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基于PECVD的硅硝酸盐薄膜用于纳米...-教师
a School of Computing and Electrical Engineering, Indian Institute of Technology (IIT), Mandi 175001, Himachal Pradesh, India b Electronics and Microelectronics Division, Indian Institute of Information Technology (IIIT), Allahabad 211011, Uttar Pradesh, India c Department of Bio and Nano Chemistry, School of Mechanical Systems Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea d School of Basic印度理工学院科学研究所（IIT），曼迪175001，喜马al尔邦，印度E能源研究中心，印度技术学院光伏实验室（IIT） - 德里，新德里，新德里110016，印度印度印度纳米级，印度工程学院，印度科学系，IIT 16 Kanpur，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IT， Kurukshetra University，Kurukshetra 136119，印度
用于有机发光器件的 PECVD 处理碳化硅涂层
等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) SiC 基阻隔涂层已被开发用于保护包括聚合物发光二极管 (PLEDS) 在内的发光设备。薄膜封装由不同 PECVD 层的堆叠组成，各个层针对特定的涂层特性进行了优化，包括应力控制和高水/氧阻隔特性。这些阻隔涂层已成功应用于 PLED 设备，优化的阻隔堆叠既没有出现可见的机械故障，也没有出现任何颜色光谱功率分布偏移。阻隔层的 PECVD 沉积会导致设备电流效率略有下降，这是在没有水和氧的情况下测量时发光寿命延长的代价。PECVD 堆叠的阻隔特性已显示可将发光寿命提高高达 70% 的玻璃密封设备寿命，并且目前受到薄膜阻隔中出现的缺陷的限制。