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分子寡噻吩-富勒烯二元体系在单一材料有机太阳能电池中达到 5% 以上的效率
太阳能电池。[2–9] 通常，会开发出由共价连接的富电子给体 (D) 和缺电子受体 (A) 单元组成的聚合物或低聚物材料。在大多数例子中，D 和 A 通过对应于分子本体异质结模型的不同长度的柔性绝缘接头连接，而只有少数具有刚性 π 共轭接头或直接连接。[1] 在双极性 D-A 聚合物中，结构具有挑战性、合成复杂性高的“双电缆”聚合物 [2–5] 最近在 SMOSC 中显示出显著提高的能量转换效率 (PCE) 超过 8.4%。在这些材料中，D 和 A 单元的层状相分离通常在较高温度（高达 230°C）下实现，从而产生具有高热稳定性和光稳定性的太阳能电池。 [1c,3–5] 目前，这些结果已经被随机D-A嵌段共聚物[6–8]所超越，其PCE达到了8.6% [7]，甚至有望达到11.3% [8]，达到了工业应用的10%技术壁垒。[1c,10]
无铅钙钛矿材料Masni 3，Masnbr 3和Magei 3的比较研究，以设计，模拟和优化铅免费PSC
光伏技术的进步肯定是由铅基钙钛矿太阳能电池（PSC）改造的。但铅毒性是其大规模商业生产和使用的巨大障碍。因此，在目前的工作中，已经对三种无铅钙钛矿材料Masni 3，Masnbr 3和Magei 3进行了彻底研究，以开发高效率和稳定性的环境友好PSC。建模的设备结构用ZnO用作电子传输层（ETL），CH 3 NH 3 SNI 3，CH 3 NH 3 NH 3 SNBR 3和CH 3 NH 3 GEI 3作为钙钛矿的吸收层（PAL），螺旋形成孔作为孔传输层（HTL），Indium掺杂锡氧化物（HTL），Indium oped Tin oxide（Ito）（ITO）（ITO）和顶部的Electode and Anode Anode Anode Anode Anode Anode Anode Anode。缺陷密度与钙钛矿吸收层的不同厚度相结合，以获得最佳的太阳能电池参数。At a thickness of 500 nm and defect density of 1 × 10 14 cm −3 of PAL, simulated Perovskite solar cell ITO/ZnO/CH 3 NH 3 SnI 3 /Spiro- OMeTAD/Au provided optimized solar cell parameters as PCE 25.95%, Voc 1.06V, Jsc 31.67mA/cm 2 and FF 77.24%, ITO/ ZnO/CH 3 NH 3 SnBr 3 /Spiro-OMeTAD/Au provided PCE 25.01%, V OC 1.02V, J SC 32.41 mA/cm 2 and FF 75.68%, ITO/ZnO/CH 3 NH 3 SnI 3 /Spiro-OMeTAD/Au provided PCE 19.66%, V OC 1.81V, J SC 14.29 mA/cm 2 and FF 75.95%.此外，对太阳能电池特征研究了界面缺陷密度，串联电阻，分流电阻和温度的影响。可以很好地观察到，基于SN的设备比基于GE的设备更有效，更稳定，反之亦然。
我们现在在哪里？实时审查爱尔兰经济发展 2020 年 4 月
t 数据集 7 图 3 变量对第一个因子的贡献 8 图 4 随时间分解第一个因子 9 图 5 GDP 与关键基础指标 10 图 6 对修正国内需求（MDD）同比增长的贡献 12 图 7 模型拟合度 13 表格 表 1 数据集 4 表 2 数据周期内的相对 MSFE 15 附件 附件 1 17 表 1a 基于 MDD 模型的预测评估统计数据 19 表 1b 基于 UDD 模型的预测评估统计数据 20 表 1c 基于就业模型的预测评估统计数据 20 表 1d 基于国内增加值的模型的预测评估统计数据 21 表 1e 基于 PCE 模型的预测评估统计数据 22 附件 2 23 图 2a 数据时间线 23 图 2b Nowcast 模型拟合 MDD 和 UDD 24 图 2c Nowcast 模型拟合就业、国内增加值和 PCE 25 表 2a 列表月度指标 26
2023 年第四季度及全年国内生产总值（...
