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通过质谱研究 Al(CH3)3 和 NH3 原子层沉积 AlN 薄膜的表面化学
氮化铝 (AlN) 具有宽带隙 (6.2 eV)、高介电常数 (k B 9)、高电阻率 (r B 10 11 –10 13 O cm) 和高热导率 (2.85 W K 1 cm 1 )1 等特性，是微电子和光电子领域的重要材料。由于 AlN 具有压电特性，因此也可用于微机电系统 (MEMS 设备)。2 非晶态 AlN 有多种用途，例如用作钝化层和介电层。3 AlN 薄膜通常通过反应溅射、4 化学气相沉积 (CVD)、5 反应分子束外延 (MBE) 6 和原子层沉积 (ALD) 沉积。AlN 的 ALD 在需要坚固保护层的应用方面引起了广泛关注，例如开发耐腐蚀、绝缘和保护涂层。7
RNAi介导的AccenH3的下调可以在洋葱中诱导体内单倍体（Allium cepa L.）
作为男性父母，事件E1，E2和E5的相对种子集效率分别为37.89％，61.82％和83.76％（表1和补充图。9）。这些发现进一步表明，Accenh3的敲低影响了种子集。差异种子集可能是在相互交叉中观察到的转基因偏置隔离变形的原因之一。我们的观察结果
通过操纵胡萝卜 (Daucus carota) 中的 CENH3 引起染色体水平的变化和基因组消除
杂交品种因其高产量、一致性和其他理想性状而在许多作物物种中很有价值。双单倍体具有两组相同的染色体，对于杂交育种很有价值，因为它们可以在一代内产生，而通常用于生产杂交亲本的近交系需要多代过程。生产单倍体植物的一种方法是操纵着丝粒组蛋白 H3 (CENH3)。到目前为止，这种生产单倍体的方法已在拟南芥、玉米 (Zea mays) 和小麦 (Triticum aestivum) 中成功实现。本文我们描述了胡萝卜 (Daucus carot a) 中 CENH3 的修饰，以测试这些修饰诱导单亲基因组消除的能力，这是单倍体诱导的基础。使用碱基编辑来制作 cenh3 突变植物，其中 CENH3 编码组蛋白折叠结构域的区域具有氨基酸替换。然后将这些 cenh3 突变植物与 CENH3 野生型植物进行杂交。使用基于 PCR 的基因分型检测，我们确定了两个基因组消除候选物。一个候选物被归类为假定的非整倍体植物，其中 7 号染色体处于单拷贝状态。另一个候选物被描述为假定的四倍体，其在发生过程中可能为单倍体。我们的结果表明，这个假定的四倍体从 CENH3 野生型亲本继承了所有染色体，并且 cenh3 突变植物的基因组丢失了。这项研究提供了证据，表明胡萝卜中 CENH3 的修饰有可能诱导胡萝卜的基因组消除和倍性变化。
Y-NH3BH3和Y – Paraffin油系统中的压力化学
由于高压下Yttrium Hydride中的近气温超导率，Yttrium-Hydrium Hydrogen系统引起了人们的关注。我们使用同步子单晶X射线衍射（SCXRD）在87至171 GPA进行了研究，从而发现已知的（两个YH 3相）和五个以前未知的Yttrium氢化物。通过用富含氢的前光照器（北氨虫或石蜡油）激光加热YTTRIUM在钻石砧细胞中合成这些。根据SCXRD确定了新相结构中YTTRIUM原子的排列，并且基于经验关系和依从计算的氢含量估计揭示了以下化合物：y 3 H 11，y 2 H 9，y 2 H 9，y 2 H 9，y 4 H 4 H 23，y 4 H 23，y 13 H 75和y 4 H 4 H 4 H 25。这项研究还发现了碳化物（YC 2）和两个Yttrium同素异形体。复杂的相多样性，Yttrium Hydride中的氢含量及其金属性质，如从头算计算所揭示的那样，强调了鉴定超导阶段的挑战，并了解高压合成材料中的电子过渡。
