪是综合状态，陆地表面强迫数据和参数化的偏差会累积为操作数值天气预报和气候模型及其相关耦合数据同化系统中这些状态的表示错误。这会导致地表水和能量分配不正确，从而导致预测不准确。如果陆地表面场可靠且在全球范围内可用，具有高空间分辨率和近实时性，则重新初始化陆地表面状态将缓解这一问题。
MOSFET物理参数对阈值电压Milaim Zabeli，Nebi Caka，Myzafere Limani，Qamil Kabashi Electrical An
摘要：本文的目的是研究表征MOSFET晶体管结构对阈值电压值的物理参数的影响。还可以分析底物（身体效应）对阈值电压的作用。MOSFET阈值电压值将在设备的动态和静态工作状态（模式）中产生影响。基于获得的结果，我们可以进一步看到每个物理参数对阈值电压总值的影响。我们可以看到这些参数中的哪个将对阈值电压产生重大且小的影响。因此，考虑到我们可以调整MOSFET物理参数的值以达到所接受的阈值电压。关键词：MOSFET参数，阈值电压，身体效应，增强型NMO，掺杂密度，短通道，窄通道。1简介特征MOSFET晶体管的重要值是阈值电压的值。根据MOSFET类型，阈值电压的值可能为正值和负值。在MOSFET晶体管的制造过程中，可以控制此值。N通道增强型MOSFET（或NMO）的物理结构如图1所示。由于增强型NMO比其他类型的MOSFET晶体管具有优势，因此在遵循时，我们将分析此。MOSFET晶体管的末端用S（源），D（drain），G（Gate）和B（身体）表示。创建（诱导）导电通道（导致表面反转）所需的栅极到源电压V GS的值称为阈值电压，并用V t或V t表示[1、2、3、4]。阈值电压的值取决于某些特征MOSFET结构的物理参数，例如：栅极材料，氧化物层T ox的厚度，T OX的厚度，底物掺杂浓度（密度）N A，氧化物 - 接口固定电荷浓度（密度）N OX，N OX，n ox，n ox，通道长度l，通道宽和偏置Voltage V sb v sb [2，5]。