XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemNit
锂支持具有主权的能量过渡
修改，如果适用，请在主管当局进行正式注册。3。商业许可证或同等许可（如果适用）。4。代表性的法律权力或同等的权力。5。法律地址。6。税收标识号 - NIT或同等文档。7。电话号码。8。电子邮件地址。9。证明公司，其主要公司或依赖的文件
网络和信息技术研究与发展计划审查
华盛顿特区 20502 致总统的信 总统小约瑟夫·R·拜登 白宫 华盛顿特区 尊敬的总统先生， 美国领导地位最强大的领域之一是计算和通信技术的创新和商业增长。几十年来，这一广泛的研发 (R&D) 领域一直是我们经济的驱动力，也是显著的社会变革的驱动力：想想个人电脑、互联网和手机的影响。美国政府在过去几十年的投资为过去几年在网络和信息技术 (NIT) 方面前所未有的商业投资奠定了基础。随着大型语言模型和人工智能 (AI) 的爆炸式增长，联邦在 NIT 方面的研发在今天比以往任何时候都更加重要。网络和信息技术研究与开发 (NITRD) 计划由立法设立，旨在 30 多年前促进美国在 NIT 领域的领导地位，目标是协调整个联邦政府的 NIT 研发活动。随后的立法要求总统设立一个咨询委员会，为国会准备 NITRD 计划的三年独立审查，自 2005 年以来，总统指定总统科学技术顾问委员会 (PCAST) 提供这些审查。为了撰写以下报告，我们召集了一个来自学术界和工业界的工作组，并与各机构以及 NITRD 协调办公室的相关政府人员会面。在审查任何 30 年历史的计划时，第一个问题是它是否仍然发挥着重要作用并发挥良好作用。我们很高兴能够报告我们的第一个发现，即 NITRD 计划仍然有用且具有成本效益。事实上，我们对 NITRD 计划继续提供的价值印象深刻。我们的报告继续建议改进和更新，以使 NITRD 能够接触到更多它应该支持的政府实体，并在当前“人工智能的特殊时刻”引发的快速和戏剧性发展中发挥其所需的作用。 NITRD 在我们国家最重要的研发领域之一中发挥着不可估量的作用。联邦投资正在维护和建立美国在我们共同未来的关键组成部分中的领导地位。协调跨政府对网络和信息技术研发的投资对于确保这一关键技术领域满足公共部门需求并为未来私营部门的增长奠定基础至关重要。我们对 NITRD 工作的前景充满热情，并希望我们的报告将有助于为其下一阶段提供参考。诚挚的，总统科学技术顾问委员会
国家技术学院杜尔加普尔
advt。编号：NITD/pH/AKC/2024/JRF-RA日期：30/05/2024在NIT Durgapur应用程序以下两个合同职位的广告中，邀请了一名初级研究员（JRF）的符合条件的印度公民（JRF）和SERB（DST）基金II的一名研究助理II（DST）基金（DST）基金会（DST）资助的Project（IPA/20221/20221/004）候选人将主要在NIT Durgapur担任化学工具部门的合作团队的成员。和高级材料中的COE。该项目是与IIT Bombay（能源科学＆Engg。和vnit Nagpur（电气工程），并根据塞尔巴人的特殊呼吁（在高优先级领域的研究加剧）资助。该项目的主要目标是开发具有改进的电化学性能（能量密度，循环稳定性，速率能力等）的钠离子混合电容器 /电池。< / div>最终将其集成到智能的离网可再生和可持续的储能管理系统中。
已采取的行动 高知市政局于...提交的报告
根据 2020 年 10 月 22 日第 238/DC1/2020/LSGD 号信函，政府指示科钦公司检查评估的遗留废物数量和由 M/s Zonta Infratech Pvt Ltd 牵头的财团报价，M/s Zonta Infratech Pvt Ltd 是与科钦邦城市污染控制委员会协商后选定的修复 Brahmapuram 市政固体废物堆场的投标人，并提交报告。NIT Calicut 受聘进行无人机调查，该调查于 2021 年 2 月 9 日完成。NIT Calicut 提交的最终报告于 2021 年 4 月 7 日提交给政府。根据 2021 年 6 月 27 日的 GO(Rt)No.1219/2021/LSGD，政府已指示向通过招标程序确定的机构 (M/s Zonta) 发出工作指令。根据 2021 年 7 月 22 日第 1 号理事会决议，该工作已授予 M/s Zonta Infratech Pvt Limited，该机构负责生物采矿工作，请参阅 2021 年 7 月 23 日 LOA 编号：NO.MOE2/3760/20。废物转化为能源项目：
信息手册
该类别包括在职专业人士并由各自组织赞助的博士研究学者。在各自组织工作时，他们可以作为研究所的研究学者从事博士学位工作。可以允许这样的博士研究学者（在研究所校园内完成工作和最低限度的06个月停留）后，可以允许加入他/她的母公司组织，在那里他/她将在那里进行研究工作，同时为母公司提供服务，并允许继续作为兼职研究学者。那些在NIT HAMIRPUR半径250公里内拥有工作场所的申请人可以免于居住期，并且可以允许以自学模式（NPTEL/SWAYAM/MOOC等）进行课程工作。如果由主管建议并获得Dean（学术）批准。但是，对于所有评估（学期中期检查，末日考试，末日学期介绍等）学生需要在NIT校园内物理出现，并出现同样的情况。申请人必须对国家级测试进行合格：UGC-NET/UGC-CSIR网或门。但是，拥有超过02年学术/行业/研究经验的候选人应免除国家级别的测试：UGC-NET/UGC-CSIR NET或GATE检查。
Polar Semiconductor, LLC 公司概况
