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深入了解氧化镓的生长
《化合物半导体》每年以受控发行的方式出版九期。不符合资格的个人可以订阅：每年 105.00 英镑/e158（英国和欧洲）、每年 138.00 英镑（航空邮件）、每年 198 美元（美国）。封面价格 4.50 英镑。本文中的所有信息在付印时均被认为是正确的。出版商对任何错误和遗漏概不负责。本出版物中表达的观点不一定是出版商的观点。我们已尽一切努力获得本出版物所含材料的版权许可。Angel Business Communications Ltd 将很乐意在出版物的后续发行中承认任何版权疏忽。Angel Business Communications Ltd © 版权所有 2022。保留所有权利。未经出版商书面同意，不得全部或部分复制内容。本杂志中使用的纸张由监管链认证的制造商生产，保证可持续采购。美国邮寄信息：Compound Semiconductor，ISSN 1096-598X，每年出版 8 次，1 月/2 月、3 月、4 月/5 月、6 月、7 月、8 月/9 月、10 月、11 月/12 月，由 Angel Business Communications Ltd，Unit 6, Bow Court, Fletchworth Gate, Burnsall Rd, Coventry CV5 6SP 出版。英国。2022 年美国年度订阅价格为 198 美元。美国境内空运和邮寄由名为 World Container Inc 的代理商负责，地址为 150-15, 183rd Street, Jamaica, NY 11413, USA。期刊邮资支付于 Brooklyn, NY 11256。美国邮政局长：将地址变更发送至 Compound Semiconductor, Air Business Ltd, c/o WN Shipping USA, 156-15, 146th Avenue, 2nd Floor, Jamaica, NY 11434, USA。印刷者：曼森集团。ISSN 1096-598X（印刷版）ISSN 2042-7328（在线版）© 版权所有 2022。
先进的金属氧化物渗透电极可提高固体氧化物电池的性能
燃料电池可能是将燃料转化为电能的最有效、最清洁的方式之一，因为它们避免了化学能转化为热能和热能转化为机械能的步骤。固体氧化物燃料电池 (SOFC) 是一种燃料电池，通常在 500 至 1000 C 之间运行。SOFC 中使用的标准材料是：氧化钇稳定氧化锆 (YSZ) 作为电解质，镍 - YSZ 金属陶瓷作为燃料电极，镧锶锰氧化物 (LSM) - YSZ 复合材料作为氧电极。1 尽管针对三种主要组件中的每一种都提出了多种具有增强初始性能的新型材料选择，但上述标准材料仍然是首选，因为它们在长期运行中具有耐用性。 2 例如，其他氧电极材料如镧锶钴铁氧体 (LSCF) 存在一些缺点，包括化学反应性和由于热膨胀系数 (TEC) 与标准 YSZ 的差异而导致的匹配性差。为此，已经提出了各种策略来改进标准氧电极。对于 LSM/YSZ 电极，YSZ 在中温 (IT) 范围 (700 C) 内的电导率相对较低，而 LSM 在此 IT 范围内主要是高极化电阻，限制了标准 SOFC 组件在 800 C 以下工作温度下的使用。为了降低基于 LSM - YSZ 的电池的工作温度，已经成功提出了选择性浸渍/过滤溶液基前体以形成纳米颗粒催化剂
糖尿病性视网膜病：世纪末的视角
复杂的酶（Nathan和Xie 1994），以及NOS的六到八种同工型（Nathan and Xie 1994; Murad 1994; Murad 1994）已被从神经元，巨噬细胞和内皮细胞中鉴定出来。这些同工型被归类为本构或诱导。组成型同工型受Ca 2 +和钙调蛋白调节，代表了与稳态相关的一氧化氮产生的低输出途径。可诱导的NOS类型被内毒素和某些细胞因子激活，并且这种诱导被认为是一种产生一氧化氮的高含量机制，例如某些功能，例如宿主防御。在其作为神经调节剂的作用中，由本构神经元NOS引起的一氧化氮与N-甲基-O-Aspartate（NMDA）受体复合物有关。一氧化氮是通过激活NMDA受体门控离子通道引发的，该通道的一步可以增强Ca 2 +的流入到细胞中。ca 2 +然后用钙调蛋白与钙调蛋白结合，从而激活酶。激活的NOS可以将底物L-精氨酸转换为氧化物和L-甲氟氨酸。对一氧化氮在阿片类药物中的作用的兴趣 -
氧化锌的聚合物封装
3。RESULTS......................................................................................52 3.1.ZnO nanoparticles and their nanohybrids ..............................52 3.1.1.晶体结构......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 52 3.1.2。Nanostructures and morphology.......................................56 3.1.3.Chemical bonding............................................................64 3.1.4.X射线光电子光谱.............................................................................................................. 67 3.1.5。拉曼光谱法..................................................................................................................... 72 3.1.6。频段间隙........................................................................................................................................................... 75 3.1.7。光致发光发射光谱............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 77 3.2。ZnO nanorods ........................................................................83 3.2.1.结晶结构........................................................................................................................................................................................................................................................................................... 83 3.2.2。