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基于PECVD的硅硝酸盐薄膜用于纳米...-教师
a School of Computing and Electrical Engineering, Indian Institute of Technology (IIT), Mandi 175001, Himachal Pradesh, India b Electronics and Microelectronics Division, Indian Institute of Information Technology (IIIT), Allahabad 211011, Uttar Pradesh, India c Department of Bio and Nano Chemistry, School of Mechanical Systems Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea d School of Basic印度理工学院科学研究所（IIT），曼迪175001，喜马al尔邦，印度E能源研究中心，印度技术学院光伏实验室（IIT） - 德里，新德里，新德里110016，印度印度印度纳米级，印度工程学院，印度科学系，IIT 16 Kanpur，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IT， Kurukshetra University，Kurukshetra 136119，印度
用于有机发光器件的 PECVD 处理碳化硅涂层
等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) SiC 基阻隔涂层已被开发用于保护包括聚合物发光二极管 (PLEDS) 在内的发光设备。薄膜封装由不同 PECVD 层的堆叠组成，各个层针对特定的涂层特性进行了优化，包括应力控制和高水/氧阻隔特性。这些阻隔涂层已成功应用于 PLED 设备，优化的阻隔堆叠既没有出现可见的机械故障，也没有出现任何颜色光谱功率分布偏移。阻隔层的 PECVD 沉积会导致设备电流效率略有下降，这是在没有水和氧的情况下测量时发光寿命延长的代价。PECVD 堆叠的阻隔特性已显示可将发光寿命提高高达 70% 的玻璃密封设备寿命，并且目前受到薄膜阻隔中出现的缺陷的限制。
通过激光辅助等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅，用于下一代有机电子器件
利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 在低温下无损伤、无应力地沉积化学计量的氮化硅是微电子、微机电系统 (MEMS) 等各种应用领域中的一个重要课题。本研究研究了氮化硅 PECVD (LAPECVD) 过程中激光辅助对沉积的 Si 3 N 4 薄膜的物理和化学特性的影响。由于反应气体的分解作用增强，在 80 ◦ C 下用 193 nm 激光辅助的 LAPECVD 显示出比 PECVD 更高的沉积速率。此外，沉积的氮化硅薄膜的 N/Si 化学计量比和残余应力也得到了改善。当氮化硅直接沉积在有机发光二极管 (OLED) 上进行薄膜钝化时，LAPECVD 没有观察到电气损坏，这可能是因为激光辅助沉积在 OLED 表面覆盖了一层薄薄的氮化硅层，而传统的 PECVD 则因直接暴露于等离子体而导致离子轰击导致器件损坏。我们相信 LAPECVD 系统可用于各种下一代微电子行业，这些行业需要在低温 PECVD 期间以最小的损坏进行高质量的薄膜沉积。
功能涂层的等离子增强化学气相沉积基础
摘要 几十年来，PECVD（“等离子体增强化学气相沉积”）工艺已成为在多种类型的基材（包括复杂形状）上合成有机或无机薄膜的最方便和通用的方法之一。因此，PECVD 如今已用于从微电子电路制造到光学/光子学、生物技术、能源、智能纺织品等许多应用领域。然而，由于该工艺的复杂性（包括大量气相和表面反应），制造针对特定应用的定制材料仍然是该领域的一大挑战，显然，只有通过对薄膜形成所涉及的化学和物理现象的基本理解才能掌握该技术。在此背景下，本基础论文的目的是与读者分享我们对 PECVD 层形成基本原理的认识和理解，考虑到不同反应途径的共存，可以通过控制气相和/或生长表面的能量耗散来定制这些反应途径。我们证明了控制 PECVD 薄膜功能特性的关键参数是相似的，无论其性质是无机的还是有机的（等离子体聚合物），从而支持对 PECVD 工艺的统一描述。气相工艺和薄膜行为的几个具体示例说明了我们的愿景。为了完善本文档，我们还讨论了 PECVD 工艺发展的当前和未来趋势，并提供了使用这种强大而多功能技术的重要工业应用示例。
薄膜沉积的全面回顾...
