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到3。 56×10 6，阈值电压从 - 0移动。 74 V至 - 0。 12 V和一个小的子阈值秋千为105 mV/dec。 改进的MOS 2 FET性能归因于在Al 2 O 3 ALD生长过程中引入NH 3的氮掺杂，从而导致介电层的表面粗糙度降低，并修复Al 2 O 3层中的氧空位。 此外，在Al和O前体填充周期后，由原位NH 3进行处理的MOS 2 FET证明了最佳性能。这可能是因为最终的NH 3掺杂膜生长后，恢复了更多的氧空位，以筛选MOS 2通道中更多的电荷散射。 报告的方法提供了一种有希望的方法，可以减少高性能MOS 2设备中载体传输中的电荷散射。到3。56×10 6，阈值电压从 - 0移动。74 V至 - 0。12 V和一个小的子阈值秋千为105 mV/dec。改进的MOS 2 FET性能归因于在Al 2 O 3 ALD生长过程中引入NH 3的氮掺杂，从而导致介电层的表面粗糙度降低，并修复Al 2 O 3层中的氧空位。此外，在Al和O前体填充周期后，由原位NH 3进行处理的MOS 2 FET证明了最佳性能。这可能是因为最终的NH 3掺杂膜生长后，恢复了更多的氧空位，以筛选MOS 2通道中更多的电荷散射。报告的方法提供了一种有希望的方法，可以减少高性能MOS 2设备中载体传输中的电荷散射。
通过原位NH3掺杂改善了MOS2 FET的性能...
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