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可持续消防保护：用高级涂料技术减少碳足迹
[A] I. J.GómezCeitecMasaryk University Kamenice 5，625 00 Brno，捷克共和国[C] V.Sebastián博士，Aragón（INA）的纳米科学研究所J.Santamaría教授（INA）和化学与环境工程系的纳米阶级研究所，以及50018 Zaraga，Spain ebro，Spain eBro，Spain eBro，耶稣。生物材料和纳米医学（Ciber-BN）28029马德里，西班牙[A]I. J.GómezCeitecMasaryk University Kamenice 5，625 00 Brno，捷克共和国[C] V.Sebastián博士，Aragón（INA）的纳米科学研究所J.Santamaría教授（INA）和化学与环境工程系的纳米阶级研究所，以及50018 Zaraga，Spain ebro，Spain eBro，Spain eBro，耶稣。生物材料和纳米医学（Ciber-BN）28029马德里，西班牙
高检测性UV敏感的2D MOS2光晶体管通过硅量子点增强
摘要：二维（2D）半导体最近由于其独特的光学和电子特性而引起了光传递的极大兴趣。然而，对于单层光晶体管，可检测到的光谱范围和光吸收效率通常非常有限。在这里，我们演示了基于零差（0D）硅量子点（SIQDS）和二硫化钼（MOS 2）形成的范德华异质结构（VDWH）（VDWH）（VDWH）（VDWH），尤其是在Ultraviolet（UV）的光谱范围内，该光谱（MOS 2）表现出很高的检测和响应率。与单独基于单层MOS 2的光晶体管相比，SIQD/MONOLAYER MOS 2 VDWH光晶体管的探测率提高了100倍（从1.0×10 12到1.0×10 12到1.0×10 14 cm×Hz 1/2/w），响应率提高了89倍，响应率提高了66.7秒66.7至66.7 s/f。对于SIQD/几层MOS 2 VDWH，还观察到增强的检测和响应性。分析和对照实验表明，跨SIQD/MOS 2 VDWH的电荷转移导致光子效应和光量。高性能SIQD/MOS 2 VDWH光晶体管对超敏化光检测，基于紫外线的光学通信，神经形态视觉传感和发射速度计算应用具有巨大的希望。关键字：0d/2d van der waals异质结构，Si Quantum Dot，MOS 2，光晶体管，高检测性，高响应率■简介
通过优化界面层厚度实现低肖特基势垒接触的 MoS2 晶体管
摘要：二硫化钼（MoS 2 ）因其较大的带隙、良好的机械韧性和稳定的物理性能而受到研究者的广泛关注，成为下一代光电器件的理想材料。但较大的肖特基势垒高度（ Φ B ）和接触电阻是阻碍大功率 MoS 2 晶体管制备的障碍。详细研究了具有两种不同接触结构的 MoS 2 晶体管的电子传输特性，包括铜（Cu）金属-MoS 2 通道和铜（Cu）金属-TiO 2 -MoS 2 通道。通过调整金属和 MoS 2 之间的 TiO 2 夹层的厚度来优化接触。具有 1.5 nm 厚 TiO 2 层的金属-夹层-半导体（MIS）结构具有较小的肖特基势垒，为 22 meV。结果为设计 MIS 接触和界面以改善晶体管特性提供了参考。
MoS2 纳米器件中环境条件电开关的全光学原位研究
我们最近开发出了第一种非侵入性技术，它可以通过等离子体增强暗场 (DF) 纳米光谱在纳米尺度和环境条件下原位追踪材料形貌。[28–30] 在这里，我们利用纳米拉曼和纳米光致发光提供的附加功能对其进行扩展，以研究 MoS 2 中的切换机制。该方法的原理如图 1a 所示。将一个 80 nm 的金纳米粒子 (AuNP) 放置在金基底附近，用白光 (λ ≈ 400–900 nm) 照射，以在 AuNP 内产生等离子体共振 (单模)，并在 AuNP 和基底之间的间隔物中产生等离子体共振 (间隙模式)。[31,32] 使用 DF 散射显微镜配置检测共振，间隙模式的波长和强度取决于间隔物的折射率、厚度和几何形状。 [31,32] 使用 AuNP 作为电开关的纳米尺寸（≈ 700 nm 2 ）顶部触点 [29,33] 会导致纳米级开关通道内局部出现强场增强。这大大增强了拉曼和光致发光 (PL) 信号，[34] 方便地突出了原本无法检测到的纳米级开关动力学。文献中提出了许多针对 MoS 2 的开关机制，如表 1 所示。这些机制包括硫空位（VS）的迁移[3,9,10]、氧化 MoS 2 中氧的运动[6,12]、电荷捕获和脱捕获[2]、从半导体（2H）到金属（1T'）的相变[4,7]、以及金属离子从电极中嵌入[5,13,17,18,20]。我们注意到，所有上述机制都会引起光信号（拉曼，PL）的变化，这些变化可以通过我们的实验能力检测到。特别是，通过透射电子显微镜（TEM）研究的所有 MoS 2 纳米片中都观察到的 VS 密度[36–38]与 ≈ 750 nm 处的 PL 峰[39,40]、MoS 2 的 A/B 激子的强度比[39,41]相关
基于钼的钼（MOS2）柔性纳米生成器的最新进展：包容性评论