Photon ignites NH3 cracking on thermally unreactive transition metals
作为零发射能量载体，氢，尤其是可再生能量和水上的“绿色氢”，是脱碳现有能量系统的关键部分，并转移到碳中性世界中[1,2]。不幸的是，与存储和运输相关的挑战极大地限制了氢能的大规模应用，这需要开发有效的氢存储材料[3-5]。由于其低碳足迹，高质量/体积氢存储能力，易于清算，安全的存储和运输，以及在工业规模上开发良好的合成方法，氨（NH 3）被视为有希望的氢载体[6-8]。在H 2解放方面，NH 3分解通常是通过热催化的，要么具有在高温下运行的地球量过渡金属催化剂，要么具有稀缺且昂贵的铂类材料[9]。为了使NH 3的经济可行性产生H 2生成，最近几个螺柱引入了轻度驱动的NH 3开裂途径，考虑到降低能耗并开发非差异金属催化剂[10]。关于光诱导的NH 3分解的机制和驱动力，光热效应是由表等离子体的谐振或光生荷荷荷载体的非辐射放松导致的，据报道主导反应过程。这个显着的进步解锁了在这种情况下，探索支撑效应，大小的工程，形态，电子结构和金属催化中心的局部协调提供了显着改善的金属特异性活动，但它们的传统热催化仍然存在。直到最近，HALAS和同事[11]证明，NH 3破裂的明显激活屏障可以大大降低等离激氧化金属纳米颗粒光催化剂，因此清楚地指出了非平衡的独特且前所未有的作用，在激活的反应剂和键入的反应剂和密钥介体中极为激发的热载体。后来，哈拉斯和同事[12]扩展了热载体介导的反应物/中间激活对地球丰富的Fe的概念，并产生了与RU的可比活性，尽管Fe cat-Alytic中心的活性远不那么活跃，因为由Sabatier原理和实验性地测试了由SABATIER通过TOMERMED CORMIDER CORMIDER CORMITAL CORMIDER CORMITAL CORMETICTION-RU进行预测。
通过废铁感应加热控制快速多次吸附-解吸循环评估 CaCl2-NH3 对中的热化学储能
储能系统可解决当前供需间歇性问题，从而提高能源效率。在众多可用技术中，热化学储能前景十分广阔。在这项工作中，我们首次通过实验研究了感应加热作为将电力系统与热能技术直接耦合的方法。该系统还允许在快速多重吸附 - 解吸循环控制中进行多种测量。在定制装置中实现 CaCl 2 -NH 3 加合物的吸附和解吸循环。铁丝和废红泥被研究作为潜在的感应材料。使用差示扫描量热法、热重法、扫描电子显微镜和比表面积对材料在 1、2 和 1000 次循环后的性能进行评估。废红泥表现出良好的感应潜力。在所有情况下，1000 次循环后均未观察到材料降解。与使用铁丝加热的样品相比，使用废弃红泥加热的样品具有更高的最大吸收容量（0.304 对 0.154 g NH3 /g CaCl2 ）和解吸焓（716 对 460 KJ/ kg CaCl2 ）。这被发现与含有红泥的样品的平均比表面积有关，该比表面积几乎是铁样品的两倍。我们希望这里提出的概念可以促进感应加热方向的研究，同时为废弃红泥产生新的利用途径。
镁被装饰的石墨烯量子点纳米结构的建模用于捕获ASH3，PH3和NH3气体
最近，已经调用了理论计算的密度功能理论（DFT）方法，以检查和预测所研究材料的特性。16,17这种方法是当今科学界社区中的一种重要方法，它可以帮助确定是否可以考虑使用纳米材料进行感应应用。18 dft方法也可以采用对气体传感器材料的深入了解，以了解材料的分子电子和结构性能，机械行为，电导率和敏感性，以检测和识别诸如Ash 3，NH 3，NH 3，pH 3的危险气体。19 - 21 Arsine（Ash 3），氨（NH 3）和诗Phine（pH 3）是有毒的无色氢化物气，刺激了刺激性。22,23它们是高度刺激的气体，也是
