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铝掺杂对ZnO薄膜光学，电气和气体传感特性的影响
这项研究探索了铝掺杂对ZnO薄膜光学和电气性能的影响，以及它们的气感应能力，特别是对血清的响应。薄膜，然后在500°C下退火，其掺杂浓度变化（0％，0.5％，1％，1％，1.5％，2％和2.5％）。结果表明，较高的Al掺杂提高了透射率，这可能是由于结晶度增强和爆发蛋白 - 莫斯效应所致，而2.5％的Al掺杂ZnO表现出最高的透射率约为85％。折射率和灭绝系数分析表明，在较高的掺杂水平下，光吸收和散射降低，反映了膜质量的提高。介电常数的实际和虚部也随掺杂而变化，掺杂的ZnO为0.5％，显示了最高的实际部分，表明更好的介电性能。Al掺杂的ZnO膜的光条间隙随着AL浓度的增加而降低，与先前的研究一致，表明电导率的潜在改善。电性能，尤其是I-V特性，表明较高的Al掺杂降低了电导率，这可能是由于电荷载体散射增加所致。气体传感实验表明，2％掺杂的ZnO对血清表现出更高的敏感性，而耐药性随时间和血清体积而变化，突出了ZnO膜及其环境之间的动态相互作用。该研究的发现表明，Al掺杂增强了ZnO薄膜的光学和传感特性，最佳的掺杂浓度约为2％，以最大程度的灵敏度。
可扩展快速光路交换的电路设计
2.1 (a) 垂直 MEMS 耦合器的 (a) 关闭状态和 (b) 开启状态示意图 - 图片取自 [14] (c) MEMS 开关单元的 SEM - 图片取自 [22] . . 7 2.2 MEMS 开关元件的代表性传递函数。 . . . . . . . . . . . . . 8 2.3 (a) 128x128 SiPh MEMS 纵横开关 (b) 4x4 CMOS 高压驱动芯片倒装芯片接合到 SiPh MEMS 芯片的 GDS 屏幕截图。 . . . . . . . . . . . . 9 2.4 (a) SuperSwitch 1 高压驱动芯片的显微照片 (b) 驱动芯片的卡通布局图。 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 2.5 假设采用单个 CMOS 芯片，则激活 128 行中的 1 行的简单原理图。 . 11 2.6 假设采用 4x4 CMOS 芯片阵列，则控制 128x128 开关的原理图。 12 2.7 (a) N c = 1 时第 0 列和第 1 列的逻辑 (b) N c = 2 时第 0 列和第 1 列的逻辑。 13 2.8 (a) 带有用于调试的环回多路复用器的 SuperSwitch1 控制芯片扫描架构的最终原理图。 (b) SuperSwitch1 控制器芯片的最终参数。 . . . . . 14 2.9 (a) SuperSwitch1 高压驱动电路原理图。 (b) 所有电源及其标称值的列表。 . . . . . . ... 19 2.13 (a) HVDD = 70 V、HVSS = 65 V 时所有角的 VSS 电阻 shmoo 图。 (b) 相同图，但 HVDD = 70 V、HVSS = 66 V。 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 2.16 (a) 凸块 CMOS 焊盘的显微照片。(b) Au UBM 和 Au 微凸块的横截面。(c) 使用不同厚度的 UBM 在 SiPh 芯片上补偿 CMOS 焊盘高度差异的键合工艺说明。. . . . . . . . . 22
Terahertz通过光学激发红外...