在新时代的能源消耗和结构随着物联网（IoT）和人工智能的增长而发生了变化，数十亿分散的小工具和传感器的功率来源在全球范围内引发了人们的注意以保护环境。由于不可再生能源的使用量增加以及由此产生的环境损害，研究人员正在研究可以利用环境的替代能源系统。因此，通过使用未充分利用的自然废物能源（NGS），可以使用自给自足的小型电子系统。所使用的Ma terials的特征对NGS的工作效果有重大影响。在这方面，二硫化钼（MOS 2）是一种2D材料，是当今讨论的化合物之一，因为它的出色特征使其在各种应用中都有用。已经发表了许多有关MOS 2材料的进步和实施的研究论文，但本文将提供深入的概述。它提供了2D MOS 2纳米材料的主要特性的介绍和解释，从当前状态，属性和各种合成过程开始。后来，审查集中于MOS 2应用和能量收获的CAPA能力，并根据2D MOS 2纳米复合材料进行了对压电，底压和热纳米生成剂的全面研究。
与 MoS2 纳米带和纳米管量子点的非破坏性低温接触
这里，我们展示了透明导电和半规则库仑阻塞，可通过施加栅极电压进行调节，即使在超低温（T 基区 ≃ 15 mK）实验中也是如此。这是基于最近的发现，即可以使用半金属铋实现与平面 MoS 2 的室温欧姆接触：[38] 由于费米能级钉扎是由界面处金属和半导体态的杂化引起的，[39] 降低费米能级附近的接触态密度违反直觉地实现了可调谐性和透明导电。虽然（可能是基板引起的）无序仍然存在，但我们的数据表明接触处明显没有电荷陷阱，并且接触电阻很低。这代表着接触质量的显着改善。在低温极限 T ≤ 100 mK，我们观察到单能级传输的迹象。
碳封装的纳米层组装的MOS2纳米片具有较大的层间距离，用于柔性锂离子电池
抽象的2D过渡金属二分裂基化元素（例如具有独特分层结构的MOS 2）在锂离子电池（LIBS）领域受到了极大的关注。但是，低电导率和结构稳定性差会对LIB的速率性能产生不利影响。在此，由水稻样的MOS 2 /c组成的柔性且独立的高性能锂离子电极（MOS 2 /c@ti 3 C 2 t X）组成，设计和证明了MOS 2的较大的层套管距离，含有大米的MOS 2 /C插入式Ti 3 C 2 t x和PVP衍生的碳组成。锂离子电池由于其高能量密度引起了极大的关注。因此，作为锂离子电池的阳极材料，MOS 2 /c@ti 3 c 2 t x在0.05 a g-1时提供了538.5 mAh g-1的高排放能力，并在2 a g-1处的256.7 mAh g-g-1的快速充电 /放电能力为2 a g-g-1，以及在2 a g-1的效果（以及150 cy）150 cyect and cy and cat a and cat a and 1 150 cy。密度功能理论（DFT）计算表明，水稻样的MOS 2 /C结构有利于锂离子的吸附和扩散，并促进了氧化还原反应。MOS 2 /C@Ti 3 C 2 T X结构有望增强高性能锂离子电池的新型2D材料的开发。
基于 MoS2/PdSe2 异质结构和电荷陷阱栅极堆栈的可重构偏振光电探测器
1 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室，北京 100190；baiqinghu@iphy.ac.cn (QB)；yangguo@aphy.iphy.ac.cn (YG)；azjin@iphy.ac.cn (AJ)；quanbaogang@iphy.ac.cn (BQ)；hfyang@iphy.ac.cn (HY)；blliu@iphy.ac.cn (BL) 2 中国科学院大学物理学院，中国科学院真空物理重点实验室，北京 100190 3 松山湖材料实验室，东莞 523808；liangqijie@sslab.org.cn 4 深圳大学射频异质集成国家重点实验室，深圳 518060；2200434018@email.szu.edu.cn (TL) wgliao@szu.edu.cn (WL) 5 深圳大学电子信息工程学院，深圳 518060，中国 6 中国科学院大学，中国科学院拓扑量子计算卓越中心，中国科学院真空物理重点实验室，北京 100190，中国 * 通信地址：xinhuang@iphy.ac.cn (XH); czgu@iphy.ac.cn (CG) † 这些作者对这项工作做出了同等贡献。
MOS2薄膜合成的最新进展用于传感，光伏和等离子应用：评论
摘要：在石墨烯兴起后2D材料的最新成功的激增中，由于其独特的纳米级特性的结合，钼（2D-MOS 2）（2D-MOS 2）一直在基本和应用的视点中引起人们的注意。例如，2D-MOS 2的带隙从直接（以批量形式）变为超薄纤维（几层）的间接（几层），为光电子学中的各种应用提供了新的前景。在这篇综述中，我们介绍了2D-MOS 2薄膜的合成和表征范围的最新科学进步，同时着重强调了它们在能量收集，气体传感和等离子设备中的某些应用。对2D-MOS 2的物理和化学处理途径的调查首先提出，然后详细描述并列出了用于研究其有趣的光学特性的MOS 2纳米材料以及理论模拟的最相关特征技术。最后，讨论了与高质量合成和相当可控制的MOS 2薄膜有关的挑战，并将其整合到新型功能设备中。
pt纳米颗粒/MOS2纳米片/碳纤维作为氢进化反应的有效催化剂
用于电催化水分裂的高级材料对于可再生能源研究至关重要。在这项研究中，我们描述了一个两步反应，以制备由Pt纳米颗粒和MOS 2纳米片组成的氢进化反应（她）的电极。形态和结构的特征是多种技术，包括SEM，TEM，XRD和XPS。详细的电化学特征表明，PT纳米颗粒/MOS 2纳米片/碳纤维电极（2.03 w％pt）在其酸性电解质中表现出极好的催化活性，其超电量为5 mV（Vs.她）。估计相应的Tafel斜率为53.6 mV/dec。稳定性通过长期电势周期和扩展电解确认催化剂的特殊耐用性。â2015 Elsevier Ltd.保留所有权利。