1 诺森比亚大学地理与环境科学系,英国泰恩河畔纽卡斯尔 2 英国气象局,埃克塞特,英国 3 爱丁堡大学地球科学系,英国爱丁堡 4 IGE,格勒诺布尔阿尔卑斯大学,法国格勒诺布尔5 魁北克大学三河分校环境科学系,三河市,魁北克省,加拿大 6 魁北克大学应用测绘学系舍布鲁克,加拿大舍布鲁克 7 加拿大环境与气候变化气候研究部,加拿大多伦多
图3。微波传输NB CPW谐振器带有或没有YIG条带和磁场在2K。A,NB谐振器设备的示意图,其YIG条带有YIG条的间隙内。整个设备的尺寸为3.5×4.4 mm 2。两个NB谐振器的长度为13毫米和13.5毫米。插图:具有相同放大倍率的选定区域的光学显微镜图像。所示的YIG条(颜色对比度增强)为10900μm2(顶部)和10300μm2(底部)。b,两个NB谐振器的微波传输(S21)频谱,其间隙中没有YIG条。在4.364和4.203 GHz处的两个尖锐倾角(共振)分别对应于13 mm和13.5 mm共振器的共振频率。c,在零场(蓝色)的13.5毫米谐振器的微波传输光谱,在零场(橙色)的101200μm2 Yig条,
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图 4. (a) 三个硅基 CPW 谐振器的内部品质因数 (𝑄 𝑖) 与平均光子数 < 𝑛 𝑝ℎ > 的关系,散点图为测量数据,实线是基于公式 (4) 的拟合数据,误差线在每个数据点的顶部和底部用大写字母表示,(a) 40 nm Ta 在 𝑇= 77 mK。(b) 𝑓 𝑟 = 3.654 在三个不同温度下。(c) 80 nm Ta 在 𝑇= 44 mK 时和 (d) 100 nm Ta 在 𝑇= 40 mK 时。
耐电弧性 IPC-650 2.5.1 秒 >180 秒 >180 弯曲强度 (MD) IPC-650 2.4.4 psi >23,000 N/mm 2 >159 弯曲强度 (CD) IPC-650 2.4.4 psi >19,000 N/mm 2 >131 剥离强度 (1 盎司 ED) IPC-650 2.4.8 磅/英寸 12 N/mm 2.1 热导率 ASTM F 433 W/M*K 0.19 W/M*K 0.19 热膨胀系数 (XY 轴) ASTM D 3386 (TMA) ppm/ ° C 21-23 ppm/ ° C 21-23 热膨胀系数 (Z 轴) ASTM D 3386 (TMA) ppm/ ° C 215 ppm/ ° C 215 可燃性等级UL 94 V-0 V-0
更新了 ARA 的定义 36.5 GHz 信道 ARA 放宽至 0.75K,以与总不确定度计算 (MRD-240) 保持一致。MRD 中提供的总体不确定度计算定义 1-sigma 限制适用于稳定性要求 MRD-250、MRD-260、MRD-270 增加了关于极端海风中 L 波段测量操作使用的部分。更新了微波成像任务以包括 COWVR 任务。表 MRD-2 更新了 36.5 GHz 信道的新 ARA 值 0.75 K。完全修订了空间采样要求。MRD-190 和 MRD-200 进行了澄清和相应修改。添加了沿扫描和跨扫描定义 澄清了到海岸的距离定义 添加了瞬时视场 (IFOV) 定义 添加了仰角定义 添加了方位角定义 澄清了足迹和足迹椭圆的定义 添加了全波束定义 添加了旁瓣定义 澄清了宽波束效率定义
M/A-COM, Inc. 是 Tyco Electronics 的一个业务部门,在无线电信、汽车、航空航天和军事市场射频 (RF)、微波和毫米波半导体、组件和技术的设计、开发和制造方面是公认的行业领导者。M/A-COM 拥有该领域的数百项专利,是国际知名的创新者和集成商,其技术应用于当今最先进的信号情报和防御系统,以及领先的汽车导航、安全和通信解决方案。M/A-COM 还是公共安全、公用事业、联邦和部分商业市场的关键通信系统和设备的主要供应商。M/A-COM 总部位于马萨诸塞州洛厄尔,在全球设有办事处和制造工厂。
简介/目的:技术进步导致了高能微波武器(尤其是电磁炸弹)的建造和使用问题的现实化。然而,在最近的军事专业文献中,这个问题很少被提及。方法:分析了有关该主题的现有文献。结果:已经确定,一般的功能原理和理论基础已经广泛应用并且为人所知多年。专业机构的大量实验证实了电磁脉冲的有效性。这对于基于半导体技术的设备的灵敏度尤其如此。此外,假设在当前的技术水平下,技术解决方案已广泛用于大量实体。文献中处理的最常见的电磁炸弹模型是使用压缩通量发生器和带有虚拟阴极的振荡器。根据作者的说法,这种变体将确保最终产品具有真实的物理尺寸和足够的强度以供使用。文献中发现的另一个问题是缺乏足够的保护措施
3在光学合成频率晶格中的可编程大规模仿真16 3.1简介。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。16 3.2结果。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。20 3.2.1带结构的测量。。。。。。。。。。。。。。。。。。22 3.2.2准备任意输入状态。。。。。。。。。。。。。。。。。。。23 3.2.3模拟具有超过100K晶格位点的晶格。。。。。。。25 3.3讨论。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。28 3.4实验设置。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。30 3.4.1设置表征。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。32 3.4.2实际空间占用测量。。。。。。。。。。。。。。。36 3.4.3带结构测量。。。。。。。。。。。。。。。。。。。39 3.4.4输入状态准备。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。44 3.5补充结果。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。47