在Terahertz（THZ）频率范围内产生单色电磁辐射，数十年来一直是一项艰巨的任务。在此，证明了介电材料KY（MOO 4）2中光音子单色子THZ辐射的发射。ky的分层晶体结构（MOO 4）2导致红外剪切晶格振动的能量低于3.7 MeV，对应于低于900 GHz的频率，而基于固体的单色辐射源很少见。直接通过5 ps长宽带Thz脉冲激发，ky中的红外活性光学振动（MOO 4）2重新发射窄带子Thz辐射作为数十无picseconds的时变偶极子，对于振荡器而言，频率低于1 THz，这对于振荡器而言异常长。如此长的连贯发射允许检测超过50个辐射的辐射，频率为568和860 GHz。与使用材料的化学稳定性相同的较长衰减时间表明，THZ技术中的各种可能应用。
局部控制和混合维度：探索光学晶格中的高温超导性
通过在光学晶格中实现强相关的费米模型来模拟高温超导材料，是模拟量子模拟领域的主要目标之一。在这里我们表明，局部控制和光学双层功能与空间分辨的测量相结合，创建了一种多功能工具箱，以研究镍和铜酸盐高温超导体的基本特性。一方面，我们提出了一种实施混合尺寸（混合）双层模型的方案，该模型已提议捕获加压双层镍的基本配对物理。这允许在当前晶格量子模拟机中长期实现具有远程超级传导顺序的状态。，我们展示了如何以部分粒子孔转换和旋转的基础访问连贯的配对相关性。另一方面，我们证明了对局部门的控制能够通过模拟具有有吸引力的相互作用的系统来观察D波配对顺序。最后，我们介绍了一种计划，以测量动量分辨的掺杂剂密度，从而提供了对固态实验互补的可观察物，这对于未来在丘比特中出现的神秘伪群阶段的研究特别感兴趣。
核自旋和光钟量子比特的混合原子镊子阵列
虽然具有长相干时间的数据量子比特对于量子信息的存储至关重要，但辅助量子比特对于容错量子计算的量子纠错 (QEC) 至关重要。光镊阵列的最新发展，例如大规模量子比特阵列的制备和高保真门操作，为实现 QEC 协议提供了潜力，而下一个重要挑战之一是控制和检测辅助量子比特，同时尽量减少原子损失和串扰。在这里，我们介绍了由双同位素镱 (Yb) 原子阵列组成的混合系统的实现，其中我们可以利用费米子 171 Yb 的核自旋量子比特作为数据量子比特，利用玻色子 174 Yb 的光时钟量子比特作为辅助量子比特，具有无损量子比特读出能力。我们评估了量子比特之间的串扰对 174 Yb 成像光的核自旋量子比特相干性的影响。对于 174 Yb 的 Hahn 回波序列，使用 399 nm 探针和 556 nm 冷却光束，我们观察到在 20 ms 曝光下保留了 99.1 (1.8)% 的相干性，产生了 0.9992 的鉴别保真度和 0.988 的生存概率。使用 556 nm 探测光束的 Ramsey 序列对相干性的影响可以忽略不计，这表明未来低串扰测量可能会有所改善。这一结果凸显了混合 Yb 原子阵列在基于辅助量子比特的 QEC 协议的中路测量中的潜力。
光学访问网络支持未来5G和6G手机...
移动网络的第六代（6G）的开发非常重视可持续性，旨在通过连接未连接的数字鸿沟弥合数字鸿沟。它有望提供无处不在的智能，增强的安全性和弹性。建立在5G的进步上，如图1（a）所示，已经确定了6G的使用情况：增强的移动宽带（EMBB）将发展为身临其境的交流；大规模的机器型通信（MMTC）将过渡到大规模的通信；超级可靠和低延迟通信（URLLC）将提高到超级责任和低延迟通信（HRLLC）；无处不在的连通性，人工智能（AI）和通信以及集成的传感和通信引入了6G [1-3]的三个新颖的应用领域。
线性和非旋光光谱（1）
Quote：Sidiki Zongo，Fabrice Bado，TongonmanegdeLéonardOuedraogo，Moussa Sougoti，SiéZacharieKam等。（2024）MNTPYP-PMMA复合锡膜的线性和非线性光谱表征，J纳米纳斯基纳米技术应用程序8：104
由物理混合>引起的光学和电子损失
Layers Thickness (nm) ITO 133 ± 1 ITO + PTAA physically mixed layer (0.5 ITO + 0.5 PTAA) 0.0 ± 0.5 PTAA 12 ± 1 Void + wide-E g FA 0.8 Cs 0.2 Pb(I 0.7 Br 0.3 ) 3 perovskite nucleation layer (0.120 ± 0.003 void + 0.880 perovskite)
使用有限的光电源和检测器的线性光电电路的完整图形语言
图形语言对于表示，改写和简化不同种类的过程非常有用。，它们已被广泛用于量子过程，改善了汇编，模拟和验证的最新技术。在这项工作中，我们专注于量子信息和计算的主要载体之一：线性光电电路。我们介绍了Lo fi -calculus，这是第一种图形语言，用于在无限尺寸光子空间上进行电路，其电路仅由线性光学元件的四个核心元素组成：相位变速器，梁隔板，辅助源，辅助源和探测器，并具有有界光子的数量。首先，我们研究由相位变速器和光束拆分器组成的电路的亚碎片，为此我们提供了第一个最小的方程理论。接下来，我们在收敛到正常形式的那些fi循环上引入了一个重写过程。我们证明这些形式是独特的，可以建立线性光学过程的新颖和独特的表示。最后，我们通过一种方程理论补充了语言，我们被证明是完整的：两个lo fi -circuits代表相同的量子过程，并且仅当一个可以通过lo fi -calculus的规则转化为另一个。