预先估计 第二次估计 (与上一季度相比的百分比变化) 实际 GDP 3.3 3.2 现价 GDP 4.8 4.9 实际 GDI … … 实际 GDP 和实际 GDI 的平均值 … … 国内生产总值价格指数 1.9 1.9 PCE 价格指数 1.7 1.8 不包括食品和能源的 PCE 价格指数 2.0 2.1 第三季度工资和薪金更新 除了提供第四季度的更新估计值外，今天发布的报告还根据劳工统计局季度就业和工资普查计划的最新数据，提供了第三季度工资和薪金、个人所得税和政府社会保险缴款的修订估计值。 目前估计第三季度工资和薪金增加了 1842 亿美元，上调了 230 亿美元。 目前估计个人现价税增加了 615 亿美元，上调了 89 亿美元。现在估计政府社会保险缴款增加了 232 亿美元，上调了 30 亿美元。结合这些新数据，现在估计第三季度实际国内总收入增长了 1.9%，比之前公布的估计值上调了 0.4 个百分点。2023 年 GDP 2023 年实际 GDP 增长 2.5%（从 2022 年年度水平到 2023 年年度水平），而 2022 年增长了 1.9%（表 1）。2023 年实际 GDP 的增长主要反映了消费者支出、非住宅固定投资、州和地方政府支出、出口和联邦政府支出的增加，但部分被住宅固定投资和私人库存投资的减少所抵消。进口减少（表 2）。 2023 年，按当前美元计算的 GDP 增长 6.3%，即 1.61 万亿美元，达到 27.36 万亿美元，而 2022 年则增长 9.1%，即 2.15 万亿美元（表 1 和表 3）。2023 年国内总购买力价格指数增长 3.4%，而 2022 年增长 6.8%（表 4）。个人消费支出价格指数增长 3.7%，而 2022 年增长 6.5%。不包括食品和能源价格，个人消费支出价格指数增长 4.1%，而 2022 年增长 5.2%。从 2022 年第四季度到 2023 年第四季度，实际 GDP 在此期间增长了 3.1%（表 5），而从 2021 年第四季度到 2022 年第四季度增长了 0.7%。
对光伏应用的低班带有机半导体的高通量筛选：在搜索相关性
材料综合，形态控制和设备工程已将PCE推向了19％以上的单连接设备，而串联配置的PCE超过20％。[5 - 8]关键的发展是非富裕受体（NFAS）的持续进展。特定的，低于1.6 eV的典型光学带隙（E G）的低带隙材料可以增强太阳光利用率：AM 1.5G太阳能光谱的光线分配使约51％的太阳能光子光子在近交易所区域（NIR）区域中发现。[9]此外，在这些材料中发现了其他吸引人的物理特性，包括强偶极矩和低激子结合能。[10]这些在NIR地区吸收的低频带NFA吸引了许多新兴的PV技术的兴趣。它们已在半透明的OPV中广泛用于各种应用，包括Agrivoltaics，电力生成窗户，热绝缘，磨损电子设备和建筑物集成的PV。[9,11,12]此外，它们将吸收范围扩展到NIR光谱的能力已在串联OPV中，[13-16] Ternary opvs，[17-19]和nir-absorting有机光探测器。[20 - 23]
每周经济更新
•在2025年2月的最后一周，美国（美国）报告说，PCE通货膨胀率降低到2.5％，而核心PCE通货膨胀率下降到2.6％。据报道，美国第4-2024季度经济增长率增长了2.3％（年化），这是四分之三的最慢性增长。从欧元区开始，据报道，1月25日的通货膨胀率为2.5％，自7月24日以来成为最高的通货膨胀。欧洲央行的会议会议记录在1月25日指出，货币政策需要继续受到限制，现在讨论何时适当的何时还为时过早。表示，尽管最近收益率提高，但它将继续减少政府债券的购买。韩国维护后，韩国将其利率再次降低至2.75％。中国仍然将中期贷款设施保持在2.0％，并通过该政策向金融机构注入了3000亿欧元。此外，中国还计划在未来几个月内将至少4000亿个CNY亿美元注入其最大的银行，作为刺激套餐的一部分，以促进增长。来自东盟，泰国银行出奇地将利率降低了25个基点至2％，这是增长速度放缓的风险。
使用晶圆射线示踪剂
