有几种方法可以质疑物理系统状态的具体量子力学特性。首先,人们可能会问它的相干性有多强。量子态相干叠加的存在是物质波干涉现象的起源,因此,这是一个典型的量子特征,对此提出了几种测量和证据(有关最近的综述,请参阅 [1])。其次,当所研究的系统是二分或多分系统时,其组成部分的纠缠是另一个内在的量子特征。有大量文献探讨了各种测量方法来量化给定状态中包含的纠缠量 [2–14]。最后,对于玻色子量子场的模式,出现了第三种非经典性概念,通常称为光学非经典性。根据格劳伯的观点,光场的相干态(及其混合态)被视为“经典”,因为它们具有正的格劳伯-苏达山 P 函数 [15]。从那时起,多年来人们开发了多种光学非经典性测量方法,以测量与光学经典状态的偏离 [15–41]。光场量子态的这三种不同的、典型的量子属性被认为可作为量子信息或计量学的资源 [38, 39, 42–44]。那么自然而然地就会出现一个问题:这些属性之间有着什么样的定量关系。例如,在 [45] 中,给出了使用非相干操作从具有给定相干度的状态中可以产生多少纠缠的界限:这将相干性与纠缠联系起来。在 [46] 中,状态的相干性和光学非经典性被证明是相互关联的:远对角线密度矩阵元素 ρ ( x, x ′ ) 或 ρ ( p, p ′ ) 的显著值(称为“相干性”)是状态的光学非经典性的见证。我们的目的是建立多模玻色子场的光学非经典性和二分纠缠之间的关系。直观地看,由于所有光学经典态都是可分离的,因此强纠缠态应该是强光学非经典态。相反,仅具有弱光学非经典性的状态不可能高度纠缠。为了使这些陈述精确且定量,我们需要测量纠缠度和光学非经典性。作为评估二分纠缠的自然指标,我们使用形成纠缠 (EoF) [4]。关于光学非经典性,我们使用最近引入的单调性 [38, 39],我们将其称为总噪声单调性 ( M TN )。它是通过将纯态上定义的所谓总噪声∆x2+∆p2扩展到混合态(通过凸屋顶结构,参见(1))得到的,对于该值来说,它是光学非经典性的一个完善的量度[38–41]。我们的第一个主要结果(定理 1 和 1')在于,对于 n = n A + n B 模式的二分系统的任意状态 ρ,EoF(ρ) 关于 M TN (ρ) 的函数有一个上限。特别地,当 n A = n B = n/ 2 时,这个上限意味着包含 m 个纠缠比特的状态必须具有光学非经典性(通过 M TN 测量),并且该光学非经典性随 m 呈指数增长。作为应用,我们表明,当可分离纯态撞击平衡光束分束器时可以产生的最大纠缠度由该状态的光学非经典性的对数所限制,通过 M TN 测量。换句话说,虽然众所周知分束器可以产生纠缠 [28, 47, 48],但纠缠量受到本态光学非经典性程度的严重限制。定理 1 和 1' 中的界限可以很容易地计算出纯态的界限,因为 EoF 与还原态的冯·诺依曼熵相重合,而 M TN 与总噪声相重合。然而,对于混合态,界限与两个通常难以评估的量有关。我们的第二个主要结果(定理 2)解决了这个问题
《材料》(ISSN 1996-1944)于 2008 年创刊。该期刊涵盖 25 个综合主题:生物材料、能源材料、先进复合材料、先进材料特性、多孔材料、制造工艺和系统、先进纳米材料和纳米技术、智能材料、薄膜和界面、催化材料、碳材料、材料化学、材料物理、光学和光子学、腐蚀、建筑和建筑材料、材料模拟和设计、电子材料、先进和功能性陶瓷和玻璃、金属和合金、软物质、聚合物材料、量子材料、材料力学、绿色材料、通用材料。《材料》为投稿高质量文章和利用其庞大的读者群提供了独特的机会。
共同作者:GOHLKE,Martin(德国航空航天中心 (DLR));KUSCHWESKI 博士,Frederik(德国航空航天中心 (DLR));OSWALD,Markus(德国航空航天中心 (DLR));ABICH,Klaus(德国航空航天中心 (DLR));ALAM 博士,Tasmim(德国航空航天中心 (DLR));BLOMBERG,Tim(德国航空航天中心 (DLR));BISCHOF,Jonas(德国航空航天中心 (DLR));BOAC,Alex(德国航空航天中心 (DLR));BUSSMEIER,Andre(德国航空航天中心 (DLR));RÖDER,Niklas(德国航空航天中心 (DLR));WÜST,Jan Martin;SANJUAN 博士,Jose(德国航空航天中心 (DLR));SCHULDT 博士,Thilo(德国航空航天中心 (DLR)); BRAXMAIER, Claus 教授(德国航空航天中心 (DLR))
学术共识引用学术共享引用O'Keefe,John T.,“使用二锡氧化物(ITO)的光学透明的RF组件启用混合光学微波空间通信”(2024)。博士学位论文和硕士论文。870。https://commons.erau.edu/edt/870
