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微电子可靠性
3D 技术中不同功能层之间的垂直电互连通常采用硅通孔 (TSV) 实现 [1]。根据应用，这些 TSV 的长度范围从 100 μm 到几 μm。直径通常也相应地缩小。这些 TSV 对于 3D 技术来说是必不可少的，可确保更短的电互连，从而实现更高的器件密度和信号速度。但它们也容易出现故障。 TSV 中存在多种潜在故障原因和影响 [2]，例如空洞（电迁移或加工引起）、分层、未对准、与金属连接不良、TSV 之间连接短路或开路、衬里击穿、应力引起的影响等。在本文中，我们讨论了两种已知故障分析技术——磁场成像 (MFI) 和光诱导电容改变 (LICA) 的替代用途，以检测与衬里击穿 (BD) 引起的泄漏和连接 TSV 的金属开路相关的 TSV 故障。
微电子学、电路与系统（...
这是一系列年度会议。第 11 届 Micro2024 将在印度首都德里举办。我们接受优秀论文在本次会议中发表。论文应为未发表的原创研究论文，且应具有成果和新发现。一些优秀论文可作为会议任何主题的教程、调查论文等在本次会议上发表。本次会议诞生于高质量的出版物，每年我们都会在 Springer-Nature 的《微系统技术杂志》特刊上发表一些优秀的论文扩展版本，SCI 索引的影响因子为 2.1，排名为 Q2/Q3。此外，我们还发表了许多 LNEE（电气工程讲义）论文集，Springer-Nature，SCOPUS 索引，影响因子为 0.5，以及本次会议的其他一些论文。
Interpoint 微电子能力
30 多年来，Interpoint 一直提供高可靠性、高密度的金属封装微电子产品。封装由镀金 Kovar（一种铁镍钴合金）和各种配置的玻璃或陶瓷密封连接针组成（见图 1）。其他金属封装选项包括钛、钼、冷轧钢和金属基复合材料（如铝硅碳和铜钨）。混合组件是密封的，可以按照 MIL-PRF-38534 进行筛选。这些混合物可以在极端温度和高压下工作。它们可以承受高压釜、腐蚀性环境和其他恶劣条件。