摘要：功率转换效率（PCE）是评估太阳能电池的输出特性的主要参数。抗反射涂层（ARC）起着抑制太阳能电池表面的光损失的作用，从而增强了PCE。本文研究了晶体硅（C-SI）太阳能电池上双层抗反射涂层（DLARC）的不同材料。使用PV Lighthouse软件的晶圆射线示踪剂完成模拟硅太阳能电池的总体过程方法。检查了具有不同类型的双层的五个光捕获（LT）方案。c-Si的最大电势光电密度（J MAX）用ARC显示出比参考c-Si（无弧）的J max的改善。lt方案II：SIO 2 /TIO 2产生J Max的最大值，其中该值为42.20 mA /cm 2。这表明方案II具有最高的J MAX增强功能，值为10.01％。这一发现意味着DLARC适用于减少光损失，因此有效地提高了太阳能电池的性能。关键字：光伏，太阳能电池，抗反射涂层，光捕获，射线跟踪1。简介
美联储：不良预测和误导的货币政策
Sept 2020 1.7 0.1 0.1-0.1 1.8 0.1 0.1-0.6 2.0 0.1 0.1-1.4 Dec 2020 1.8 0.1 0.1-0.1 1.9 0.1 0.1-0.4 2.0 0.1 0.1-1.1 March 2021 2.4 0.1 0.1-0.1 2.0 0.1 0.1-0.6 2.1 0.1 0.1-1.1 June 2021 3.4 0.1 0.1-0.1 2.1 0.1 0.1-0.6 2.2 0.6 0.1-1.6 Sept 2021 4.2 0.1 0.1-0.1 2.2 0.3 0.1-0.6 2.2 1.0 0.1-1.6 Dec 2021 5.3 0.1 0.1-0.1 2.6 0.9 0.4-1.1 2.3 1.6 1.1-2.1 Mar 2022 - - - 4.3 1.9 1.4-3.1 2.7 2.8 2.1-3.6 June 2022 - - - 5.2 3.4 3.1-3.9 2.6 3.8 2.9-4.4 2022 --- 5.4 4.4 4.4 3.9-4.6 2.8 4.6 3.9-4.6 3.9-4.9 2022年12月2022年12月----5.6 4.4 4.4 4.4 3.1 5.1 5.1 4.9-5.1 4.9-5.6 2023年3月2023年------------------------------- 3.3 5.1 4.9-5.9来源：美联储储备委员会：美联储储备委员会委员注意： *PCE通货膨胀预测为当年的PCE通货膨胀预测为％CHG Q4/Q4。
以民众为中心的参与 - 小型战争日志
以民众为中心的参与：赢得长期战争的战略视角的积极转变 Robert C. Jones 人们看待问题的方式决定了解决问题的解决方案。迄今为止，美国在长期战争中的参与重点是击败基地组织和越来越多的附属非国家暴力极端组织 (VEO)。该战略承认民众的重要性，但将其重要性置于抓捕或杀死 VEO 高级领导层以及发展这些 VEO 所在国家现有政府的反恐能力的努力之下。该战略自然适合于需要国防部牵头、国务院支持的一系列参与。以民众为中心的接触将重点转移到理解和支持世界各地的民众，并帮助他们按照自己的方式实现良好的治理，并产生以下积极的次要影响：• 有助于形成与美国建国时的积极意识形态更加一致的接触体系。• 使美国摆脱为从二战中恢复和赢得冷战而制定的过时的政策、关系和机构优先事项。• 允许国务院在国防部的支持下恢复对外接触的领导地位。• 不排除有针对性的捕获/杀伤和能力建设接触。• 使美国摆脱困境
CMOS 射频能量收集器 (RFEH) 带有全片上可调升压器，可提高宽带灵敏度
摘要：射频能量收集 (RFEH) 是目前广受欢迎的一种可再生能源收集形式，因为许多无线电子设备可以通过 RFEH 协调其通信，尤其是在 CMOS 技术中。对于 RFEH，检测低功率环境 RF 信号的灵敏度是重中之重。通常采用 RFEH 输入端的升压机制来增强其灵敏度。然而，保持其灵敏度的带宽非常差。这项工作在 3 级交叉耦合差分驱动整流器 (CCDD) 中完全在片上实现了可调升压 (TVB) 机制。TVB 采用交错变压器架构设计，其中初级绕组实现到整流器，而次级绕组连接到 MOSFET 开关，用于调节网络的电感。 TVB 使整流器的灵敏度保持在 1V 直流输出电压下，在 3 至 6 GHz 的 5G 新无线电频率 (5GNR) 频段的宽带宽内最小偏差为 − 2 dBm。在 − 23 dBm 输入功率下，直流输出电压为 1 V，峰值 PCE 在 3 GHz 下为 83%。借助 TVB，可以在 1 V 灵敏度点处保持 50% 以上的 PCE。提出的 CCDD-TVB 机制使 CMOS RFEH 能够以最佳灵敏度、直流输出电压和效率运行于宽带应用。