业务和技术开发副总裁。技术开发、工程和质量、产量和集成工程（明尼苏达州赛普拉斯）；工艺研发（霍尼韦尔航空航天）。NIT Trichy 化学工程理学学士、克拉克森大学化学工程硕士、明尼苏达大学卡尔森管理学院运营和战略工商管理硕士。哈佛商学院领导力、金融和管理培训。
M. Tech。非破坏性测试的学位
G. Thavasi Raja博士于1981年出生于印度泰米尔纳德邦的Virudhunagar。他获得了公元前印度泰米尔纳德邦Madurai Kamaraj大学的电子和通信工程学位（ECE），2002年，以及来自Madurai的Thiagarajar工程学院的M.E传播系统学位，隶属于印度钦奈的Anna University，2004年。 他获得博士学位印度印度科技研究所（IIT）的电子与电通信工程系（E＆ECE），印度哈拉格布尔，由全印度技术教育委员会（AICTE）赞助，印度新德里，印度印度新德里，2016年。。。 2006年6月，他加入了印度Tiruchirappalli国家理工学院（NIT）电子和传播工程系（ECE）的助理教授。 他于2022年9月在Tiruchirapalli NIT的ECE晋升为副教授。 他是泰米尔纳德邦钦奈的Sri Sivasubramaniya Nadar（SSN）工程学院的讲师（2004年9月 - 2006年5月）。 他的研究兴趣包括通信系统，特种光纤，光子晶体纤维，光纤传感器，光纤设备，光学波导，可重新配置和可重编程的光子集成电路和设备。 他是美国通信和光子学会电气与电子工程师研究所（IEEE）的高级成员，是印度光学学会和美国光学学会（OSA）的成员。印度泰米尔纳德邦Madurai Kamaraj大学的电子和通信工程学位（ECE），2002年，以及来自Madurai的Thiagarajar工程学院的M.E传播系统学位，隶属于印度钦奈的Anna University，2004年。他获得博士学位印度印度科技研究所（IIT）的电子与电通信工程系（E＆ECE），印度哈拉格布尔，由全印度技术教育委员会（AICTE）赞助，印度新德里，印度印度新德里，2016年。。他获得博士学位印度印度科技研究所（IIT）的电子与电通信工程系（E＆ECE），印度哈拉格布尔，由全印度技术教育委员会（AICTE）赞助，印度新德里，印度印度新德里，2016年。2006年6月，他加入了印度Tiruchirappalli国家理工学院（NIT）电子和传播工程系（ECE）的助理教授。他于2022年9月在Tiruchirapalli NIT的ECE晋升为副教授。他是泰米尔纳德邦钦奈的Sri Sivasubramaniya Nadar（SSN）工程学院的讲师（2004年9月 - 2006年5月）。他的研究兴趣包括通信系统，特种光纤，光子晶体纤维，光纤传感器，光纤设备，光学波导，可重新配置和可重编程的光子集成电路和设备。他是美国通信和光子学会电气与电子工程师研究所（IEEE）的高级成员，是印度光学学会和美国光学学会（OSA）的成员。
R.21-03-011 Calcca建议信FMR 171 24
J ul y 1, 2 0 4 4 VI A E C T T R OI C M A C U tilitite es C m put the n of of s and Ste at and o o C ir nor a er g Di vis the n Att and n and n u and, 4t Fl o S a n a C o, C A 9 4 1 2 A d vis and L et 1 5 -E A pl and V all and y o y C oi oi c and E and r 3 et ett et 8 8 8 − A C r d d d d d et ett and L ett and r 4 1 -E C and t r al C al C os m m nit y A d e d eel c and L ett and r et 9 -E Cl and the n d e n gy Alli o n c and L - E r Alle a n c and A d ett c and L ett and r 2 9 -E Cl and a n P o and R el F F A d ett and L ep 1 0 -E D es Rh M M M M M E和R NS et Ect和R et 6 - 以及N and R e n l e s d s d oi c and
国家技术研究院德里
FCJ25J2021J14鉴于财政委员会成员的决定，录取财务委员会接受了对赞助类别的录取的录取的决定，已有63个学生在PH.D计划中启动并在博士学位上录取。低于01的学生。 是根据2022-23学年在研究所获得的M.Tech和Ph.D定期录取的课程。赞助计划的学位课程和06博士学位。来自AY学者的NIT Delhi已根据Self 2022-2023在筹集资金的计划下承认。 此外，在M.Tech结构下的费用及其费用。 计划将从2022-23学年开始。FCJ25J2021J14鉴于财政委员会成员的决定，录取财务委员会接受了对赞助类别的录取的录取的决定，已有63个学生在PH.D计划中启动并在博士学位上录取。低于01的学生。是根据2022-23学年在研究所获得的M.Tech和Ph.D定期录取的课程。赞助计划的学位课程和06博士学位。来自AY学者的NIT Delhi已根据Self 2022-2023在筹集资金的计划下承认。此外，在M.Tech结构下的费用及其费用。计划将从2022-23学年开始。