该研究的目的是确定硫化镍薄膜的光学特性,即,来自化学浴沉积方法(CBD)的反射率,吸光度,透射率和能量带隙,与几个波长相关,并与各种紫外线(UV)范围相关,以确定其潜在的效果。使用硫酸盐,硫代硫酸钠和三乙醇胺(TEA)溶液,将镍硫化物薄膜化学沉积。基于Avantes单光束扫描UV-SpectroPhotopormeter,NIS薄膜的光学特性,这是光谱吸光度,反射率和透射率。发现NIS薄膜在所需的波长紫外线范围内具有很高的透明度,用于光疗的应用,低吸收系数可最大程度地减少能量损失和最大化增益,低反射可用于最大程度地减少反射损失,并最大程度地减少光耦合效率和1.98 EV的能量带差异,使其具有1.98 EV的evap em emememememecondoctor材料。nis薄膜中的薄膜被证明具有光疗中光放大器的所需特性特性。
储层计算是一种植根于经常性神经网络的时间序列处理的监督机器学习方法[1,2]。受到大脑机制的启发,许多相互连接的人工神经元过程输入输入并显示内部记忆。反复的神经网络随后适合于语音识别等时间任务[3,4],但以难以训练的代价。网络的所有权重需要在时间[5]中使用反向传播进行训练,这是一种耗时的,并非总是在融合[6]。不同,在储层计算(RC)中,仅训练输出层的权重以处理信息[7,8]。这些结构是由三个元素组成的:将数据注入系统中的输入层,由随机连接的大量神经元(或节点)组成的储层,以及一个外部(或读取)层以从储层中提取信息。在储层上的某些条件下,用简单的线性回归训练输出层就足够了[1,8]。在本文中,我们使用单个非线性节点(如[9]中)提供了储层协议的设计。尽管最近的作品已通过光学频率梳子的频率组件成功实现了储层和神经形态的组合[10-12],但我们在这里利用了时间特征,即脉冲基础,光频率梳子作为储层的节点。此外,使用相干性同伴检测,因此可以在场的相分量中编码信息,而不是其强度或弹性。我们表明,尽管有少量的节点和低可线性的节点,但我们的协议具有良好的性能,同时显示非线性记忆和预测可供使。我们的系统建立在可以使用光脉冲来构建尖峰储层的概念上[13,14],并且信息注入的相位编码可以在光子储层计算机中获得更好的性能[15,16]。基于光学的计算[17]可能能够给予对电子设备的速度或能源效率。
不可侵犯生长过程的缺陷。激光性能通常受到Ti3þ -Ti4Þ离子对8的光损失红外吸收带的限制,这些离子对8恰好发生在激光发射波长中。退火改善了成年晶体的质量。它允许将部分更改为ti3Þ,并改善所谓的功绩图(FOM),该图可以测量约500 nm的吸收系数与吸收系数相对于寄生虫Ti3Þ -Ti3Þ -Ti4Þ吸收带的吸收系数的比率。在本文中,大尺寸和高度Ti3Þ掺杂的Al 2 O 3单晶在RSA Le Rubis Company的Kyropoulos Technique(KT)成功生长,并执行了成年晶体的光学特征。
临界维度(CD)控制在半导体行业至关重要,并且随着光刻限制不断推动以达到小于10 nm的技术节点而变得更具挑战性。为了确保过程的质量和控制,有必要探索新的计量技术。从这个意义上讲,临界小角度X射线散射(CDSAXS)已被确定为确定具有子纳米准确精度的线光栅的平均形状的潜在候选者。在本文中,我们将CDSAXS结果基于光学关键维度(OCD),临界尺寸扫描电子显微镜(CDSEM)和透射电子显微镜(TEM)测量,以前从制造线的工业计量工具和表征实验室中收集的先前从工业计量工具中收集的测量值。重点放在用于CDSAXS的模型以及如何改进的模型上。我们讨论了所有这些多尺度和多物理技术之间的差异,并质疑我们比较它们的能力。
从图5中,1365cm⁻°和1210cm⁻⁻处的强峰分别指示存在三角形的Bo₃和四面体BO₄结构单元。这些单元构成了硼酸盐玻璃网络的骨干,BO₃单元有助于非线性光学性能,并且BO₄单位增强了玻璃的热和机械稳定性。887cm⁻见的峰表示BI-O振动或B-O-B弯曲,强调了BI₂O₃作为网络修饰符的作用。此添加引入了非桥接氧原子(NBOS),该原子破坏了连续的硼酸盐网络并影响玻璃的光学和结构特性。总体而言,FTIR数据验证了将稀土氧化物和修饰符成功掺入玻璃基质中,从而突出了系统对高级光学和电子应用的适用性。
图 2. 所提出的光控编码元件的设计和特性。a) 元原子编码元件的详细结构,在 SiO 2 基板上构建了 1 μm 厚的金方块和 1 μm 厚的 GeTe 方块图案。b) 编码元件两种状态的示意图:状态“0”表示 GeTe 的非晶态(绝缘态),状态“1”表示 GeTe 的晶体(导电)态。c) 和 d) 两种状态下编码元件的相应反射特性(c 幅度和 d 相位)。e) GeTe 层表面电阻随温度的变化(双探针测量),显示两种状态下的电特性相差六个数量级以上,并且冷却至室温时晶体状态具有非挥发性行为。 f) 有限元模拟 GeTe 层在具有不同能量密度的 35 纳秒长单脉冲紫外激光照射下的温度上升情况:单脉冲的通量为 90 mJ/cm 2,将使最初为非晶态的 GeTe 的温度升至其结晶温度 ( TC ) 以上,而随后的 190 mJ/cm 2 激光脉冲将使 GeTe 的温度升至其局部熔化温度 TM 以上,并将材料熔化淬火回非晶态。下图是拟议的 1 比特元原子的配置和示意图