Morphology......................................................................84 3.2.3.光学特性......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 86 3.2.4。Electrical properties studied by I-V and I-t measuremesnts............................................................................88 3.3.Photodiodes............................................................................93 3.3.1.形态..................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 93 3.3.2。I-V characteristics in dark.................................................94 3.3.3.理想因素计算........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 95 3.3.4。I-V辐射下的I-V特征................................................................................................................................................................................................................................................................................. 95 3.3.5。I-t characteristics: UV on/off cycles...................................97 3.3.6.Figures of merit................................................................98
电沉积的羟基磷灰石/氧化石墨烯/氧化锆氧化物复合涂料：表征和抗菌活性
目前的研究旨在通过使用电泳沉积来表征钛底物上羟基磷灰石，锆和氧化石墨烯纳米复合材料。在第一阶段，除了表征创建的复合涂层外，通过使用扫描电子显微镜（SEM）评估了创建涂层的厚度和均匀性。另外，通过元素分析研究了纳米粉末颗粒的分布。在第二阶段，通过使用X射线衍射分析，绘制并研究了涂层中使用的材料的位置。在第三阶段，为了评估在向羟基磷灰石中添加纳米颗粒而导致的涂层腐蚀行为，并将其与非涂层样品进行了比较，对化学偏振形式的电化学分析进行了比较，并与绘制相关图表进行了分析。最后，在第四阶段，进行了涂层上大肠杆菌和葡萄球菌细菌的抗菌测试，并与未涂层的合金样品进行了比较。腐蚀测试结果表明，使用纳米复合涂层会导致表面耐腐蚀性的增加。抗菌测试结果表明，使用纳米复合涂料可有效地降低表面细菌的生长。
具有高温中子反射仪的硅碳化物碳化物的外延石墨烯生长：一项操作研究
如今，制造商必须同时处理大量信息，以高度准确的水平与工业革命的高发展速度保持同步。这一需求导致了机器人的发明 - 在发展的各个方面，几乎每个方面都是人类的宝贵助手。1在rst，创建机器人是为了支持集会线的人；但是，他们可以执行更复杂的任务，例如制造，娱乐，交付处理等。2 - 4，无论根据实际要求，各种形状和大小如何，机器人都用两个主要组成部分制造：机械细节和编程，因此请ware。5个信息通过这些零件收集的信息已处理并转移给董事。6
壳聚糖集成的姜黄素 - 氧化烯/氧化铜杂化纳米复合材料用于抗菌和细胞毒性应用
1印度Sriperumbudur 602117 Sri Venkateswara工程学院应用化学系； anandhavelu@svce.ac.in（A.S。）; anandababu@svce.ac.in（A.B.S.）2印度技术学院化学工程系，印度坎迪502285，印度； CH24IPDF15@IITH.AC.IN 3材料工程，RWTH Aachen University，52062 Aachen，Germany; abbishek.sridharan@rwth-aachen.de 4生物医学工程系，KPR工程技术学院，哥印拜陀641407，印度； swathy.m@kpriet.ac.in 5化学系，国王沙特大学理学院 Box 2455，Riyadh 11451，沙特阿拉伯； almansor@ksu.edu.sa 6化学系，R.M.D。 工程学院，印度Tiruvallur 601206； subha.snh@rmd.ac.in 7电子和电气工程部，东guk大学 - 欧洲共和国，首尔04620； hyunseokk@dongguk.edu *通信：v.j.dhanasekaran@gmail.com2印度技术学院化学工程系，印度坎迪502285，印度； CH24IPDF15@IITH.AC.IN 3材料工程，RWTH Aachen University，52062 Aachen，Germany; abbishek.sridharan@rwth-aachen.de 4生物医学工程系，KPR工程技术学院，哥印拜陀641407，印度； swathy.m@kpriet.ac.in 5化学系，国王沙特大学理学院Box 2455，Riyadh 11451，沙特阿拉伯； almansor@ksu.edu.sa 6化学系，R.M.D。 工程学院，印度Tiruvallur 601206； subha.snh@rmd.ac.in 7电子和电气工程部，东guk大学 - 欧洲共和国，首尔04620； hyunseokk@dongguk.edu *通信：v.j.dhanasekaran@gmail.comBox 2455，Riyadh 11451，沙特阿拉伯； almansor@ksu.edu.sa 6化学系，R.M.D。工程学院，印度Tiruvallur 601206； subha.snh@rmd.ac.in 7电子和电气工程部，东guk大学 - 欧洲共和国，首尔04620； hyunseokk@dongguk.edu *通信：v.j.dhanasekaran@gmail.com
氧化物弥散激光增材制造-...
摘要：铜具有很高的热导率，是现代航空航天推进系统中热应力部件冷却的关键材料。在此类应用中使用铜材料需要材料具有很高的强度和高温稳定性，这可以通过氧化物弥散强化的概念来实现。在这项研究中，我们展示了使用激光增材制造对两种高导电沉淀强化 Cu-Cr-Nb 合金进行氧化物强化。通过在行星磨机中进行机械合金化，将气雾化的 Cu-3.3Cr-0.5Nb 和 Cu-3.3Cr-1.5Nb (wt.%) 粉末材料用 Y 2 O 3 纳米颗粒装饰，然后通过激光粉末床熔合 (L-PBF) 的激光增材制造工艺进行固结。虽然可以制造出致密的强化和非强化合金样品 (>99.5%)，但氧化物弥散强化合金还表现出均匀分布的富含钇和铬的氧化物纳米颗粒，以及所有受检合金中存在的 Cr 2 Nb 沉淀物。较高的铌含量导致维氏硬度适度增加约 10 HV0.3，而均匀分散的纳米级氧化物颗粒导致材料强度与非强化合金相比显著增加约 30 HV0.3。