CNH3-A C32e-ENVEA
输出连接 以太网（RJ45 插座、UDP 协议、Modbus TCP）、USB 端口、外部零点/跨度 SV 控制 尺寸 长 x 宽 x 高 (mm) 483 x 545 x 133 底盘 19 英寸机架，3U 重量 10 千克（不含外部泵）（4.5 千克） 标准工作温度 0°C 至 +40°C
从 CRISPR/Cas9 介导的胡萝卜 (Daucus carota subsp. sativus) 着丝粒组蛋白 H3 (CENH3) 基因编辑中获得的见解
单倍体的产生是加速植物育种过程的最有效手段之一。在大多数作物物种中，有效的单倍体技术尚未出现或仅适用于有限的一组基因型。最近发表的关于拟南芥和玉米、小麦等主要谷类作物通过 CRISPR/Cas9 介导的着丝粒组蛋白 H3 基因 (CENH3) 编辑成功诱导单倍体的研究结果表明，这种生产单倍体植物的新方法也可能适用于胡萝卜等蔬菜物种。在这里，我们报告并总结了过去几年专注于基于 CRISPR/Cas9 编辑胡萝卜 CENH3 基因的不同实验和遗传方法。我们还描述了在胡萝卜基因组中发现的第二个 CENH3 基因位点，这使生成和分析假定的单倍体诱导基因型的尝试变得复杂。我们表明，三种不同的 CRISPR/Cas9 靶构建体（单独使用或组合使用）可以成功靶向胡萝卜 CENH3。已经发现了有希望的突变体，例如同框插入/缺失或同框删除突变体，但它们是否能成功用作假定的单倍体诱导物尚不确定。跨越 CRISPR 靶位点的扩增子的下一代测序和基于转录本的扩增子测序似乎是选择有希望的突变体、估计突变频率和首次预测涉及哪个基因的合适方法。本研究的另一个目的是用外来 CENH3 基因同时敲除和补充内源胡萝卜 CENH3 基因。利用根瘤菌将基于 CRISPR/Cas9 的胡萝卜 CENH3 敲除构建体与从人参 (Panax ginseng) 克隆的 CENH3 基因共转化。结果表明，人参 CENH3 蛋白在胡萝卜染色体的着丝粒区域内积累，表明 PgCENH3 可能是这种方法的合适候选者。然而，目前尚不清楚该基因是否在减数分裂细胞分裂过程中充分发挥作用并能够补充致死配子。本文讨论了开发基于 CENH3 的胡萝卜 HI 系统的挑战和未来前景。
通过原位NH3掺杂改善了MOS2 FET的性能...
到3。 56×10 6，阈值电压从 - 0移动。 74 V至 - 0。 12 V和一个小的子阈值秋千为105 mV/dec。 改进的MOS 2 FET性能归因于在Al 2 O 3 ALD生长过程中引入NH 3的氮掺杂，从而导致介电层的表面粗糙度降低，并修复Al 2 O 3层中的氧空位。 此外，在Al和O前体填充周期后，由原位NH 3进行处理的MOS 2 FET证明了最佳性能。这可能是因为最终的NH 3掺杂膜生长后，恢复了更多的氧空位，以筛选MOS 2通道中更多的电荷散射。 报告的方法提供了一种有希望的方法，可以减少高性能MOS 2设备中载体传输中的电荷散射。到3。56×10 6，阈值电压从 - 0移动。74 V至 - 0。12 V和一个小的子阈值秋千为105 mV/dec。改进的MOS 2 FET性能归因于在Al 2 O 3 ALD生长过程中引入NH 3的氮掺杂，从而导致介电层的表面粗糙度降低，并修复Al 2 O 3层中的氧空位。此外，在Al和O前体填充周期后，由原位NH 3进行处理的MOS 2 FET证明了最佳性能。这可能是因为最终的NH 3掺杂膜生长后，恢复了更多的氧空位，以筛选MOS 2通道中更多的电荷散射。报告的方法提供了一种有希望的方法，可以减少高性能MOS 2设备中载体传输中的电荷散射。