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纳米级过渡金属三卡构基化金属元素（TMTC）（例如TIS 3）对基本研究和应用开发都显示出很大的潜力，但是他们的自下而上的合成策略仍应实现。在这里，我们探索了TIS 3的化学蒸气沉积（CVD）合成，其晶格各向异性使B轴的优先生长使矩形纳米片或纳米虫具有具有生长温度可调节的长宽比的矩形纳米片或纳米骨。获得的纳米结构，同时保持光谱和结构特性，如原始的半导体TIS 3的特性，表现出较高的电导率和超低载体激活屏障，这是纳米级导体。我们的实验和计算结果表明，CVD生长的TIS 3中存在S 2 2-空缺，导致重型N型掺杂到退化水平。此外，预计将半导体特性通过从环境中用氧原子钝化S 2 2-空位来恢复。这项工作因此预示着使用缺陷工程的三卡氏菌元素半导体构建纳米级电子的诱人可能性。
化学蒸气中的异常重掺杂...
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