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硅纳米结构已在现代微电子学中广泛使用。微电芯片中不断增加的整合密度不可避免地导致Si纳米结构的明显温度升高，这是承受大量热应力所必需的，以维持其适当的功能。si纳米结构也是许多新型纳米技术应用的基础，包括能量收集和存储，灵活且可拉伸的电子设备，传感器和纳米机械系统。[1]这些应用的可靠性问题要求对升高温度下的Si纳米结构的机械行为有基本的了解。在这里，我们报告了在RT至600 K的温度范围内单晶Si NWS的原位拉伸测试。[2]我们采用新开发的微电力系统（MEMS）[3-6]来进行透射电子显微镜（TEM）内的纳米热测试。该平台允许在不同温度下同时对原子尺度变形的TEM成像进行应力 - 应变测量。[2,7]基于MEMS的平台内置了一个片上加热器，从而使样品的受控加热。
原位纳米透射机械实验揭示了si纳米线中的延性过渡的脆性
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