氢是由于其高能量密度和零碳排放而导致可再生能源存储和运输的有前途的候选者。其实际应用面临与安全,有效的存储和释放系统有关的挑战。本评论文章研究了用于氢储存的高级纳米结构材料,包括金属乙酰基和氰化物配合物,B,N掺杂的γ-graphyne纳米管(γ-GNT),磷化锂双螺旋和NI-Formated Concobon-Cobon-Coarbon基簇。密度功能理论(DFT)计算用于分析结合能,热力学稳定性和吸附机制。ni装饰的C 12 N 12纳米群体表现出增强的储存能力,具有良好的N-(μ-Ni)-n构造的最高八个H 2分子结合。磷化锂双螺旋在一个稳定的半导体框架内显示出9.6 wt%氢气的潜力。在硼掺杂位点使用OLI 2的γ -GNT的功能显着提高了存储潜力,从而实现了实用应用的最佳氢结合能。此外,通过贵重气体插入稳定的金属乙酰基和氰化物配合物显示热力学上有利的氢吸附。这些结果突出了这些功能化纳米结构的潜力,可以实现高容量,可逆的氢存储。γ-GNT提供高表面积和可调电子特性,非常适合通过杂原子掺杂增强物理吸附。磷化锂双螺旋促进了通过不饱和锂中心的库巴斯样化学吸附。这些材料代表这项研究中的纳米结构,例如γ-图纳米管(γ-GNT),磷化锂双螺旋,金属乙酰基和氰化物络合物以及基于NI染色的碳基簇,是基于其具有互补氢充气机制的能力,包括物理学和化学能力。金属乙酰基和氰化物配合物通过电荷转移和共轭框架稳定氢吸附,而NI装饰的簇结合了极化诱导的物理吸附。
我们回顾了半导体纳米结构中热传输的实验和理论结果(多层薄膜,核/壳和分段纳米线),单层和几层石墨烯,己酮硝化氢,二甲硝基硼,钼二硫化物和黑磷。讨论了用于优化电力和热电导的声子工程的不同可能性。揭示了声子能光谱修饰在半导体纳米结构中热导率中的作用。分析了石墨烯和相关的二维(2D)材料对温度,薄片尺寸,缺陷浓度,边缘粗糙度和应变的依赖性。
介绍了一种用于在纳米表面结构上制造 TiN 纳米结构的电感耦合等离子蚀刻工艺。使用 Cl 2 /Ar/N 2 等离子体,在 SiO 2 上可实现 50 的选择性。研究了 N 2 流速对蚀刻速率和 TiN 侧壁上非挥发性残留物的影响。当 N 2 流速增加到 50 sccm 时,观察到 TiN 侧壁上非挥发性残留物的沉积发生变化。介绍了用 TiN 纳米结构侧壁制造的 TiN 器件的电流密度-电压特性。分别用低和高 N 2 流速蚀刻的两个不同样品的测量电流密度表明,仅在低 N 2 流速下,清洁后才会在侧壁上沉积一层绝缘层。VC 2015 美国真空学会。 [http://dx.doi.org/10.1116/1.4936885]
摘要 - 已经回顾了抗铁磁纳米结构中木元的激发,检测和传播的理论和实验研究。抗铁磁材料的特性,例如不存在宏观磁化,存在强交换相互作用以及复杂的磁晶体结构,使实施新型的内存和功能电子设备使得有可能。微观和纳米级的抗铁磁材料中可能的镁效应的研究需要新的实验和理论方法。在这篇综述中,描述并系统化了磁振荡激发的最新结果 - 磁磁性的抗铁磁材料。提出了抗铁磁铁和多层抗磁性异质结构的主要理论结果。模型用于描述包括纳米层结构中电流和光脉冲引起的现象,包括抗铁磁体。通过布里鲁因散射研究抗铁磁微体和纳米结构的方法,以及抗铁磁性纺纱型和镁质的应用的前景。
■ Suppression of localized transmission peaks and deviation from Matthiessen s rule in disordered armchair graphene nano-ribbons due to acoustic phonons Hossein Akhoondali, Arash Yazdan Panah Gohar Rizi, Mohammadjavad Sharifi PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS and NANOSTRUCTURES, Vol.74, pp.168-174,2015
• Quantum Physics, Quantum Technologies, Statistical Physics, • Nanostructures, Microtechnologies, Nanotechnologies, • Cold atoms, Condensed matter theory, Quantum information, • Light-matter interaction, Non-linear electromagnetism, • Quantum Transport, Nanoelectronics, Semiconductors, • Physico-chemistry, Materials, Elaboration, • Lasers, Quantum Information and电信,•显微镜,光谱,成像,•纳米光子学,旋转,深度学习,生物 - 科学
• time-resolved X-ray Absorption Spectroscopy (tr-XAS) in transmission geometry • time-resolved Small Angle X-ray Scattering (tr-SAXS) from thin films and nanostructures • Coherent Diffraction Imaging and (sub)-microsecond X-ray photon correlation spectroscopy • Time-resolved Resonant Inelastic X-ray Scattering (tr-RIXS) from thin films和晶体以及液相的样品。•晶体中电子超结构和晶格的时间分辨X射线衍射(TR-XRD)。
1电子显微镜实验室和国际量子材料中心,北京大学,北京大学,北京大学2北京国家2北京国家冷凝物质物理实验室,中国科学院物理研究所,北京学院,北京学院100190,100190,中国3日) PRESTO, Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan 5 Nanostructures Research Laboratory, Japan Fine Ceramic Center, Nagoya 456-8587, Japan 6 WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan 7 Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing 100871, China 8 Interdisciplinary Institute of Light-Element中国北京大学北京大学量子材料和研究中心,北京大学
的方法已被采用:17 - 20,即自上而下的方法,依赖于切割宏观系统,例如石墨,碳黑色或碳晶体,以获得纳米级量子点;以及基于有机化学的自下而上的方法,旨在生成从小型系统到较大系统的GQD。gqd是具有出色和可调特征的石墨烯的小片段,即间隙能,光吸收,光致发光和量子构成效应。21,22 These excellent properties make these zero-dimensional nanostructures more attractive for optical and optoelectrical devices used in industrial and medical elds, such as, photovoltaic devices, catalysis (electrocatalysis, pho- tocatalysis) bio-imaging, medical diagnosis.23几项实验和理论研究表明,可以通过调整大小的调整,24 edg guration,25
硅纳米结构已在现代微电子学中广泛使用。微电芯片中不断增加的整合密度不可避免地导致Si纳米结构的明显温度升高,这是承受大量热应力所必需的,以维持其适当的功能。si纳米结构也是许多新型纳米技术应用的基础,包括能量收集和存储,灵活且可拉伸的电子设备,传感器和纳米机械系统。[1]这些应用的可靠性问题要求对升高温度下的Si纳米结构的机械行为有基本的了解。在这里,我们报告了在RT至600 K的温度范围内单晶Si NWS的原位拉伸测试。[2]我们采用新开发的微电力系统(MEMS)[3-6]来进行透射电子显微镜(TEM)内的纳米热测试。该平台允许在不同温度下同时对原子尺度变形的TEM成像进行应力 - 应变测量。[2,7]基于MEMS的平台内置了一个片上加热器,从而使样品的受控加热。