这里，我们展示了透明导电和半规则库仑阻塞，可通过施加栅极电压进行调节，即使在超低温（T 基区 ≃ 15 mK）实验中也是如此。这是基于最近的发现，即可以使用半金属铋实现与平面 MoS 2 的室温欧姆接触：[38] 由于费米能级钉扎是由界面处金属和半导体态的杂化引起的，[39] 降低费米能级附近的接触态密度违反直觉地实现了可调谐性和透明导电。虽然（可能是基板引起的）无序仍然存在，但我们的数据表明接触处明显没有电荷陷阱，并且接触电阻很低。这代表着接触质量的显着改善。在低温极限 T ≤ 100 mK，我们观察到单能级传输的迹象。