摘要。通过等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 方法沉积薄膜是制造 MEMS 或半导体器件的关键工艺。本文全面概述了 PECVD 工艺。在简要介绍 PECVD 反应器的主要层及其应用（例如氧化硅、TEOS、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、非晶硅、类金刚石碳）之后，介绍了这些层。分析了工艺参数（例如腔体压力、衬底温度、质量流速、RF 功率和 RF 功率模式）对沉积速率、膜厚度均匀性、折射率均匀性和膜应力的影响。微机电系统 (MEMS) 和半导体器件的薄膜 PECVD 沉积的主要挑战是优化沉积参数，以实现高沉积速率和低膜应力，这在低沉积温度下是可能的。
陶瓷研究所-Limoges
有关信息和沟通技术➝组件小型化：通过激光消融，PVD（物理蒸气沉积）或PECVD或PECVD（血浆增强化学蒸气沉积）组件的组件和微型机械机械系统的薄膜和PECVD（血浆增强的化学蒸气沉积）的沉积微波介电组件，3D电子电路芯片和多功能传感器的印刷，3D微挤出…）➝新尿酸盐基于第二和3阶光学非线性的基于新尿酸盐的玻璃材料➝在这些基于Telluride材料的较大的电源材料➝制造光纤和/或用于/或具有波动的材料的远程材料。 ➝新的铅免费压电 /铁电组成< / div>
半导体制造及封装技术
[2025 年 1 月 20 日至 31 日，16:00 至 20:00] ▪ 半导体制造 - 制造半导体器件（如集成电路 (IC)）的过程 ▪ CMOS 制造 ▪ 晶体生长和清洗 ▪ 热氧化和后端技术 ▪ 光刻和蚀刻 ▪ 扩散和离子注入 ▪ 沉积和蚀刻（PVD、CVD、PECVD） ▪ 半导体键合、封装和测试 - 保护半导体器件并将其连接到外部环境的过程 ▪ 组装和包装 ▪ 半导体封装中使用的材料，如陶瓷和塑料 ▪ 用于连接组件的引线键合或倒装芯片键合技术 ▪ 测试封装设备以确保其符合性能规范
标题：基于等离子体的薄膜技术在纳米和千兆尺寸电子产品制造中的应用
基于MOSFET的集成电路和基于TFT的平板显示器是全球最大的两个微电子产业。前者的总体趋势是将器件尺寸缩小到纳米级；后者的趋势是将产品尺寸增加到几米。薄膜对于器件的性能和可靠性至关重要。除了严格控制几何形状、轮廓和产量外，成功的制造工艺还必须满足三个基本要求：大面积、高产量和低温。等离子体工艺，即等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、等离子体蚀刻（PE）/反应离子蚀刻（RIE）和溅射沉积，已被证明能有效满足上述要求。虽然对纳米和千兆级微电子的要求截然不同，但它们可以通过基于基本等离子体物理和化学描述复杂的工艺-材料-器件关系来实现。在本次演讲中，将给出使用PECVD工艺操纵体膜和界面特性以获得优化的器件特性的示例。此外，还将讨论在等离子蚀刻工艺中实现高蚀刻选择性、倾斜边缘轮廓和最小化辐射对晶体管的损伤的原理。此外，还将回顾高结晶温度、用于栅极电介质的非晶亚纳米 EOT 高 k、纳米晶体嵌入非易失性存储器以及通过溅射沉积法制备的新型固态白炽发光器件。创新方法（例如新的基于等离子的室温铜蚀刻工艺）可以解决当前行业以及未来半导体制造中的许多挑战性问题。
transpector apx 残留气体分析仪
Transpector APX 不仅是目前速度最快的 RGA 工艺监测器，还提供了一系列创新的入口和离子源选项，可根据工艺条件进行选择，从而实现最长的正常运行时间。下一代 Transpector APX 入口系统设计用于承受容易产生颗粒或涂层的工艺化学反应，如 ALD 或 PECVD。这允许进行连续监测，以在所有关键工艺步骤中捕获数据点。此外，还提供简化和 HexBlock 入口选项，INFICON 专有涂层可抵抗腐蚀性气体，这对于腔室清洁端点监测应用至关重要。