原位无动,可以允许使用较小的体积和较小尺寸的小部分。然而,当属于平坦底物上的粒子经过常规的ALD过程时,它将覆盖在所有裸露的表面(即顶部和侧面)上,但不在与底物相连的侧面。另外,在粒子和底物之间的纳米级间隙中生长的配合物将将两者结合在一起,这使得粒子的脱离不可能。在这里,我们报告了一种新颖的技术,用于在惰性聚苯乙烯(PS)膜上覆盖各个方面的单个颗粒。为了使无机膜不仅可以在粒子暴露的表面上增长,而且还可以在与聚苯乙烯接触的底部增长,这种技术重新利用了蒸气相渗透(VPI)[3,4],[3,4]基于ALD的材料杂交过程,基于ALD家族,包括序列序列(包括序列),包括序列INSTINTER INSTIMER INSTIMER INSTERTION(MPSRESINTION INVINTRAINTINT(MPI)[MPI)[MPI)[MPI,MPI)[MPI,MPI,MPI,MPI,MPI,MPI,MPI, (SIS),[6]和顺序蒸气浸润(SVI)。[7]在VPI期间,蒸气阶段金属前体刺激到聚合物基质中,并与其中的官能团反应形成有机无机杂种。[8-10]浸润合成的杂种显示增强的材料特性,已证明对多种应用有用,例如蚀刻罩,[11,12]抗侵蚀纳米纹状体,[13,14]光催化和光效率和光效应器,[15] PhotopotopodeTectors,[15] PhotopodeTectors,[16] 17],[17] [17],[17] [17] [17] [17] [17][19]
主要关键词